公开(公告)号：CN100463121C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200580000417.7

申请日：2005-06-24

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 小田康裕 ,  栗岛贤二 ,  横山春喜 ,  小林隆

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/737

Abstract: 重掺杂了硅(Si)的n型InP副集电极层2、InP集电极层3、重掺杂了碳(C)的p型GaAs(0.51)Sb(0.49)基极层4、掺杂了Si的n型In(1-y)Al(y)P发射极层7、重掺杂了Si的n型InP盖帽层8、以及重掺杂了Si的n型In(0.53)Ga(0.47)As接触层9堆叠在InP衬底1上。

公开(公告)号：CN1965398A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200580000417.7

申请日：2005-06-24

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 小田康裕 ,  栗岛贤二 ,  横山春喜 ,  小林隆

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/737

Abstract: 重掺杂了硅(Si)的n型InP副集电极层2、InP集电极层3、重掺杂了碳(C)的p型GaAs(0.51)Sb(0.49)基极层4、掺杂了Si的n型In(1－y)Al(y)P发射极层7、重掺杂了Si的n型InP盖帽层8、以及重掺杂了Si的n型In(0.53)Ga(0.47)As接触层9堆叠在InP衬底1上。