公开(公告)号：CN1218283A

公开(公告)日：1999-06-02

申请号：CN98125138.2

申请日：1998-11-26

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 狮子口清一 ,  安永友子

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4941

Abstract: 一种制造带有IGFET的半导体器件的制造方法,它可以降低由于栅电极与IGFET的源/漏区之间通过淀积在其电介侧壁上的导电颗粒引起的电流泄露。在形成IGFET的基本结构后,分别在第一和第二源/漏区上形成第一和第二单晶硅外延层。接着,使第一和第二单晶硅外延层的表面区域氧化,并且通过腐蚀除去。如果,有多余的多晶硅颗粒生长在第一和第二电介侧壁上。则该多余的颗粒被氧化并除去,从而防止短路的发生。

公开(公告)号：CN1107344C

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN98125138.2

申请日：1998-11-26

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 狮子口清一 ,  安永友子

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4941

Abstract: 一种制造带有IGFET的半导体器件的制造方法，它可以降低由于栅电极与IGFET的源/漏区之间通过淀积在其电介质侧壁上的导电颗粒引起的电流泄露。在形成IGFET的基本结构后，分别在第一和第二源/漏区上形成第一和第二单晶硅外延层。接着，使第一和第二单晶硅外延层的表面区域氧化，并且通过腐蚀除去。如果，有多余的多晶硅颗粒生长在第一和第二电介质侧壁上。则该多余的颗粒被氧化并除去，从而防止短路的发生。

公开(公告)号：CN1219756A

公开(公告)日：1999-06-16

申请号：CN98122790.2

申请日：1998-12-03

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 峰地辉 ,  狮子口清一 ,  斋藤修一

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法,使形成带双漏结构的MOSFET的源/漏区的浅外延成为可能。在步骤(a)中形成栅极;在步骤(b)中,将第二导电型的掺杂物离子注入衬底中,形成第一和第二掺杂区。在步骤(c)中,形成一对侧壁间隔层;在步骤(d)中,将第二导电型的掺杂物离子注入衬底中,形成第三和第四掺杂区;在步骤(e)中,对衬底进行退火处理,从而用第一和第三掺杂区构成具有双漏结构的一对源/漏区中的一个,用第二和第四掺杂区构成源/漏区中的另一个。