晶片保持台
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111684579B

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN201980011405.6

    申请日:2019-02-27

    Abstract: 晶片保持台10在陶瓷制的静电卡盘12与金属制的冷却板14之间,具备具有预定的热阻的树脂层15、以及杨氏模量比该树脂层15低的应力缓和层16。树脂层15设置于静电卡盘侧,应力缓和层16设置于冷却板侧。树脂层15是层叠有多片树脂片的多层结构。树脂层15的厚度比由与树脂片相同的材料制作且具有与树脂层15相同的热阻的单层结构的比较对象样品的厚度薄。

    晶片保持台
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111684579A

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN201980011405.6

    申请日:2019-02-27

    Abstract: 晶片保持台10在陶瓷制的静电卡盘12与金属制的冷却板14之间,具备具有预定的热阻的树脂层15、以及杨氏模量比该树脂层15低的应力缓和层16。树脂层15设置于静电卡盘侧,应力缓和层16设置于冷却板侧。树脂层15是层叠有多片树脂片的多层结构。树脂层15的厚度比由与树脂片相同的材料制作且具有与树脂层15相同的热阻的单层结构的比较对象样品的厚度薄。

    晶片保持台及其制法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105580129B

    公开(公告)日:2018-10-02

    申请号:CN201580001957.0

    申请日:2015-09-04

    Abstract: 本发明提供晶片保持台(10),其在陶瓷制的静电卡盘(12)与金属制的冷却板(14)之间具备树脂制的粘接层(16)。粘接层(16)包含与静电卡盘(12)接触的第一层(16a)、与冷却板(14)接触的第二层(16b)、以及位于第一层(16a)和第二层(16b)之间的中间层(16c)。第一层(16a)和中间层(16c)的耐热性比第二层(16b)的耐热性高,第二层(16b)的柔软性比第一层(16a)和中间层(16c)的柔软性高,各层气密地接触。

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