公开(公告)号：CN1218283A

公开(公告)日：1999-06-02

申请号：CN98125138.2

申请日：1998-11-26

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 狮子口清一 ,  安永友子

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4941

Abstract: 一种制造带有IGFET的半导体器件的制造方法,它可以降低由于栅电极与IGFET的源/漏区之间通过淀积在其电介侧壁上的导电颗粒引起的电流泄露。在形成IGFET的基本结构后,分别在第一和第二源/漏区上形成第一和第二单晶硅外延层。接着,使第一和第二单晶硅外延层的表面区域氧化,并且通过腐蚀除去。如果,有多余的多晶硅颗粒生长在第一和第二电介侧壁上。则该多余的颗粒被氧化并除去,从而防止短路的发生。

公开(公告)号：CN1107344C

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN98125138.2

申请日：1998-11-26

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 狮子口清一 ,  安永友子

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4941

Abstract: 一种制造带有IGFET的半导体器件的制造方法，它可以降低由于栅电极与IGFET的源/漏区之间通过淀积在其电介质侧壁上的导电颗粒引起的电流泄露。在形成IGFET的基本结构后，分别在第一和第二源/漏区上形成第一和第二单晶硅外延层。接着，使第一和第二单晶硅外延层的表面区域氧化，并且通过腐蚀除去。如果，有多余的多晶硅颗粒生长在第一和第二电介质侧壁上。则该多余的颗粒被氧化并除去，从而防止短路的发生。

公开(公告)号：CN1227965A

公开(公告)日：1999-09-08

申请号：CN99102721.3

申请日：1999-03-04

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 安永友子

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/425

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/31662 ,  Y10S438/92

Abstract: 本发明公开了具有含有杂质扩散层的硅衬底的半导体器件的制造方法，其包括以下步骤：在等于或低于3keV的加速电压下，通过厚度等于或小于2.5nm的氧化硅膜向硅衬底中掺杂杂质，氧化硅膜形成在硅衬底上，并对留有氧化膜的硅衬底退火。