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公开(公告)号：CN107924961A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680048167.2
申请日：2016-08-26
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/10
Abstract: 本发明提供一种降低暗电流而不会有损光电流的锗光检测器。具备：硅基板、形成于硅基板上的下部包层、形成于下部包层上的芯层(210)、形成于芯层(210)的一部分的掺杂了p型杂质离子的p型硅板(211)、高浓度地掺杂了p型杂质并起到作为电极的作用的p++硅电极部(212、213)、以及吸收光的锗层(241、242)。还具备：上部包层、锗层的上部的掺杂了n型杂质的n型锗区域、以及电极。本发明在p型硅板(211)上具备两个锗层(241、242)，由此，能通过使各锗层的与p型硅板(211)相接的面积小型化，来削弱由穿透位错导致的暗电流。
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公开(公告)号：CN107533271A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680024239.X
申请日：2016-05-27
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明提供一种不需要切断延迟回路的工序就能够测定相位误差的相干光混频器回路。所述相干光混频器回路的特征在于，在四输入四输出的多模干涉回路的奇数号或者偶数号的输入与输入机构连接、四个输出全部与向外部的输出机构连接的光解调回路中，在所述多模干涉回路的其他两个输入连接有监控波导，所述监控波导的一方比另一方长且构成光延迟回路，而且，构成所述光延迟回路的所述监控波导与二分支分光器的各输出连接，所述二分支分光器的输入经由监控光输入波导与来自外部的监控输入机构连接。
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公开(公告)号：CN107924961B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201680048167.2
申请日：2016-08-26
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/10
Abstract: 本发明提供一种降低暗电流而不会有损光电流的锗光检测器。具备：硅基板、形成于硅基板上的下部包层、形成于下部包层上的芯层、形成于芯层的一部分的掺杂了p型杂质离子的p型硅板、高浓度地掺杂了p型杂质并起到作为电极的作用的p++硅电极部、以及吸收光的锗层。还具备：上部包层、锗层的上部的掺杂了n型杂质的n型锗区域、以及电极。本发明在p型硅板上具备两个锗层，由此，能通过使各锗层的与p型硅板相接的面积小型化，来削弱由穿透位错导致的暗电流。
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公开(公告)号：CN107534504B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201680021855.X
申请日：2016-04-12
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H04J14/00 , H01S5/022 , H04B10/516 , H04J14/04 , H04J14/06
Abstract: 本发明提供一种单芯片集成化的数字相干偏振复用光收发电路，其使用分支比率的非对称性小的光功率分配器，通过最优收发的光功率分配，来补偿由偏振路径引起的损耗不均衡。所述偏振复用光收发电路包含偏振复用光发射电路，所述偏振复用光发射电路包含：第一光功率分配器，对从光源输出的连续光的光功率进行分支；损耗更大的路径侧的一方的偏振光调制电路，连接于所述第一光功率分配器的一个输出；第二光功率分配器，连接于所述第一光功率分配器的另一个输出；以及另一方的偏振光调制电路，连接于所述第二光功率分配器的一个输出。
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公开(公告)号：CN107533271B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201680024239.X
申请日：2016-05-27
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明提供一种不需要切断延迟回路的工序就能够测定相位误差的相干光混频器回路。所述相干光混频器回路的特征在于，在四输入四输出的多模干涉回路的奇数号或者偶数号的输入与输入机构连接、四个输出全部与向外部的输出机构连接的光解调回路中，在所述多模干涉回路的其他两个输入连接有监控波导，所述监控波导的一方比另一方长且构成光延迟回路，而且，构成所述光延迟回路的所述监控波导与二分支分光器的各输出连接，所述二分支分光器的输入经由监控光输入波导与来自外部的监控输入机构连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107534504A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680021855.X
申请日：2016-04-12
