公开(公告)号：CN100570018C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200580000866.1

申请日：2005-06-10

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 笹浦正弘 ,  香田扩树 ,  藤浦和夫 ,  小林隆 ,  今井钦之 ,  栗原隆

IPC: C30B11/04 ,  C30B11/00

CPC classification number: C30B35/00 ,  C30B11/001 ,  C30B11/04 ,  C30B29/30 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/1056 ,  Y10T117/1092

Abstract: 本发明提供一种结晶制造方法以及装置，能维持结晶品质，使结晶组成从成长初期至成长后期形成均一。一种结晶制造方法，通过加热液化保持于炉内的坩埚内的原料，从坩埚的下方向上方，徐冷原料溶液而制造所述结晶，其特征在于，调整加热器，在坩埚保持的炉内形成低温区域和高温区域的温度分布中，将补给原料，加热到与所述高温区域相同温度，从而反射板上被液化，补给原料在一定时间内被保持于反射板的表面，并从反射板供给给坩埚。一种结晶制造装置，包括原料供给装置；反射板，其设置于坩埚的上方，将从原料供给装置所供给的补给原料加热到与徐热温度相同的温度而液化，并将补给原料在反射板的表面保持一定时间，作为液体而落下到坩埚中。

公开(公告)号：CN1842619A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200580000866.1

申请日：2005-06-10

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 笹浦正弘 ,  香田扩树 ,  藤浦和夫 ,  小林隆 ,  今井钦之 ,  栗原隆

IPC: C30B11/04 ,  C30B11/00

CPC classification number: C30B35/00 ,  C30B11/001 ,  C30B11/04 ,  C30B29/30 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/1056 ,  Y10T117/1092

Abstract: 本发明提供一种结晶制造方法以及装置，能维持结晶品质，使结晶组成从成长初期至成长后期形成均一。在加热液化保持于炉内的坩埚(11)内的原料(12)，由坩埚的下方向上方，通过徐冷原料(12)使结晶(13)成长的结晶制造装置中，包括：供给补给原料的原料供给装置(18)；反射板(20)，其设置于坩埚(11)的上方，使从原料供给装置(18)供给的补给原料(19)液化，使之作为液体原料(21)落下到坩埚中。

公开(公告)号：CN100463121C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200580000417.7

申请日：2005-06-24

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 小田康裕 ,  栗岛贤二 ,  横山春喜 ,  小林隆

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/737

Abstract: 重掺杂了硅(Si)的n型InP副集电极层2、InP集电极层3、重掺杂了碳(C)的p型GaAs(0.51)Sb(0.49)基极层4、掺杂了Si的n型In(1-y)Al(y)P发射极层7、重掺杂了Si的n型InP盖帽层8、以及重掺杂了Si的n型In(0.53)Ga(0.47)As接触层9堆叠在InP衬底1上。

公开(公告)号：CN1965398A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200580000417.7

申请日：2005-06-24

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 小田康裕 ,  栗岛贤二 ,  横山春喜 ,  小林隆

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/737

Abstract: 重掺杂了硅(Si)的n型InP副集电极层2、InP集电极层3、重掺杂了碳(C)的p型GaAs(0.51)Sb(0.49)基极层4、掺杂了Si的n型In(1－y)Al(y)P发射极层7、重掺杂了Si的n型InP盖帽层8、以及重掺杂了Si的n型In(0.53)Ga(0.47)As接触层9堆叠在InP衬底1上。