公开(公告)号：CN102820039A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210184256.3

申请日：2012-06-06

Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司

Inventor： E.E.马里内罗 ,  D.K.韦勒 ,  B.R.约克

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/82

CPC classification number: G11B5/66 ,  G11B5/65 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/82

Abstract: 本发明涉及垂直磁记录盘，其具有由至少两个铁磁交换耦合的CoPtCr氧化物磁层（MAG1和MAG2）形成的分级各向异性记录层（RL），两个成核层（NF1和NF2）位于磁层之间。NF1是在低压于MAG1上溅射沉积至约0.1-1.5nm厚的金属膜，优选地为Ru或基于Ru的合金如RuCr。NF2是在高压于NF1上溅射沉积至约0.2-1.0nm厚的金属氧化物膜，优选地为Ta的氧化物。MAG2溅射沉积在NF2上。与没有MAG1和MAG2之间的成核膜的分级各向异性RL相比，NF1和NF2提供了RL中平均晶粒尺寸的显著减小，同时也确保MAG1和MAG2强地交换耦合。