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公开(公告)号：CN102224535A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200980128840.3
申请日：2009-03-27
IPC: G09F9/00 , G02F1/13 , G02F1/1333 , G09F9/33
CPC classification number: G02F1/133305 , G02F1/1362 , H01L27/1218
Abstract: (课题)能够进行平板显示器的大量生产，并且保管、搬运容易且便宜。(解决手段)一种与塑料基板对置并进行组合从而用于做出平板显示器的薄膜半导体基板，由具有薄膜半导体阵列(3)的单板状的绝缘基板(4)在纵长状的塑料膜(2)上连续贴合而得到。一种制造用于与塑料基板对置并进行组合从而做出平板显示器的薄膜半导体基板的装置，具有：贴合部(20)，将贴合有用于保护薄膜半导体阵列(3)的保护膜(5)的单板状的绝缘基板(4)在纵长状的塑料膜(2)上进行连续贴合；剥离部(30)，通过加热或者紫外线照射将保护膜(5)剥离；层压部(40)，在纵长状的塑料膜(2)上层压纵长状的保护膜(6)来保护薄膜半导体阵列(3)；和卷绕部(50)，将层压有纵长状的保护膜(6)的纵长状的塑料膜(2)卷绕为辊状。
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公开(公告)号：CN1690820A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510065778.1
申请日：2005-04-15
Applicant: 日本电气株式会社 , 长濑产业株式会社 , 三和FROST工业株式会社
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L29/78603 , Y10T156/1052
Abstract: 在柔性器件制造方法中，当保护材料被粘至基片表面时，粘合仅在基片的一部分上执行。因为被粘附在基片的所述部分，所以保护材料容易被剥离。结果，剥离所需时间被减少，剥离过程中可能发生的器件破碎可被防止。
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公开(公告)号：CN100529871C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200710005352.6
申请日：2004-01-09
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 竹知和重
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1335 , H01L21/00
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L2924/0002 , H05K1/0393 , H05K3/002 , H05K3/0058 , Y10T428/1014 , Y10T428/1086 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种散热性和刚性优良的柔性电子器件的制造方法。保护膜粘附到在表面上形成有薄膜器件的衬底表面上。接着，基板浸在蚀刻溶液中以从它的背面蚀刻，从而使基板的剩余厚度落在大于0μm并且不大于20μm的范围内。然后，柔性膜粘附到基板的蚀刻表面上，此后剥离保护膜以制备柔性电子器件。
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公开(公告)号：CN101740635A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910222829.5
申请日：2009-11-19
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/428
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969
Abstract: 本发明提供一种薄膜器件及其制造方法。以优良的再生性和良率，在廉价的玻璃基板或轻质且具有柔性的诸如PET的树脂基板上形成具有优良特性的氧化物半导体TFT，该TFT可以用作显示器的驱动元件。通过向氧化物半导体照射脉冲光，可以在玻璃基板或诸如PET的树脂基板上形成质量优良的氧化物半导体膜。这使得可以以优良的再生性和良率制造出具有优良特性的薄膜器件。
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公开(公告)号：CN100370348C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200410001654.2
申请日：2004-01-09
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 竹知和重
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L2924/0002 , H05K1/0393 , H05K3/002 , H05K3/0058 , Y10T428/1014 , Y10T428/1086 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种散热性和刚性优良的柔性电子器件以及低成本和满意再现性地制造这些器件的方法。保护膜粘附到在表面上形成有由硅和硅氧化物构成的薄膜器件的衬底表面上。接着，玻璃基板浸在蚀刻溶液中以从它的背面蚀刻，从而使玻璃基板的剩余厚度落在大于0μm并且不大于200μm的范围内。然后，柔性膜粘附到玻璃基板的蚀刻表面上，此后剥离保护膜以制备柔性电子器件。所述柔性膜具有高于0.01W/cm·deg的导热率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101025502A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710005352.6
申请日：2004-01-09
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 竹知和重
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1335 , H01L21/00
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L2924/0002 , H05K1/0393 , H05K3/002 , H05K3/0058 , Y10T428/1014 , Y10T428/1086 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种散热性和刚性优良的柔性电子器件的制造方法。保护膜粘附到在表面上形成有薄膜器件的衬底表面上。接着，基板浸在蚀刻溶液中以从它的背面蚀刻，从而使基板的剩余厚度落在大于0μm并且不大于20μm的范围内。然后，柔性膜粘附到基板的蚀刻表面上，此后剥离保护膜以制备柔性电子器件。
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公开(公告)号：CN1517749A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410001654.2
申请日：2004-01-09
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 竹知和重
IPC: G02F1/13 , G02F1/1333 , G02F1/1339
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L2924/0002 , H05K1/0393 , H05K3/002 , H05K3/0058 , Y10T428/1014 , Y10T428/1086 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种散热性和刚性优良的柔性电子器件以及低成本和满意再现性地制造这些器件的方法。保护膜粘附到在表面上形成有薄膜器件的衬底表面上。接着，基板浸在蚀刻溶液中以从它的背面蚀刻，从而使基板的剩余厚度落在大于0μm并且不大于20μm的范围内。然后，柔性膜粘附到基板的蚀刻表面上，此后剥离保护膜以制备柔性电子器件。
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公开(公告)号：CN102742015A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180007980.2
申请日：2011-02-01
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L21/368
CPC classification number: C23C14/086 , H01L21/02422 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管，其将无定形氧化物薄膜用于有源层，其中：所述无定形氧化物薄膜包含如下作为主要成分：铟(In)、氧(O)和金属元素(M)，其选自硅(Si)、铝(Al)、锗(Ge)、钽(Ta)、镁(Mg)和钛(Ti)；在该无定形氧化物薄膜中M对In的原子比为0.1以上且0.4以下；且在所述无定形氧化物薄膜中载流子密度为1×1015cm-3以上且1×1019cm-3以下。
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公开(公告)号：CN1691342B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200510067677.8
申请日：2005-04-25
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/8238 , H01L21/786 , B42D15/10 , G06K19/00 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L27/1274 , H01L24/18 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1266 , H01L29/78603 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 通过利用非晶半导体薄膜或通过激光退火而被结晶化的多晶或单晶半导体薄膜来在柔性基板上形成集成电路。将多个这种柔性集成电路板安装在分离的支撑基板上。这提高了诸如IC卡和液晶显示器的器件的机械强度，并允许以低成本制造这些器件。还能够提供具有较高性能的半导体器件，在其上，由硅和/或玻璃晶片制造柔性集成电路板和IC芯片。将诸如金属的具有高导热系数的膜基板粘附到柔性集成电路板的底部侧面，提高了集成电路的散热特性并抑制了自热问题。
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公开(公告)号：CN1691342A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510067677.8
申请日：2005-04-25
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/8238 , H01L21/786 , B42D15/10 , G06K19/00 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L27/1274 , H01L24/18 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1266 , H01L29/78603 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 通过利用非晶半导体薄膜或通过激光退火而被结晶化的多晶或单晶半导体薄膜来在柔性基板上形成集成电路。将多个这种柔性集成电路板安装在分离的支撑基板上。这提高了诸如IC卡和液晶显示器的器件的机械强度，并允许以低成本制造这些器件。还能够提供具有较高性能的半导体器件，在其上，由硅和/或玻璃晶片制造柔性集成电路板和IC芯片。将诸如金属的具有高导热系数的膜基板粘附到柔性集成电路板的底部侧面，提高了集成电路的散热特性并抑制了自热问题。
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