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H04J14/00 , H01S5/022 , H04B10/516 , H04J14/04 , H04J14/06
Abstract: 本发明提供一种单芯片集成化的数字相干偏振复用光收发电路，其使用分支比率的非对称性小的光功率分配器，通过最优收发的光功率分配，来补偿由偏振路径引起的损耗不均衡。所述偏振复用光收发电路包含偏振复用光发射电路，所述偏振复用光发射电路包含：第一光功率分配器，对从光源输出的连续光的光功率进行分支；损耗更大的路径侧的一方的偏振光调制电路，连接于所述第一光功率分配器的一个输出；第二光功率分配器，连接于所述第一光功率分配器的另一个输出；以及另一方的偏振光调制电路，连接于所述第二光功率分配器的一个输出。
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公开(公告)号：CN106104335A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580012098.5
申请日：2015-03-04
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: G02B6/126 , G02B6/1228 , G02B6/14 , G02B6/2766 , G02B6/2861 , G02B2006/12061 , G02B2006/12097 , G02B2006/12147
Abstract: 在现有技术的偏振旋转回路中，一般需要形成并不适用于硅波导回路制作的氮化硅层。为了将偏振旋转回路的功能适用于光集成回路中，仅为此目的而追加形成氮化硅层的处理工序，导致制造时间的增加以及制造装置的复杂化。在本发明的偏振旋转回路中，使偏振转换回路的中央芯体部分的波导宽度变窄，由此，光波的强度不仅仅集中于中央芯体部分，使得更容易受到构造上的非对称性的影响。通过本发明的偏振旋转回路的构成，无需形成氮化硅层等，能够保持仅有硅波导的构造而高效地产生偏振转换。此外，通过并不使波导的间隔过度变窄的模式转换回路的各种构成例，提出能缩短回路长度、放宽制造时的公差的构成。
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公开(公告)号：CN107003549B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201580067277.9
申请日：2015-12-08
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明是一种光调制器，包括：基板、以及基板上的相位调制部，所述相位调制部包括：光波导、第一行波电极、以及第二行波电极，所述光波导包括：第一包层、半导体层、以及第二包层，所述半导体层层叠在第一包层上，并具有高于第一包层的折射率，所述第二包层层叠在半导体层上，并具有低于半导体层的折射率，半导体层具备：肋部，形成于光波导的光轴方向，作为光波导的芯；第一平板部，沿光轴方向形成于肋部的一侧；第二平板部，沿光轴方向形成于肋部的另一侧；第三平板部，沿光轴方向形成于第一平板部的与肋部相反侧；以及第四平板部，沿光轴方向形成于第二平板部的与肋部相反侧，第一平板部形成为比肋部和第三平板部薄，第二平板部形成为比肋部和第四平板部薄。
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公开(公告)号：CN106104335B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201580012098.5
申请日：2015-03-04
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 在现有技术的偏振旋转回路中，一般需要形成并不适用于硅波导回路制作的氮化硅层。为了将偏振旋转回路的功能适用于光集成回路中，仅为此目的而追加形成氮化硅层的处理工序，导致制造时间的增加以及制造装置的复杂化。在本发明的偏振旋转回路中，使偏振转换回路的中央芯体部分的波导宽度变窄，由此，光波的强度不仅仅集中于中央芯体部分，使得更容易受到构造上的非对称性的影响。通过本发明的偏振旋转回路的构成，无需形成氮化硅层等，能够保持仅有硅波导的构造而高效地产生偏振转换。此外，通过并不使波导的间隔过度变窄的模式转换回路的各种构成例，提出能缩短回路长度、放宽制造时的公差的构成。
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公开(公告)号：CN107003549A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580067277.9
申请日：2015-12-08
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明是一种光调制器，包括：基板、以及基板上的相位调制部，所述相位调制部包括：光波导、第一行波电极、以及第二行波电极，所述光波导包括：第一包层、半导体层、以及第二包层，所述半导体层层叠在第一包层上，并具有高于第一包层的折射率，所述第二包层层叠在半导体层上，并具有低于半导体层的折射率，半导体层具备：肋部，形成于光波导的光轴方向，作为光波导的芯；第一平板部，沿光轴方向形成于肋部的一侧；第二平板部，沿光轴方向形成于肋部的另一侧；第三平板部，沿光轴方向形成于第一平板部的与肋部相反侧；以及第四平板部，沿光轴方向形成于第二平板部的与肋部相反侧，第一平板部形成为比肋部和第三平板部薄，第二平板部形成为比肋部和第四平板部薄。
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