Patent search ap:("旭化成微电子株式会社") AND inv:"片桐洋次" Page 1

1.

实用新型
磁传感器失效

公开(公告)号：CN204009026U

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201420478035.1

申请日：2014-08-22

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 山下昌哉 , 山县曜 , 四竈格久 , 御子柴宪彦 , 片桐洋次 , 田中健 , 渡边佳彦 , 石田一裕

IPC: G01R33/09

Abstract: 本实用新型涉及一种至少对与衬底垂直的磁场和平行的磁场进行混合而能够在可分离的状态下检测各磁场分量的磁传感器。该传感器具备与衬底(355)平行并且呈锯齿状排列的N个聚磁板(351)，N为大于或等于12的整数，并且相邻的两个聚磁板(351)在长度方向上相互错开；沿各聚磁板(351)的长度方向并行设置有M个磁阻元件(352)，M为大于或等于2的整数，并且各磁阻元件(352)的钉扎层(352-1)与自由层(352-2)经由布线(353)实现相互电连接，沿排列方向的布线(353-1)与沿长度方向的布线(353-2)经由通孔(353-3)实现相互电连接。

Patent Agency Ranking