公开(公告)号：CN100568502C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200680032639.1

申请日：2006-05-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 星野茂树 ,  谷冈道修 ,  田浦彻

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/822 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L23/645 ,  H01F17/0013 ,  H01F41/046 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/48 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/50 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 多个LSI芯片(1)堆叠在内插器(2)上。用于信号传输的信号线圈(1b)形成在利用硅基板(1a)形成的LSI芯片(1)的电路形成表面上。该信号线圈(1b)连接到形成在LSI芯片(1)中的电路。通孔(1d)形成在硅基板(1a)的信号线圈(1b)的中心。借助直通导体(2d)连接到焊球(5)的信号线圈(2c)形成在内插器(2)上。由磁性材料制成的磁性引脚(3)被插入到该信号线圈(1b和2c)的中心。

公开(公告)号：CN101258416A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200680032909.9

申请日：2006-07-19

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 谷冈道修 ,  星野茂树 ,  田浦彻

IPC: G01R31/312 ,  G01R1/067

CPC classification number: G01R31/2886 ,  G01R1/06711 ,  G01R3/00 ,  G01R31/3025

Abstract: 根据本发明的半导体器件测试装置具有测试LSI；供电单元；和用于连接测试LSI、供电单元和测试器的中间基板。测试LSI具有测试电路和波形整形电路；介电材料层，其被设置成面对待测试的半导体器件；电极，其被设置在属于介电材料层、并且面对待测试的半导体器件的平面上，与待测试半导体器件的外部端子电极的位置对应的位置中；和第一穿透电极，其穿过介电材料层，连接到电极，用于与外部之间发送和接收信号。供电单元具有独立的弹性探针，该弹性探针被设置在与待测试半导体器件的电源电极对应的位置中，并且在其末端处提供有金属突起；基板材料，其被电连接到探针且具有第一布线层；和穿过该基板的第二穿透电极。

公开(公告)号：CN101258596A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200680032639.1

申请日：2006-05-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 星野茂树 ,  谷冈道修 ,  田浦彻

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/822 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L23/645 ,  H01F17/0013 ,  H01F41/046 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/48 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/50 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 多个LSI芯片(1)堆叠在内插器(2)上。用于信号传输的信号线圈(1b)形成在利用硅基板(1a)形成的LSI芯片(1)的电路形成表面上。该信号线圈(1b)连接到形成在LSI芯片(1)中的电路。通孔(1d)形成在硅基板(1a)的信号线圈(1b)的中心。借助直通导体(2d)连接到焊球(5)的信号线圈(2c)形成在内插器(2)上。由磁性材料制成的磁性引脚(3)被插入到该信号线圈(1b和2c)的中心。

公开(公告)号：CN100422746C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200480010334.1

申请日：2004-04-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 谷冈道修 ,  服部敦夫

IPC: G01R1/073

CPC classification number: G01R1/07342 ,  G01R1/06727

Abstract: 以往的晶片检查用探测器，在40μm间距以下的细微间距的情况下，根据构成材料与制造方法，存在很难确保位置精度、因针径细微导致接触时产生针破坏、因接触力不足而无法得到良好的接触、以及耐久性不足的问题。为了解决这些问题，本发明中的检查探测器，为由：具备有弹性的探针(3)与布线层(5)的基材(4)、设置基材的支持板(7)、检查基板(8)、以及有柔软性的基板(6)构成的探测器结构，其特征在于，具有探针前端上根据半导体装置的电极材料形成接触性良好的材料层(10)、布线层上形成低电阻金属层(9)的结构，且接触性良好的材料层与低电阻金属层相分离。通过该构造，在40μm间距以下的超细微间距中，能够得到非常高的接触可靠性与机械耐久性。

公开(公告)号：CN1774638A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200480010334.1

申请日：2004-04-15

Applicant: 日本电气株式会社 ,  雅马哈株式会社

Inventor： 谷冈道修 ,  服部敦夫

IPC: G01R1/073

CPC classification number: G01R1/07342 ,  G01R1/06727

Abstract: 以往的晶片检查用探测器，在40μm间距以下的细微间距的情况下，根据构成材料与制造方法，存在很难确保位置精度、因针径细微导致接触时产生针破坏、因接触力不足而无法得到良好的接触、以及耐久性不足的问题。为了解决这些问题，本发明中的检查探测器，为由：具备有弹性的探针(3)与布线层(5)的基材(4)、设置基材的支持板(7)、检查基板(8)、以及有柔软性的基板(6)构成的探测器结构，其特征在于，具有探针前端上根据半导体装置的电极材料形成接触性良好的材料层(10)、布线层上形成低电阻金属层(9)的结构，且接触性良好的材料层与低电阻金属层相分离。通过该构造，在40μm间距以下的超细微间距中，能够得到非常高的接触可靠性与机械耐久性。