公开(公告)号：CN100422746C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200480010334.1

申请日：2004-04-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 谷冈道修 ,  服部敦夫

IPC: G01R1/073

CPC classification number: G01R1/07342 ,  G01R1/06727

Abstract: 以往的晶片检查用探测器，在40μm间距以下的细微间距的情况下，根据构成材料与制造方法，存在很难确保位置精度、因针径细微导致接触时产生针破坏、因接触力不足而无法得到良好的接触、以及耐久性不足的问题。为了解决这些问题，本发明中的检查探测器，为由：具备有弹性的探针(3)与布线层(5)的基材(4)、设置基材的支持板(7)、检查基板(8)、以及有柔软性的基板(6)构成的探测器结构，其特征在于，具有探针前端上根据半导体装置的电极材料形成接触性良好的材料层(10)、布线层上形成低电阻金属层(9)的结构，且接触性良好的材料层与低电阻金属层相分离。通过该构造，在40μm间距以下的超细微间距中，能够得到非常高的接触可靠性与机械耐久性。

公开(公告)号：CN1774638A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200480010334.1

申请日：2004-04-15

Applicant: 日本电气株式会社 ,  雅马哈株式会社

Inventor： 谷冈道修 ,  服部敦夫

IPC: G01R1/073

CPC classification number: G01R1/07342 ,  G01R1/06727

Abstract: 以往的晶片检查用探测器，在40μm间距以下的细微间距的情况下，根据构成材料与制造方法，存在很难确保位置精度、因针径细微导致接触时产生针破坏、因接触力不足而无法得到良好的接触、以及耐久性不足的问题。为了解决这些问题，本发明中的检查探测器，为由：具备有弹性的探针(3)与布线层(5)的基材(4)、设置基材的支持板(7)、检查基板(8)、以及有柔软性的基板(6)构成的探测器结构，其特征在于，具有探针前端上根据半导体装置的电极材料形成接触性良好的材料层(10)、布线层上形成低电阻金属层(9)的结构，且接触性良好的材料层与低电阻金属层相分离。通过该构造，在40μm间距以下的超细微间距中，能够得到非常高的接触可靠性与机械耐久性。