半导体光调制元件
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107615140A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201680031603.5

    申请日:2016-06-01

    Abstract: 本发明提供一种能作为超高速且电稳定性优异的调制器来使用的马赫-策德尔型(MZ)半导体光调制元件。本发明的半导体光调制元件是通过对在光波导进行导波的光的折射率进行调制的折射率调制区域以及进行在该折射率调制区域分支的光的合分波的输入输出区域来进行光的调制的马赫-策德尔型半导体光调制元件,其特征在于,所述光波导在折射率调制区域中,在与闪锌矿型半绝缘性的半导体晶体基板的(100)面等效的基板面上,从上层层叠有n型包层、i芯层以及p型包层,所述n型包层在倒置台面方向形成为脊状,在该n型包层上设有电容加载电极。

    半导体马赫-曾德尔型光调制器

    公开(公告)号:CN110573940B

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN201880026064.5

    申请日:2018-04-17

    Abstract: 本发明的半导体MZM具备:第一信号电极和第二信号电极,分别与第一臂波导和第二臂波导并联地形成;多个第一相位调制电极和第二相位调制电极,从第一信号电极和第二信号电极分支,分别沿第一信号电极和第二信号电极离散地设于第一臂波导和第二臂波导上;第一接地电极和第二接地电极,沿第一信号电极和第二信号电极并联地形成;以及多个连接配线,在多个点之间连接第一接地电极和第二接地电极,第一信号电极和第二信号电极被输入/输出差分信号,相邻的所述多个连接配线以在第一信号电极和第二信号电极中传输的信号的波长的1/4以下的间隔进行设置。

    半导体光调制元件
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107615140B

    公开(公告)日:2021-07-16

    申请号:CN201680031603.5

    申请日:2016-06-01

    Abstract: 本发明提供一种能作为超高速且电稳定性优异的调制器来使用的马赫‑策德尔型(MZ)半导体光调制元件。本发明的半导体光调制元件是通过对在光波导进行导波的光的折射率进行调制的折射率调制区域以及进行在该折射率调制区域分支的光的合分波的输入输出区域来进行光的调制的马赫‑策德尔型半导体光调制元件,其特征在于,所述光波导在折射率调制区域中,在与闪锌矿型半绝缘性的半导体晶体基板的(100)面等效的基板面上,从上层层叠有n型包层、i芯层以及p型包层,所述n型包层在倒置台面方向形成为脊状,在该n型包层上设有电容加载电极。

    半导体马赫-曾德尔型光调制器

    公开(公告)号:CN110573940A

    公开(公告)日:2019-12-13

    申请号:CN201880026064.5

    申请日:2018-04-17

    Abstract: 本发明的半导体MZM具备:第一信号电极和第二信号电极,分别与第一臂波导和第二臂波导并联地形成;多个第一相位调制电极和第二相位调制电极,从第一信号电极和第二信号电极分支,分别沿第一信号电极和第二信号电极离散地设于第一臂波导和第二臂波导上;第一接地电极和第二接地电极,沿第一信号电极和第二信号电极并联地形成;以及多个连接配线,在多个点之间连接第一接地电极和第二接地电极,第一信号电极和第二信号电极被输入/输出差分信号,相邻的所述多个连接配线以在第一信号电极和第二信号电极中传输的信号的波长的1/4以下的间隔进行设置。

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