-
公开(公告)号：CN1324772C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN03107531.2
申请日：2003-03-26
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: H01L33/08 , H01L27/153 , H01L33/32
Abstract: 本发明的一种半导体发光器件至少包括：一层形成在衬底上的覆层，一个在第一覆层上形成的，并包括由In1-X-YGaXAlYN(0≤X，Y≤1，0≤X+Y＜1)材料制成的激活层的光发射结构，和一层在光发射结构上形成的第二覆层。激活层是由一种具有小俄歇效应，并在环境温度下，对其带隙有较少依赖性的InN材料制成的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101622763A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006573.8
申请日：2008-03-07
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: H01S5/06256 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/024 , H01S5/02407 , H01S5/02461 , H01S5/0268 , H01S5/0425 , H01S5/0612 , H01S5/0617 , H01S5/06808 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/34306 , H01S5/4087 , H01S2301/173
Abstract: 本发明的目的在于提供一种防止波长漂移的波长可调半导体激光元件及其控制装置、控制方法。就具有振荡激光的活性区域、和移位振荡的激光的波长的波长可调区域的波长可调半导体激光元件而言，相邻于波长可调区域，设置将投入的功率的大部分变换为热的热补偿区域，使投入波长可调区域的功率与投入热补偿区域的功率之和始终恒定。
-
公开(公告)号：CN102637997A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210085505.3
申请日：2008-03-07
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01S5/0625 , H01S5/024 , H01S5/125
CPC classification number: H01S5/06256 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/024 , H01S5/02407 , H01S5/02461 , H01S5/0268 , H01S5/0425 , H01S5/0612 , H01S5/0617 , H01S5/06808 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/34306 , H01S5/4087 , H01S2301/173
Abstract: 本发明的目的在于提供一种防止波长漂移的波长可调半导体激光元件及其控制装置、控制方法。就具有振荡激光的活性区域、和移位振荡的激光的波长的波长可调区域的波长可调半导体激光元件而言，相邻于波长可调区域，设置将投入的功率的大部分变换为热的热补偿区域，使投入波长可调区域的功率与投入热补偿区域的功率之和始终恒定。
-
公开(公告)号：CN1467888A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03107531.2
申请日：2003-03-26
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: H01L33/08 , H01L27/153 , H01L33/32
Abstract: 本发明的一种半导体发光器件至少包括：一层形成在衬底上的覆层，一个在第一覆层上形成的,并包括由In1－X－YGaXAlYN(0≤X，Y≤1，0≤X+Y＜1)材料制成的激活层的光发射结构，和一层在光发射结构上形成的第二覆层。激活层是由一种具有小俄歇效应，并在环境温度下，对其带隙有较少依赖性的InN材料制成的。
-
公开(公告)号：CN102637997B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201210085505.3
申请日：2008-03-07
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01S5/0625 , H01S5/024 , H01S5/125
CPC classification number: H01S5/06256 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/024 , H01S5/02407 , H01S5/02461 , H01S5/0268 , H01S5/0425 , H01S5/0612 , H01S5/0617 , H01S5/06808 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/34306 , H01S5/4087 , H01S2301/173
Abstract: 本发明的目的在于提供一种防止波长漂移的波长可调半导体激光元件及其控制装置、控制方法。就具有振荡激光的活性区域、和移位振荡的激光的波长的波长可调区域的波长可调半导体激光元件而言，相邻于波长可调区域，设置将投入的功率的大部分变换为热的热补偿区域，使投入波长可调区域的功率与投入热补偿区域的功率之和始终恒定。
-
公开(公告)号：CN101622763B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200880006573.8
申请日：2008-03-07
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: H01S5/06256 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/024 , H01S5/02407 , H01S5/02461 , H01S5/0268 , H01S5/0425 , H01S5/0612 , H01S5/0617 , H01S5/06808 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/34306 , H01S5/4087 , H01S2301/173
Abstract: 本发明的目的在于提供一种防止波长漂移的波长可调半导体激光元件及其控制装置、控制方法。就具有振荡激光的活性区域、和移位振荡的激光的波长的波长可调区域的波长可调半导体激光元件而言，相邻于波长可调区域，设置将投入的功率的大部分变换为热的热补偿区域，使投入波长可调区域的功率与投入热补偿区域的功率之和始终恒定。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.039 seconds)
