公开(公告)号：CN1357157A

公开(公告)日：2002-07-03

申请号：CN00809197.8

申请日：2000-06-21

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 冈林秀和 ,  藤井明子 ,  上野和良 ,  斋藤修一

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及包括铜或铜合金层的互连,其特征在于铜或铜合金的至少50%的晶粒形成孪晶。因此本发明的铜互连是高度可靠的,并且制造成本低。

公开(公告)号：CN1192426C

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN00809197.8

申请日：2000-06-21

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 冈林秀和 ,  藤井明子 ,  上野和良 ,  斋藤修一

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及铜层或铜合金层互连，其特征在于铜或铜合金的至少50%的晶粒形成孪晶，并且在铜或铜合金的孪晶中，共格地形成带有一个{111}面的孪晶间界。因此本发明的铜互连是高度可靠的，并且制造成本低。

公开(公告)号：CN1230015A

公开(公告)日：1999-09-29

申请号：CN99103174.1

申请日：1999-03-24

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 上野和良

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/283 ,  H01L21/205 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种利用热CVD反应在一个基片上淀积一层薄膜的半导体器件制造设备,其包括一个具有一个与基片或沉积于其上的薄膜相接触的电极端子的圆环,一个向该圆环的此电极端子加载电流或电势的电源,及一个用于上下移动该圆环以使其电极端子与该基片或淀积于其上的薄膜保持或中断接触的活塞缸机构。

公开(公告)号：CN1229274A

公开(公告)日：1999-09-22

申请号：CN99103122.9

申请日：1999-02-20

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 上野和良

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/76873 ,  C25D5/18 ,  C25D7/123 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877

Abstract: 通过防止在形成隐蔽布线时发生的任何磨蚀,布线设计的适应性得以提高。一个层间绝缘薄膜形成在一个硅衬底上,然后在层间绝缘薄膜中形成沟槽。此后,阻挡层被淀积在沟槽的侧表面和底表面上以及层间绝缘薄膜的整个表面上,一个铜籽晶层形成在阻挡层的整个表面上。采用铜籽晶层作为一个电极,进行喷镀,在沟槽及其周边区域上淀积镀铜层,镀铜层掩埋沟槽并且具有凸起的构形。然后,采用CMP方法,镀铜层的表面被抛光,直到层间绝缘薄膜暴露,从而形成隐蔽布线。