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公开(公告)号：CN101636796B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200880009011.9
申请日：2008-03-06
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01B13/00 , G02F1/1345 , C23C14/06 , H01B5/14 , C23C14/08 , H01L51/50 , G02F1/1343 , H05B33/28
CPC classification number: C23C14/083 , C03C17/2456 , C03C2217/212 , C03C2217/218 , C03C2217/24 , C03C2218/15 , C03C2218/32 , C23C14/024 , C23C14/08 , C23C14/5806 , G02F1/13439 , H01B1/08 , H01L51/442
Abstract: 本发明提供一种能以良好的生产性制造导电性优良并且透明性良好的氧化钛类导电体的方法。该方法包括：层叠物形成工序，在该层叠物形成工序中，在基体上形成由第一前体层和第二前体层以任意顺序层叠而成的前体层叠物；以及退火工序，在该退火工序中，在还原气氛下对前体层叠物加热，然后退火，藉此由第一前体层和第二前体层形成金属氧化物层；第一前体层由包含Nb的氧化钛形成，且在进行了单层退火试验时成为包含多晶且该多晶不包含金红石型结晶的氧化钛层；第二前体层是由包含Nb的氧化钛形成的非晶氧化钛层，且在进行了单层退火试验时成为包含多晶且该多晶包含金红石型结晶的氧化钛层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101978431B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200980110682.9
申请日：2009-03-05
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C23C14/083 , C23C14/5806
Abstract: 本发明提供导电性良好且耐热性优良的导电体及其制造方法。一种导电体，其特征在于，在基板(10)上设有2层以上由添加有选自Nb、Ta、Mo、As、Sb、W、N、F、S、Se、Te、Cr、Ni、Tc、Re、P和Bi的1种或2种以上的掺杂剂的氧化钛形成的层(Z)，该2层以上的层(Z)中的至少1层是掺杂剂的原子数相对于钛和掺杂剂的原子数总和的比例为0.01～4原子％的第二层(Z2)(12)，在该第二层(Z2)(12)与基板(10)之间设有所述掺杂剂的原子数相对于钛和掺杂剂的原子数总和的比例大于该第二层(Z2)的第一层(Z1)(11)。
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公开(公告)号：CN101636796A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200880009011.9
申请日：2008-03-06
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01B13/00 , G02F1/1345 , C23C14/06 , H01B5/14 , C23C14/08 , H01L51/50 , G02F1/1343 , H05B33/28
CPC classification number: C23C14/083 , C03C17/2456 , C03C2217/212 , C03C2217/218 , C03C2217/24 , C03C2218/15 , C03C2218/32 , C23C14/024 , C23C14/08 , C23C14/5806 , G02F1/13439 , H01B1/08 , H01L51/442
Abstract: 本发明提供一种能以良好的生产性制造导电性优良并且透明性良好的氧化钛类导电体的方法。该方法包括：层叠物形成工序，在该层叠物形成工序中，在基体上形成由第一前体层和第二前体层以任意顺序层叠而成的前体层叠物；以及退火工序，在该退火工序中，在还原气氛下对前体层叠物加热，然后退火，藉此由第一前体层和第二前体层形成金属氧化物层；第一前体层由包含Nb的氧化钛形成，且在进行了单层退火试验时成为包含多晶且该多晶不包含金红石型结晶的氧化钛层；第二前体层是由包含Nb的氧化钛形成的非晶氧化钛层，且在进行了单层退火试验时成为包含多晶且该多晶包含金红石型结晶的氧化钛层。
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公开(公告)号：CN106795301A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580046141.X
申请日：2015-08-27
Applicant: 旭硝子株式会社
Abstract: 本发明提供通过挤出成形法连续地制造的、机械强度和外观优良的乙烯－四氟乙烯共聚物片材及其制造方法。本发明是一种乙烯－四氟乙烯共聚物片材及其制造方法，该乙烯－四氟乙烯共聚物片材是被挤出成形的乙烯－四氟乙烯共聚物片材，其特征在于，R0/d(其中，R0是面内的相位差[单位:nm]，d是厚度[单位:nm])在3.0×10‑3以下，厚度大于300μm。
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公开(公告)号：CN101978431A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980110682.9
申请日：2009-03-05
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C23C14/083 , C23C14/5806
Abstract: 本发明提供导电性良好且耐热性优良的导电体及其制造方法。一种导电体，其特征在于，在基板(10)上设有2层以上由添加有选自Nb、Ta、Mo、As、Sb、W、N、F、S、Se、Te、Cr、Ni、Tc、Re、P和Bi的1种或2种以上的掺杂剂的氧化钛形成的层(Z)，该2层以上的层(Z)中的至少1层是掺杂剂的原子数相对于钛和掺杂剂的原子数总和的比例为0.01～4原子％的第二层(Z2)(12)，在该第二层(Z2)(12)与基板(10)之间设有所述掺杂剂的原子数相对于钛和掺杂剂的原子数总和的比例大于该第二层(Z2)的第一层(Z1)(11)。
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公开(公告)号：CN101785071A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880104456.5
申请日：2008-08-27
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01B13/00 , C23C14/08 , G02F1/1343
CPC classification number: C23C14/083 , C03C17/2456 , C03C2217/212 , C03C2217/218 , C03C2217/24 , C03C2218/15 , C03C2218/32 , C23C14/0036 , C23C14/352 , G02F1/13439
Abstract: 本发明提供能够以良好的生产性制造导电性良好且透明度良好的氧化钛系导电体层的方法。该方法是在将基体加热的状态下，在该基体上依次形成由添加了Nb等掺杂剂的氧化钛构成的第1层和第2层，藉此形成导电体层。第1层以形成为含多晶且该多晶不含金红石型结晶的层的成膜条件形成。直接在基体上形成第2层时，以获得含多晶且该多晶含金红石型结晶的层的成膜条件形成。
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