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公开(公告)号：CN101290452B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200710143805.1
申请日：2004-07-30
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明提供小型激光光源，通过组合高效率的非线性光学晶体和高输出的光通信半导体激光器，可在尚未被半导体激光器实际应用的波长区域中自由地设计波长。在一个实施方式中，包括：第一激光器，产生波长λ1的激光；第二激光器，产生波长λ2的激光；非线性光学晶体，输入波长λ1和波长λ2的激光，输出相干光，该相干光具有1/λ1+1/λ2＝1/λ3关系的和频波长λ3，和频波长λ3为589.3±2nm，相当于钠D线。
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公开(公告)号：CN101241292A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710143806.6
申请日：2004-07-30
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明提供小型激光光源，通过组合高效率的非线性光学晶体和高输出的光通信半导体激光器，可在尚未被半导体激光器实际应用的波长区域中自由地设计波长。在一个实施方式中，包括：第一激光器，产生波长λ1的激光；第二激光器，产生波长λ2的激光；非线性光学晶体，输入波长λ1和波长λ2的激光，输出相干光，该相干光具有1/λ1+1/λ2＝1/λ3关系的和频波长λ3，和频波长λ3为589.3±2nm，相当于钠D线。
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公开(公告)号：CN101091136A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200680001609.4
申请日：2006-03-17
Applicant: 日本电信电话株式会社 , NTT电子股份有限公司
IPC: G02F1/37
CPC classification number: G02F1/3558
Abstract: 本发明提供一种变换效率高、制造成品率提高的周期分极反转结构的制造方法。所述方法用于在单畴化的二次非线性光学结晶(31)中制造周期分极反转结构，包括以下工序：在二次非线性光学结晶(31)的－Z面形成与分极反转周期一致的抗蚀图形(32)；以及将制造有抗蚀图形(32)的－Z面作为负电压、+Z面作为正电压来施加电压以在二次非线性光学结晶(31)中形成电场，其中，二次非线性光学结晶(31)含有弥补结晶缺陷的至少一种元素作为添加物。
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公开(公告)号：CN109690392B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201780056209.1
申请日：2017-09-13
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明提供一种通过构成在多个供电焊盘电极间具有晶闸管构造的附加电容，保护调制区域的pin结构造免受反向电压ESD影响的可靠性高的高速/低损耗半导体光调制元件。从基板面起依次层叠n型接触层(102)、n型包层(103)、非掺杂的芯层/包层(104)、p型包层(106)、p型接触层(107)。通过干式刻蚀形成马赫－增德尔干渉波导和多个供电焊盘设置部。除了马赫－增德尔干渉波导部的调制区域和形成有多个供电焊盘设置部的供电区域之外，去除n型接触层(102)以及n型包层(103)，使调制区域与供电区域下部的半导体电分离。多个供电焊盘形成于共同的n型接触层(102)以及n型包层(103)上，在供电焊盘间形成pinip结的晶闸管构造。
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公开(公告)号：CN101126884A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710143807.0
申请日：2004-07-30
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明提供小型激光光源，通过组合高效率的非线性光学晶体和高输出的光通信半导体激光器，可在尚未被半导体激光器实际应用的波长区域中自由地设计波长。在一个实施方式中，包括：第一激光器，产生波长λ1的激光；第二激光器，产生波长λ2的激光；非线性光学晶体，输入波长λ1和波长λ2的激光，输出相干光，该相干光具有1/λ1+1/λ2＝1/λ3关系的和频波长λ3，和频波长λ3为589.3±2nm，相当于钠D线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101241292B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200710143806.6
申请日：2004-07-30
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明提供小型激光光源，通过组合高效率的非线性光学晶体和高输出的光通信半导体激光器，可在尚未被半导体激光器实际应用的波长区域中自由地设计波长。在一个实施方式中，包括：第一激光器，产生波长λ1的激光；第二激光器，产生波长λ2的激光；非线性光学晶体，输入波长λ1和波长λ2的激光，输出相干光，该相干光具有1/λ1+1/λ2＝1/λ3关系的和频波长λ3，和频波长λ3为589.3±2nm，相当于钠D线。
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公开(公告)号：CN101290452A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200710143805.1
申请日：2004-07-30
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明提供小型激光光源，通过组合高效率的非线性光学晶体和高输出的光通信半导体激光器，可在尚未被半导体激光器实际应用的波长区域中自由地设计波长。在一个实施方式中，包括：第一激光器，产生波长λ1的激光；第二激光器，产生波长λ2的激光；非线性光学晶体，输入波长λ1和波长λ2的激光，输出相干光，该相干光具有1/λ1+1/λ2＝1/λ3关系的和频波长λ3，和频波长λ3为589.3±2nm，相当于钠D线。
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公开(公告)号：CN100362417C
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200480000959.X
申请日：2004-07-30
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明提供小型激光光源，通过组合高效率的非线性光学晶体和高输出的光通信半导体激光器，可在尚未被半导体激光器实际应用的波长区域中自由地设计波长。在一个实施方式中，包括：第一激光器，产生波长λ1的激光；第二激光器，产生波长λ2的激光；非线性光学晶体，输入波长λ1和波长λ2的激光，输出相干光，该相干光具有1/λ1+1/λ2＝1/λ3关系的和频波长λ3，和频波长λ3为589.3±2nm，相当于钠D线。
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公开(公告)号：CN109690392A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780056209.1
申请日：2017-09-13
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明提供一种通过构成在多个供电焊盘电极间具有晶闸管构造的附加电容，保护调制区域的pin结构造免受反向电压ESD影响的可靠性高的高速/低损耗半导体光调制元件。从基板面起依次层叠n型接触层(102)、n型包层(103)、非掺杂的芯层/包层(104)、p型包层(106)、p型接触层(107)。通过干式刻蚀形成马赫－增德尔干渉波导和多个供电焊盘设置部。除了马赫－增德尔干渉波导部的调制区域和形成有多个供电焊盘设置部的供电区域之外，去除n型接触层(102)以及n型包层(103)，使调制区域与供电区域下部的半导体电分离。多个供电焊盘形成于共同的n型接触层(102)以及n型包层(103)上，在供电焊盘间形成pinip结的晶闸管构造。
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公开(公告)号：CN100570462C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200710143807.0
申请日：2004-07-30
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明提供小型激光光源，通过组合高效率的非线性光学晶体和高输出的光通信半导体激光器，可在尚未被半导体激光器实际应用的波长区域中自由地设计波长。在一个实施方式中，包括：第一激光器，产生波长λ1的激光；第二激光器，产生波长λ2的激光；非线性光学晶体，输入波长λ1和波长λ2的激光，输出相干光，该相干光具有1/λ1+1/λ2＝1/λ3关系的和频波长λ3，和频波长λ3为589.3±2nm，相当于钠D线。
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