-
公开(公告)号：CN101064121A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710102496.3
申请日：2007-04-27
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: G11B5/8404 , C03C3/15 , C03C10/0054 , C03C19/00
Abstract: 一种通过对圆形玻璃板进行抛光来制造用于磁盘的玻璃基板的方法，该方法包括以下步骤：使用包含CeO2晶体粉末的浆液对圆形玻璃板的主平面进行抛光，所述CeO2晶体粉末通过一种方式制得，使得包含CeO2的熔体骤冷，以制得无定形材料，对所述无定形材料进行热处理以制备沉淀了CeO2晶体的无定形材料，对所述沉淀了CeO2晶体的无定形材料进行酸处理，以从中分离和提取CeO2晶体粉末。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101108467B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200710137931.6
申请日：2007-07-17
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: G11B5/8404 , B24B37/042 , G11B5/7315 , Y10T428/21
Abstract: 一种通过抛光圆形玻璃板，制造用于磁盘的玻璃基板的方法，该方法包括使用浆料抛光所述圆形玻璃板的主表面的步骤，所述浆料包含至少一种水溶性聚合物和胶态二氧化硅，所述至少一种水溶性聚合物选自：包含氨基的水溶性有机聚合物、包含胺盐基团的水溶性有机聚合物和包含季铵盐基团的水溶性有机聚合物。
-
公开(公告)号：CN101147242A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200680009433.7
申请日：2006-02-27
Applicant: 旭硝子株式会社 , AGC清美化学股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供在半导体集成电路装置的制造中研磨二氧化硅类材料层的被研磨面时的研磨速度的图案依赖性小，可在抑制凹部的研磨的同时优先地研磨凸部，能够以极少的研磨量实现将被研磨面高度平坦化的技术。在半导体集成电路装置的制造中，被研磨面为二氧化硅类材料层的被研磨面的情况下，作为用于研磨被研磨面的化学机械研磨用研磨剂，使用含有氧化铈粒子、水溶性多胺和水的研磨剂。
-
公开(公告)号：CN101108467A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710137931.6
申请日：2007-07-17
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: G11B5/8404 , B24B37/042 , G11B5/7315 , Y10T428/21
Abstract: 一种通过抛光圆形玻璃板，制造用于磁盘的玻璃基板的方法，该方法包括使用浆料抛光所述圆形玻璃板的主表面的步骤，所述浆料包含至少一种水溶性聚合物和胶态二氧化硅，所述至少一种水溶性聚合物选自：包含氨基的水溶性有机聚合物、包含胺盐基团的水溶性有机聚合物和包含季铵盐基团的水溶性有机聚合物。
-
公开(公告)号：CN101064121B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200710102496.3
申请日：2007-04-27
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: G11B5/8404 , C03C3/15 , C03C10/0054 , C03C19/00
Abstract: 一种通过对圆形玻璃板进行抛光来制造用于磁盘的玻璃基板的方法，该方法包括以下步骤：使用包含CeO2晶体粉末的浆液对圆形玻璃板的主平面进行抛光，所述CeO2晶体粉末通过一种方式制得，使得包含CeO2的熔体骤冷，以制得无定形材料，对所述无定形材料进行热处理以制备沉淀了CeO2晶体的无定形材料，对所述沉淀了CeO2晶体的无定形材料进行酸处理，以从中分离和提取CeO2晶体粉末。
-
公开(公告)号：CN101147242B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200680009433.7
申请日：2006-02-27
Applicant: 旭硝子株式会社 , AGC清美化学股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供在半导体集成电路装置的制造中研磨二氧化硅类材料层的被研磨面时的研磨速度的图案依赖性小，可在抑制凹部的研磨的同时优先地研磨凸部，能够以极少的研磨量实现将被研磨面高度平坦化的技术。在半导体集成电路装置的制造中，被研磨面为二氧化硅类材料层的被研磨面的情况下，作为用于研磨被研磨面的化学机械研磨用研磨剂，使用含有氧化铈粒子、水溶性多胺和水的研磨剂。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.022 seconds)
