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公开(公告)号:CN1240055C
公开(公告)日:2006-02-01
申请号:CN01815036.5
申请日:2001-11-09
Applicant: 日立麦克赛尔株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/7325 , G11B5/851 , Y10S428/90 , Y10T428/12465 , Y10T428/12854
Abstract: 磁记录媒体在含非晶态成分的基板1上,有含B的有序晶格结构合金形成的磁记录层63。有序晶格结构合金中的B中一部分偏析在晶界,可以减弱作用在磁性粒子间的磁相互作用。这样可以在磁记录层63上形成微小磁区,同时也可以降低噪音。由于含B的有序晶格结构合金与不含B的有序晶格结构合金相比,有序化温度降低,所以可以降低磁记录层63成膜时基板加热温度,从而可以采用适于批量生产的玻璃基板。此外由于磁记录层63使用磁各向异性高的有序晶格结构合金,所以热稳定性也好。按照本发明可以提供一种热稳定性好、低噪音的高密度记录用磁记录媒体。
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公开(公告)号:CN1395726A
公开(公告)日:2003-02-05
申请号:CN01803727.5
申请日:2001-01-12
Applicant: 日立麦克赛尔株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , C23C14/081 , G11B5/012 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/8404 , G11B5/851 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明的磁记录介质包括,在基板1上依次有MgO层2、第1控制层3、第2控制层4、磁性层5及保护层6。MgO层是采用ECR溅射法形成的,该层是六方晶系,在一定方位结晶定向。在MgO层上,采用与磁性层的晶格常数之差为5%以下的材料及组成,在MgO层上形成2层或以上的金属控制层。由于这些控制层的存在,反映MgO层结构的磁性层进行良好的外延生长,在磁性层中可以实现适于高密度记录的Co(11.0)。因此,提供一种可超过40Gbit/英寸2的超高密度记录的磁性记录介质。
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公开(公告)号:CN1551121A
公开(公告)日:2004-12-01
申请号:CN200410034172.7
申请日:2004-04-23
Applicant: 日立麦克赛尔株式会社
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/012 , G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/82 , G11B5/8404 , G11B2005/001
Abstract: 本发明涉及磁记录介质、其制造方法及用了它的磁记录装置。本发明提供一种通过同时实现迁移噪音的降低和大的磁各向异性,而兼备良好的信噪比(S/N)和高的矫顽力及耐减磁性的人造超晶格多层膜介质,及用了这种介质的以高面记录密度但仍具高的S/N和耐减磁特性的磁记录装置。本发明的磁记录介质是在非磁性衬底上至少依次叠层由软磁性层、种晶层、具有Co和Pd交互叠层的多层膜结构的记录层而成的磁记录介质,其特征是,上述记录层包含B,并满足0.07≤B原子浓度/(Pd原子浓度+B原子浓度)≤0.15,而且,上述记录层由fcc结构的晶粒的集合体组成,上述fcc结晶的(111)面间隔的平均值d(111)在2.25以下。
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公开(公告)号:CN1532831A
公开(公告)日:2004-09-29
申请号:CN200410029421.3
申请日:2004-03-17
Applicant: 日立麦克赛尔株式会社
IPC: G11B11/10
Abstract: 本发明提供一种磁性记录媒体及具备该磁性记录媒体的磁性记录装置,该磁性记录媒体能够在记录层中稳定地保持微小磁区,具备优秀的抗热干扰耐性。具有:基板、设置在该基板上的磁性功能层以及与该磁性功能层相接而层叠的具有垂直磁各向异性的磁性记录层;在该磁性功能层的垂直磁各向异性常数为Ku、饱和磁化为Ms时,满足-4×2σMs2≤Ku≤6×2σMs2;该磁性记录媒体在记录时磁性功能层的磁矩沿施加磁场的方向旋转,该磁矩对于记录层的磁化,以辅助施加磁场的形式发挥作用。
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公开(公告)号:CN1451159A
公开(公告)日:2003-10-22
申请号:CN01815036.5
申请日:2001-11-09
Applicant: 日立麦克赛尔株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/7325 , G11B5/851 , Y10S428/90 , Y10T428/12465 , Y10T428/12854
Abstract: 磁记录媒体在含非晶态成分的基板1上,有含B的有序晶格结构合金形成的磁记录层63。有序晶格结构合金中的B中一部分偏析在晶界,可以减弱作用在磁性粒子间的磁相互作用。这样可以在磁记录层63上形成微小磁区,同时也可以降低噪音。由于含B的有序晶格结构合金与不含B的有序晶格结构合金相比,有序化温度降低,所以可以降低磁记录层63成膜时基板加热温度,从而可以采用适于批量生产的玻璃基板。此外由于磁记录层63使用磁各向异性高的有序晶格结构合金,所以热稳定性也好。按照本发明可以提供一种热稳定性好、低噪音的高密度记录用磁记录媒体。
