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公开(公告)号：CN101641622B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200880009101.8
申请日：2008-03-07
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: G02B6/1228 , G02B6/305
Abstract: 本发明涉及光波导和使用该光波导的光斑尺寸转换器。光波导包括平板衬底、设在衬底上的下包层及设在下包层上允许光通过的芯层。光波导设有第一和第二光波导。第一光波导具有下包层上的第一芯层并设置为沿光传播方向延伸到第一位置。第二光波导具有下包层上的第二芯层并设置为沿光传播方向延伸到第二位置，其相对折射率差比第一光波导更低。在第一与第二位置之间，第一和第二光波导形成层构造，第一和第二芯层在垂直于衬底的方向上相距预定间隔。第一或第二光波导中至少一者具有模耦合部和模转换部。模耦合部包括在第一与第二位置之间将第一与第二芯层耦合的定向耦合器。模转换部连接到模耦合部并包括将第一芯层和第二芯层的模直径对齐的锥形芯层。
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公开(公告)号：CN1659469A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03813268.0
申请日：2003-06-27
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 高桥森生
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/011 , G02F1/0147 , G02F2203/50
Abstract: 在本发明的一个方面中，热光移相器包括衬底、热源、直接或间接位于衬底上的包层，在对应于热源的部分中离开衬底和包层形成的光波导包层，以及在桥部分包层内提供的芯层。光波导包层与除了热源对应部分的移相器的部分中的包层连接。光波导包层和芯层形成热源对应部分中的光波导。热源提供在离开热源对应部分中的芯层的光波导的内部或外部，并且产生热以改变光波导中传播的光信号的相位。
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公开(公告)号：CN105829932A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480069140.2
申请日：2014-12-12
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 高桥森生
Abstract: 将半导体电子电路加工技术原样地应用于制造半导体光波导使得难以获得具有反映预期设计的期望特性的半导体光波导。本发明的特征在于包括：衬底；半导体光波导结构，在所述衬底上布置；平坦区域，在衬底上的半导体光波导结构的周围形成；和半导体虚拟结构，在衬底上的平坦区域的周围布置，并且由多个虚拟图案形成。本发明的特征还在于，该半导体光波导结构在平行于衬底的平面中包含线对称图案并且该多个虚拟图案被布置成关于所述线对称图案的对称轴是对称的。
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公开(公告)号：CN101529312A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780038861.7
申请日：2007-10-10
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 高桥森生
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/0147
Abstract: 根据本发明示例性方面的一种热光移相器(200)，包括：衬底(201)；形成在该衬底(201)上的牺牲层(202)；形成在该牺牲层(202)上的第一包覆层(203)，该第一包覆层(203)的薄膜密度高于该牺牲层(202)的薄膜密度；形成在该第一包覆层(203)上的光波导芯(204)；设在该第一包覆层(203)之上以覆盖该光波导芯(204)的第二包覆层(205)；设于直接位于该光波导芯(204)的该第二包覆层(205)的一个区域内的热生成加热器(206)；和形成在该光波导芯(204)侧面区域中的凹槽(207)，所述凹槽(207)从该第二包覆层(205)的表面延伸至该衬底(201)的表面。
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公开(公告)号：CN108700709A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780015235.X
申请日：2017-01-23
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 高桥森生
CPC classification number: G02B6/1228 , G02B6/125 , G02B6/2813 , G02B6/29352 , G02B2006/1215 , G02B2006/12159 , G02B2006/12164
Abstract: 提供了一种解决分光比的稳定性低的问题的光分路回路。光分路单元(201)对输入光束进行分路。臂波导(202、203)各自传播由光分路单元(201)分路的光，并且具有其宽度沿着光传播方向变窄的锥形结构，该锥形结构的锥角彼此不同。光复用器(204)对来自臂波导(202、203)的光进行复用并输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101641622A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200880009101.8
申请日：2008-03-07
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: G02B6/1228 , G02B6/305
Abstract: 本发明涉及光波导和使用该光波导的光斑尺寸转换器。光波导包括平板衬底、设在衬底上的下包层及设在下包层上允许光通过的芯层。光波导设有第一和第二光波导。第一光波导具有下包层上的第一芯层并设置为沿光传播方向延伸到第一位置。第二光波导具有下包层上的第二芯层并设置为沿光传播方向延伸到第二位置，其相对折射率差比第一光波导更低。在第一与第二位置之间，第一和第二光波导形成层构造，第一和第二芯层在垂直于衬底的方向上相距预定间隔。第一或第二光波导中至少一者具有模耦合部和模转换部。模耦合部包括在第一与第二位置之间将第一与第二芯层耦合的定向耦合器。模转换部连接到模耦合部并包括将第一芯层和第二芯层的模直径对齐的锥形芯层。
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公开(公告)号：CN100338503C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200410096240.2
申请日：2004-11-25
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 高桥森生
CPC classification number: G02F1/0147 , G02F1/225
Abstract: 在具有多个马赫-策德尔干涉仪的马赫-策德尔干涉仪型光电路中，在马赫-策德尔干涉仪a和b之间，提供了多个凹槽27(a-b)1、27(a-b)2和吸热墙28(a-b)。由于由位于马赫-策德尔干涉仪a的波导臂上的温度控制设备25a所产生的热量被吸热墙28(a-b)所吸收，因此由施加在马赫-策德尔干涉仪b上的热干扰所造成的影响得到抑制。
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公开(公告)号：CN105829932B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201480069140.2
申请日：2014-12-12
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 高桥森生
Abstract: 将半导体电子电路加工技术原样地应用于制造半导体光波导使得难以获得具有反映预期设计的期望特性的半导体光波导。本发明的特征在于包括：衬底；半导体光波导结构，在所述衬底上布置；平坦区域，在衬底上的半导体光波导结构的周围形成；和半导体虚拟结构，在衬底上的平坦区域的周围布置，并且由多个虚拟图案形成。本发明的特征还在于，该半导体光波导结构在平行于衬底的平面中包含线对称图案并且该多个虚拟图案被布置成关于所述线对称图案的对称轴是对称的。
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公开(公告)号：CN105849606A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480070563.6
申请日：2014-12-12
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 高桥森生
CPC classification number: G02B6/122 , G02B6/126 , G02B6/134 , G02B6/136 , G02B2006/12061 , G02B2006/12097 , H01S5/021 , H01S5/0261 , H01S5/068 , H01S5/1032 , H01S5/1071 , H01S5/142
Abstract: 本发明提供一种光学波导元件和一种用于制造光学波导元件的方法，这使得在降低制造所述光学波导元件的成本时可靠地消除影响主信号光的杂散光成为可能。所述光学波导元件的特征在于具有硅层和位于所述硅层上方和下方的二氧化硅层。这个光学波导元件的特征还在于，硅层包含脊形波导和位于距所述脊形波导至少规定距离处的杂质注入区域。
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公开(公告)号：CN100392476C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN03813268.0
申请日：2003-06-27
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 高桥森生
CPC classification number: G02F1/011 , G02F1/0147 , G02F2203/50
Abstract: 在本发明的一个方面中，热光移相器包括衬底、热源、直接或间接位于衬底上的包层，在对应于热源的部分中离开衬底和包层形成的光波导包层，以及在桥部分包层内提供的芯层。光波导包层与除了热源对应部分的移相器的部分中的包层连接。光波导包层和芯层形成热源对应部分中的光波导。热源提供在离开热源对应部分中的芯层的光波导的内部或外部，并且产生热以改变光波导中传播的光信号的相位。
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