公开(公告)号：CN1100342C

公开(公告)日：2003-01-29

申请号：CN98119320.X

申请日：1998-09-11

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 林俊哉 ,  浜田耕治 ,  西尾直治 ,  三好康介 ,  斋藤修一

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L29/6609 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324

Abstract: 当制造半导体器件时，对半导体衬底进行高能离子注入。随后退火离子注入的半导体衬底，当通过以至少200℃/秒的直线上升速率从1000℃到1，200℃的温度加热衬底进行时，可以提供具有减小变化(σ/X)的较小漏电流的半导体器件。因此本发明提供一种半导体器件的制造工艺，当进行高能离子注入时，具有漏电流较小和漏电流变化减小的特点。

公开(公告)号：CN1385998A

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN02123124.9

申请日：2002-05-11

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 北村弘 ,  斋藤修一

IPC: H04M1/23

CPC classification number: H01H13/7006 ,  H01H2217/01 ,  H01H2221/002 ,  H01H2229/064 ,  H04M1/23 ,  H04M1/72519

Abstract: 提供一种不阻碍部件共用化、设计自由度的按键构造及其形成方法。在输入按钮(1)的底面上通过一体成型形成下推压力传动用突起部(2)和防塌用突起部(3),在突起部(2)的与突起部(3)相对的侧面上形成凹部(4)。因为强化了输入按钮(1)的刚性,因此即使在拱形开关(7)的动作中心线(12)和输入按钮的输入压中心线(11)不一致的情况下,也能在操作输入按钮(1)时,保证配置在基板(8)上的电极(9、10)的导通。

公开(公告)号：CN1367600A

公开(公告)日：2002-09-04

申请号：CN02106468.7

申请日：2002-01-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 北村弘 ,  斋藤修一

IPC: H04M1/22

CPC classification number: H04M1/22 ,  H01H13/702 ,  H01H2219/044 ,  H01H2219/05 ,  H01H2219/056 ,  H01H2219/064 ,  H01H2221/07 ,  H01H2231/022

Abstract: 在一种便携式电话中,包括多个用于输入各种指令的输入按钮(1),当所述多个输入按钮(1)中的任何一个被按动时发光的光发射元件(7),安装在所述多个输入按钮(1)下的扩散器(8),其散射发自光发射元件(7)的光,扩散器(8)包括一个入射部分(5),其具有一个位于接近光发射元件(7)的接收平面,并接收发自光发射元件(7)的光,和一个投射部分(6),其具有一个用于将通过入射部分(5)接收的光反射到多个输入按钮(1)的上侧的反射平面。

公开(公告)号：CN1357157A

公开(公告)日：2002-07-03

申请号：CN00809197.8

申请日：2000-06-21

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 冈林秀和 ,  藤井明子 ,  上野和良 ,  斋藤修一

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及包括铜或铜合金层的互连,其特征在于铜或铜合金的至少50%的晶粒形成孪晶。因此本发明的铜互连是高度可靠的,并且制造成本低。

公开(公告)号：CN1192426C

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN00809197.8

申请日：2000-06-21

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 冈林秀和 ,  藤井明子 ,  上野和良 ,  斋藤修一

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及铜层或铜合金层互连，其特征在于铜或铜合金的至少50%的晶粒形成孪晶，并且在铜或铜合金的孪晶中，共格地形成带有一个{111}面的孪晶间界。因此本发明的铜互连是高度可靠的，并且制造成本低。

公开(公告)号：CN1181661C

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN02123124.9

申请日：2002-05-11

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 北村弘 ,  斋藤修一

IPC: H04M1/23

CPC classification number: H01H13/7006 ,  H01H2217/01 ,  H01H2221/002 ,  H01H2229/064 ,  H04M1/23 ,  H04M1/72519

Abstract: 提供一种不阻碍部件共用化、设计自由度的按键构造及其形成方法。在输入按钮(1)的底面上通过一体成型形成下推压力传动用突起部(2)和防塌用突起部(3)，在突起部(2)的与突起部(3)相对的侧面上形成凹部(4)。因为强化了输入按钮(1)的刚性，因此即使在拱形开关(7)的动作中心线(12)和输入按钮的输入压中心线(11)不一致的情况下，也能在操作输入按钮(1)时，保证配置在基板(8)上的电极(9、10)的导通。

公开(公告)号：CN1211815A

公开(公告)日：1999-03-24

申请号：CN98119320.X

申请日：1998-09-11

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 林俊哉 ,  浜田耕治 ,  西尾直治 ,  三好康介 ,  斋藤修一

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/6609 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324

Abstract: 当制造半导体器件时,对半导体衬底进行高能离子注入。随后退火离子注入的半导体衬底,当通过以至少200℃/秒的直线上升速率从1000℃到1,200℃的温度加热衬底进行时,可以提供具有减小变化(σ/X)的较小漏电流的半导体器件。因此本发明提供一种半导体器件的制造工艺,当进行高能离子注入时,具有漏电流较小和漏电流变化减小的特点。

公开(公告)号：CN1219756A

公开(公告)日：1999-06-16

申请号：CN98122790.2

申请日：1998-12-03

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 峰地辉 ,  狮子口清一 ,  斋藤修一

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法,使形成带双漏结构的MOSFET的源/漏区的浅外延成为可能。在步骤(a)中形成栅极;在步骤(b)中,将第二导电型的掺杂物离子注入衬底中,形成第一和第二掺杂区。在步骤(c)中,形成一对侧壁间隔层;在步骤(d)中,将第二导电型的掺杂物离子注入衬底中,形成第三和第四掺杂区;在步骤(e)中,对衬底进行退火处理,从而用第一和第三掺杂区构成具有双漏结构的一对源/漏区中的一个,用第二和第四掺杂区构成源/漏区中的另一个。

公开(公告)号：CN1190939C

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN02106468.7

申请日：2002-01-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 北村弘 ,  斋藤修一

IPC: H04M1/22

CPC classification number: H04M1/22 ,  H01H13/702 ,  H01H2219/044 ,  H01H2219/05 ,  H01H2219/056 ,  H01H2219/064 ,  H01H2221/07 ,  H01H2231/022

Abstract: 在一种便携式电话中，包括多个用于输入各种指令的输入按钮(1)，当所述多个输入按钮(1)中的任何一个被按动时发光的光发射元件(7)，安装在所述多个输入按钮(1)下的扩散器(8)，其散射发自光发射元件(7)的光，扩散器(8)包括一个入射部分(5)，其具有一个位于接近光发射元件(7)的接收平面，并接收发自光发射元件(7)的光，和一个投射部分(6)，其具有一个用于将通过入射部分(5)接收的光反射到相应输入按钮(1)的上侧的反射平面；其中所述入射部分设置为：在按钮之下、入射来自所述光发射元件的光直接形成在所述光发射元件相对的按钮面上，并且所述投射部分设置为：在按钮之下、反射来自所述入射部分的光以预定投射角度投射在远离所述光发射元件的按钮面上。