公开(公告)号：CN1224957C

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN01816226.6

申请日：2001-02-07

Applicant: 日立麦克赛尔株式会社

Inventor： 岛崎胜辅 ,  太田宪雄 ,  桐野文良

IPC: G11B5/02 ,  G11B5/66 ,  G11B11/10

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/02 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3954 ,  G11B5/4886 ,  G11B5/66 ,  G11B5/74 ,  G11B5/82 ,  G11B5/86 ,  G11B11/10504 ,  G11B11/10554 ,  G11B11/1058 ,  G11B11/10584 ,  G11B11/10591 ,  G11B2005/0005 ,  G11B2005/001 ,  G11B2005/0021 ,  G11B2005/3996

Abstract: 本发明涉及至少具有2层磁膜的超高密度存储用信息存储载体、信息存储装置及存储方法。磁存储载体(10)在基板(1)上设有第1磁膜(2)及第2磁膜(4)，由适合存储再生的磁性材料构成第1磁膜，由热稳定性好的铁磁性材料构成第2磁膜。通过磁头(53)在第2磁膜上存储信息，向第2磁膜存储信息后，通过激光照射加热第1磁膜使顽磁力下降并使第2磁膜的信息在第1磁膜上进行磁性复制，因第1磁膜热稳定性好，故存储信息稳定，这种磁存储载体抗热波动，具有高可靠性，尤其能使由50Gb/inch2的超高密度磁存储形成的0.1μm左右的磁区稳定地保持。

公开(公告)号：CN1770265A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510103225.0

申请日：2001-02-07

Applicant: 日立麦克赛尔株式会社

Inventor： 岛崎胜辅 ,  太田宪雄 ,  桐野文良

IPC: G11B5/02 ,  G11B11/10 ,  G11B5/66

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/02 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3954 ,  G11B5/4886 ,  G11B5/66 ,  G11B5/74 ,  G11B5/82 ,  G11B5/86 ,  G11B11/10504 ,  G11B11/10554 ,  G11B11/1058 ,  G11B11/10584 ,  G11B11/10591 ,  G11B2005/0005 ,  G11B2005/001 ,  G11B2005/0021 ,  G11B2005/3996

Abstract: 本发明涉及至少具有(2)层磁膜的超高密度存储用信息存储载体、信息存储装置及存储方法。磁存储载体(10)在基板(1)上设有第(1)磁膜2及第(2)磁膜(4)，由适合存储再生的磁性材料构成第(1)磁膜，由热稳定性好的铁磁性材料构成第(2)磁膜。通过磁头(53)在第(2)磁膜上存储信息，向第(2)磁膜存储信息后，通过激光照射加热第(1)磁膜使顽磁力下降并使第(2)磁膜的信息在第(1)磁膜上进行磁性复制，因第(1)磁膜热稳定性好，故存储信息稳定，这种磁存储载体抗热波动，具有高可靠性，尤其能使由50Gb/inch2的超高密度磁存储形成的0.1μm左右的磁区稳定地保持。

公开(公告)号：CN1532831A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN200410029421.3

申请日：2004-03-17

Applicant: 日立麦克赛尔株式会社

Inventor： 岛崎胜辅 ,  松沼悟 ,  竹内辉明 ,  太田宪雄

IPC: G11B11/10

Abstract: 本发明提供一种磁性记录媒体及具备该磁性记录媒体的磁性记录装置，该磁性记录媒体能够在记录层中稳定地保持微小磁区，具备优秀的抗热干扰耐性。具有：基板、设置在该基板上的磁性功能层以及与该磁性功能层相接而层叠的具有垂直磁各向异性的磁性记录层；在该磁性功能层的垂直磁各向异性常数为Ku、饱和磁化为Ms时，满足－4×2σMs2≤Ku≤6×2σMs2；该磁性记录媒体在记录时磁性功能层的磁矩沿施加磁场的方向旋转，该磁矩对于记录层的磁化，以辅助施加磁场的形式发挥作用。

公开(公告)号：CN1466747A

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：CN01816226.6

申请日：2001-02-07

Applicant: 日立麦克赛尔株式会社

Inventor： 岛崎胜辅 ,  太田宪雄 ,  桐野文良

IPC: G11B5/02 ,  G11B5/66 ,  G11B11/10

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/02 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3954 ,  G11B5/4886 ,  G11B5/66 ,  G11B5/74 ,  G11B5/82 ,  G11B5/86 ,  G11B11/10504 ,  G11B11/10554 ,  G11B11/1058 ,  G11B11/10584 ,  G11B11/10591 ,  G11B2005/0005 ,  G11B2005/001 ,  G11B2005/0021 ,  G11B2005/3996

Abstract: 本发明涉及至少具有(2)层磁膜的超高密度存储用信息存储载体、信息存储装置及存储方法。磁存储载体(10)在基板(1)上设有第(1)磁膜(2)及第(2)磁膜(4)，由适合存储再生的磁性材料构成第(1)磁膜，由热稳定性好的铁磁性材料构成第(2)磁膜。由磁头(53)在第(2)磁膜上存储信息，在向第(2)磁膜存储信息后，通过激光照射加热第(1)磁膜使其顽磁力下降并使第(2)磁膜的信息在第(1)磁膜上进行磁性复制，因第(1)磁膜热稳定性好，故存储信息稳定，这种磁存储载体抗热波动，具有高可靠性，尤其能使由50Gb/inch2的超高密度磁存储形成的0.1μm左右的磁区稳定地保持。