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公开(公告)号：CN101375376B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200780003934.9
申请日：2007-01-31
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供一种在使层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜或配线间的绝缘膜层平坦化的CMP技术中，能够高效并且高速地进行SiO2膜或SiOC膜等绝缘膜研磨的绝缘膜研磨用CMP研磨剂，使用该研磨剂进行研磨的方法以及通过该研磨方法进行研磨的半导体电子部件。含有氧化铈粒子、分散剂、侧链上具有氨基的水溶性高分子和水的绝缘膜研磨用CMP研磨剂，使用该研磨剂进行研磨的研磨方法，以及通过该研磨方法进行研磨的半导体电子部件。
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公开(公告)号：CN101333418A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810146155.0
申请日：2005-09-27
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02
Abstract: 本发明的CMP抛光剂，含有氧化铈粒子、水、以及由甲基丙烯酸及其盐中的至少一方聚合而成的聚合物、以及/或者由甲基丙烯酸及其盐中的至少一方与具有不饱和双键的单体聚合而成的聚合物，优选的是，还含有分散剂或由甲基丙烯酸及其盐类的至少一种与具有不饱和键的单体聚合而得到的聚合物。这样，抛光后的被抛光膜的、由图案密度差所造成的残膜厚差比较小。
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公开(公告)号：CN100377310C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200480003202.6
申请日：2004-01-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供了一种CMP研磨剂以及研磨方法，其中CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，所述水溶性高分子为具有由丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺以及它们的α-取代化合物所构成的组中的任一种的N-单取代化合物骨架或N，N-二取代化合物骨架的化合物。其中相对研磨剂100重量份，水溶性高分子优选为0.01～10重量份。从而，在平坦化层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽分离用绝缘膜等的CMP技术中，能够有效、高速地研磨，且操作管理也能容易地进行。
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公开(公告)号：CN102766407A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210212508.9
申请日：2009-04-22
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/3105
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , H01L21/31053 , H01L21/31055 , H01L21/76224
Abstract: 本发明提供一种研磨剂及使用该研磨剂的基板研磨方法。本发明涉及含有水、4价金属氢氧化物粒子及添加剂的研磨剂，该添加剂含有阳离子性的聚合物和阳离子性的多糖类中的至少一者。本发明提供一种在使绝缘膜平坦化的CMP技术中可以高速且低研磨损伤地研磨绝缘膜、且氧化硅膜与停止膜的研磨速度比高的研磨剂。而且提供一种保管该研磨剂时的研磨剂组件及使用有该研磨剂的基板研磨方法。
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公开(公告)号：CN102585765A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110430594.6
申请日：2005-07-20
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明为CMP研磨剂以及衬底的研磨方法。本发明的CMP研磨剂含氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水而成，水溶性高分子是，使用阳离子性偶氮化合物及其盐中至少一种作为聚合引发剂，使含有具有不饱和双键的羧酸及其盐中至少一种的单体自由基聚合，在末端导入了阳离子性偶氮化物形成的聚合物，阳离子性偶氮化合物及其盐为选自2，2’-偶氮双[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]盐酸盐、2，2’-偶氮双[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]、2，2’-偶氮双[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]盐酸盐、2，2’-偶氮双[2-(-2-咪唑啉-2-基)丙烷]硫酸盐水合物、2，2’-偶氮双[2-(3，4，5，6-四氢嘧啶-2-基)丙烷]盐酸盐、2，2’-偶氮双{2-[1-(2-羟乙基)-2-咪唑啉-2-基]丙烷}盐酸盐、2，2’-偶氮双[2-脒基丙烷]盐酸盐和2，2’-偶氮双(2-甲基丙酰胺肟)中的至少一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101032001A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200580032714.X
申请日：2005-09-27
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02
Abstract: 本发明的CMP抛光剂，含有氧化铈粒子、水、以及由甲基丙烯酸及其盐中的至少一方聚合而成的聚合物、以及/或者由甲基丙烯酸及其盐中的至少一方与具有不饱和双键的单体聚合而成的聚合物，优选的是，还含有分散剂或由甲基丙烯酸及其盐类的至少一种与具有不饱和键的单体聚合而得到的聚合物。这样，抛光后的被抛光膜的、由图案密度差所造成的残膜厚差比较小。
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公开(公告)号：CN1746255A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510108259.9
申请日：2002-02-20
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1454 , C01F17/0043 , C01G25/00 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明涉及半导体制造工序等中适于基片表面平坦化用CMP技术的抛光剂和抛光方法。抛光剂是含有粒子和将上述粒子至少部分分散的介质的抛光剂，上述粒子是下列之一：(1)从氧化铈、卤化铈和硫化铈中选择的，密度为3～6克/立方厘米而且次级粒子平均粒径为1～300纳米的铈化合物，(2)四价金属氧化物。使用这种抛光剂抛光的抛光方法，活用抛光剂中粒子的化学作用并且尽量减小机械作用，藉此能够兼容粒子引起的抛光损伤减少和抛光速度提高。
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公开(公告)号：CN1745460A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200480003202.6
申请日：2004-01-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供了一种CMP研磨剂以及研磨方法，其中CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，所述水溶性高分子为具有下述族群中的任一种化合物的N－单取代化合物骨架和N，N－二取代化合物骨架中的任一种的化合物：丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺以及它们的α－取代化合物所构成的族群。其中相对研磨剂100重量份，水溶性高分子优选为0.01～10重量份。从而，在平坦化层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽分离用绝缘膜等的CMP技术中，能够有效、高速地研磨，且操作管理也能容易地进行。
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公开(公告)号：CN103396765A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310334118.3
申请日：2009-04-22
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/3105 , B24B37/04
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , H01L21/31053 , H01L21/31055 , H01L21/76224
Abstract: 本发明涉及研磨剂及使用该研磨剂的基板研磨方法。本发明提供一种研磨剂，其特征在于，含有水、由4价金属氢氧化物粒子构成的研磨颗粒及添加剂，用于研磨至少在表面含有氧化硅的被研磨面，所述添加剂包含选自由乙抱亚胺聚合物和其衍生物组成的组中的至少一成分。
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公开(公告)号：CN102753626A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180008891.X
申请日：2011-02-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: C08L97/005 , C08G18/6492 , C08G18/73 , C08G59/621 , C08H6/00 , C08H8/00 , C08L63/00 , C08L97/00
Abstract: 一种含有木质素和固化剂的树脂组合物，其中木质素可溶于有机溶剂，并且含有10～90质量%的木质素，通过使用该树脂组合物，可以提供以植物性资源为主原料，并且赋予了阻燃性、抗菌性的成型体及复合成型体。
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