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公开(公告)号:CN1558399A
公开(公告)日:2004-12-29
申请号:CN200410039537.5
申请日:2004-02-05
Applicant: 日立麦克赛尔株式会社
Abstract: 本发明涉及磁记录介质及其制造方法及磁记录装置。本发明提供一种具有更优异的磁特性并且介质噪声低的垂直磁记录方式的磁记录介质及其制造方法以及磁记录装置。一种垂直磁记录方式的磁记录介质,包括由非磁性材料形成的基板,由软磁性材料形成、并形成在该基板上的软磁性衬里层,形成在该软磁性衬里层上的底层,及由以含有氧化物的CoPtCr为主体的合金磁性材料形成的、并形成在该底层上的记录层,其特征在于,记录层由氧化物含有率不同的2个以上磁性层构成,构成该记录层的2个以上磁性层当中,设置在最靠近该底层一侧的磁性层的氧化物含有率是该记录层内最高的。
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公开(公告)号:CN1585973A
公开(公告)日:2005-02-23
申请号:CN02822657.7
申请日:2002-11-14
Applicant: 日立麦克赛尔株式会社
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/656 , G11B5/667 , G11B5/7325 , Y10S428/90 , Y10T428/12861 , Y10T428/12875 , Y10T428/24942 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及磁记录介质及其制造方法以及磁存储装置。磁记录介质(100)在衬底(1)上具有软磁性层(3)、籽晶层(5)和具有人工晶格构造的记录层(6)。籽晶层(5)由Pd和从Si、B、C及Zr组成的组中选择的一种元素形成。这样可以减弱记录层(6)的面内方向的磁交换结合力。在记录层(6)上可形成微小的记录磁畴,并且磁化过渡区域清晰,噪声降低。即,即使高密度记录信息也能以低噪声再生。具有这样的磁记录介质的磁存储装置可达到150千兆比特/平方英寸的面记录密度。
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公开(公告)号:CN1505005A
公开(公告)日:2004-06-16
申请号:CN03155952.2
申请日:2003-08-27
Applicant: 日立麦克赛尔株式会社
IPC: G11B5/66
Abstract: 本发明涉及磁记录媒体以及使用该磁记录媒体的磁记录装置。本发明提供一种具有优良的热稳定性,低媒体噪音的高密度记录用的磁记录媒体及磁存储装置。磁盘(100),在底板(1)上具有软磁性层(3)、种晶层(4)、具有人工晶格结构的记录层(5),并且例如软磁性层(3)由Co和B形成,种晶层(4)由Pd和B形成。通过该构成能够使作用于记录层(5)的晶粒间的面内方向的磁交换结合力降低。因此,能够在记录层(5)上形成细微的记录磁畴,同时使磁化过渡区域变得清晰,降低媒体噪音。即,即使高密度地记录信息也能够以低媒体噪音再现。因为人工晶格结构的记录层(5)具有较高的磁各向异性所以也具有良好的热稳定性。
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公开(公告)号:CN1489137A
公开(公告)日:2004-04-14
申请号:CN03155953.0
申请日:2003-08-27
Applicant: 日立麦克赛尔株式会社
IPC: G11B5/667
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/656 , G11B5/7325 , Y10S428/90 , Y10T428/12465 , Y10T428/12861 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及磁记录媒体和磁记录装置,尤其涉及适合高密度记录的垂直记录方式的磁记录媒体和磁记录装置。本发明提供一种垂直记录方式的磁记录媒体,它使用的底层的膜厚较薄并且可以提高记录层的定向性,是一种高矫顽力、低媒体噪音的磁记录媒体。它是具有由含氧的CoPtCr合金磁性膜形成的记录层的垂直记录方式的磁记录媒体,它具有在底板(1)上依次层叠密接层(2)、软磁性衬里层(3)、底层(4)、记录层(5)和保护层(6)的结构。作为由含氧的CoPtCr合金磁性膜形成的记录层的底层,通过使用膜厚为5nm~20nm的CoCrRu膜,可以利用膜厚较薄的底层提高记录层的结晶定向性。
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公开(公告)号:CN1467707A
公开(公告)日:2004-01-14
申请号:CN03136526.4
申请日:2003-05-22
Applicant: 日立麦克赛尔株式会社
Abstract: 本发明涉及磁性记录介质及其制造方法和磁性记录装置,提供了一种介质噪音得以降低、能以高S/N再生信息的磁性记录介质的制造方法及磁性记录介质,而且还提供了一种热稳定性优良并能以高密度记录信息的磁性记录装置。按照本发明的磁性记录介质的制造方法,以垂直磁性方式使磁性记录介质成膜时,通过将籽晶层的B含量增大至比记录层中B含量大得多,能够使B从籽晶层向记录层扩散,促进B在记录层内的晶粒晶界部分偏析,进一步减少记录层内晶粒之间磁的相互作用。这样能够大幅度减少迁移噪音。
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