具有多磁层及中间双成核膜的垂直磁记录盘

    公开(公告)号:CN102820039A

    公开(公告)日:2012-12-12

    申请号:CN201210184256.3

    申请日:2012-06-06

    CPC classification number: G11B5/66 G11B5/65 G11B5/7325 G11B5/82

    Abstract: 本发明涉及垂直磁记录盘,其具有由至少两个铁磁交换耦合的CoPtCr氧化物磁层(MAG1和MAG2)形成的分级各向异性记录层(RL),两个成核层(NF1和NF2)位于磁层之间。NF1是在低压于MAG1上溅射沉积至约0.1-1.5nm厚的金属膜,优选地为Ru或基于Ru的合金如RuCr。NF2是在高压于NF1上溅射沉积至约0.2-1.0nm厚的金属氧化物膜,优选地为Ta的氧化物。MAG2溅射沉积在NF2上。与没有MAG1和MAG2之间的成核膜的分级各向异性RL相比,NF1和NF2提供了RL中平均晶粒尺寸的显著减小,同时也确保MAG1和MAG2强地交换耦合。

    图案化垂直磁记录介质和磁记录盘、以及磁记录盘驱动器

    公开(公告)号:CN102682790A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201210070782.7

    申请日:2012-03-16

    CPC classification number: G11B5/746 G11B5/7325 G11B5/855

    Abstract: 本发明涉及图案化垂直磁记录介质和磁记录盘、以及磁记录盘驱动器。该图案化垂直磁记录盘具有Co合金记录层,该Co合金记录层被图案化成离散的数据岛,该岛布置成同心道,该磁记录盘呈现窄的翻转场分布(SFD)。该盘包括:衬底;在该衬底上的NiTa合金平坦化层;在该平坦化层上的非磁含Ru衬层;钨氧化物Co合金磁记录层;以及在该含Ru层和该Co合金磁记录层之间的超薄氧化物膜。该氧化物膜可以是选自Ta氧化物、Co氧化物和Ti氧化物的氧化物,且是超薄的从而其可视为不连续膜。该平坦化层和超薄氧化物膜改善了Co合金记录层的生长均质性,从而具有数据岛的图案化盘表现出显著减小的SFD。

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