公开(公告)号：CN1100342C

公开(公告)日：2003-01-29

申请号：CN98119320.X

申请日：1998-09-11

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 林俊哉 ,  浜田耕治 ,  西尾直治 ,  三好康介 ,  斋藤修一

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L29/6609 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324

Abstract: 当制造半导体器件时，对半导体衬底进行高能离子注入。随后退火离子注入的半导体衬底，当通过以至少200℃/秒的直线上升速率从1000℃到1，200℃的温度加热衬底进行时，可以提供具有减小变化(σ/X)的较小漏电流的半导体器件。因此本发明提供一种半导体器件的制造工艺，当进行高能离子注入时，具有漏电流较小和漏电流变化减小的特点。

公开(公告)号：CN1211815A

公开(公告)日：1999-03-24

申请号：CN98119320.X

申请日：1998-09-11

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 林俊哉 ,  浜田耕治 ,  西尾直治 ,  三好康介 ,  斋藤修一

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/6609 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324

Abstract: 当制造半导体器件时,对半导体衬底进行高能离子注入。随后退火离子注入的半导体衬底,当通过以至少200℃/秒的直线上升速率从1000℃到1,200℃的温度加热衬底进行时,可以提供具有减小变化(σ/X)的较小漏电流的半导体器件。因此本发明提供一种半导体器件的制造工艺,当进行高能离子注入时,具有漏电流较小和漏电流变化减小的特点。