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公开(公告)号:CN103975654A
公开(公告)日:2014-08-06
申请号:CN201280060112.5
申请日:2012-08-13
Applicant: 日本石原化学株式会社 , 应用纳米技术控股股份有限公司
CPC classification number: H05K1/092 , C09D11/52 , H05K1/0306 , H05K1/032 , H05K1/0346 , H05K1/0366 , H05K1/05 , H05K1/097 , H05K3/108 , H05K3/1283 , H05K3/185 , H05K3/241 , H05K3/246 , H05K3/381 , H05K2201/0129 , H05K2201/0145 , H05K2201/2072 , H05K2203/1105
Abstract: 本发明的目的是提供一种导电膜形成方法,该方法通过利用光烧结甚至在基底材料具有低耐热性时也可以在基底材料上形成具有低电阻的导电膜。导电膜形成方法是在基底材料1上形成导电膜2的方法,并且该方法包括以下步骤:在基底材料上形成由铜微粒4构成的膜3b,对膜3b进行光烧结,以及对经光烧结的膜3c实施镀敷。藉此通过降低光烧结过程中的光照射能量甚至在基底材料1具有低耐热性时也可以在基底材料1上形成导电膜2。由于导电膜2包括镀层21,因此电阻降低。
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公开(公告)号:CN104303609A
公开(公告)日:2015-01-21
申请号:CN201380025631.2
申请日:2013-02-28
Applicant: 日本石原化学株式会社
CPC classification number: H05K3/38 , H05K1/0296 , H05K1/0313 , H05K1/097 , H05K3/245 , H05K3/246 , H05K3/386 , H05K2201/0129 , H05K2201/0137 , H05K2201/0154 , H05K2201/032 , H05K2203/1126 , H05K2203/1131 , Y10T29/49163
Abstract: 在通过光烧结铜颗粒组成的膜形成的导电膜中,改善该导电膜对基底材料的粘合性。电路板1包括包含导电膜2的电路,以及基板3。该电路板1进一步包括在基板3与导电膜2之间的树脂层4。该基板3由非热塑性基底材料31制成。该树脂层4含有热塑性树脂。该导电膜2通过光烧结铜颗粒21组成的膜形成,并由此通过树脂层4改善导电膜2对基底材料31的粘合性。
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公开(公告)号:CN115298269A
公开(公告)日:2022-11-04
申请号:CN202180021070.3
申请日:2021-01-14
Applicant: 日本石原化学株式会社
IPC: C09D11/023 , C09D17/00 , C09D11/033 , C09D11/08 , C09D11/52 , H01B1/22 , H01B13/00 , C09C1/66
Abstract: 一种用于通过烧制形成导电膜的铜墨,该铜墨可通过丝网印刷在基材上印刷并形成具有降低的电阻的导电膜。该铜墨用于在甲酸气氛中进行烧制,并且包括:铜细颗粒;含有铜细颗粒的分散介质;分散剂,其将铜细颗粒分散在分散介质中。铜细颗粒包括中值直径为10‑100nm的那些。分散介质包括具有羟基的有机溶剂。分散剂是聚合物。
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