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公开(公告)号:CN105374883A
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201410429439.6
申请日:2014-08-28
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/764 , H01L23/467 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种高压元件及其制造方法。高压元件至少包括一基板、形成于基板上的一绝缘物、形成于绝缘物上的一深阱、和形成于绝缘物内且邻近于深阱的底面的一空气层(air layer)。其中,深阱的一底面是与基板相隔开来,空气层是位于深阱和基板之间,且空气层与基板相隔开来。一实施例中,空气层可与高压元件外部的气压连通,以利于散热。
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公开(公告)号:CN105374883B
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201410429439.6
申请日:2014-08-28
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/764 , H01L23/467 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种高压元件及其制造方法。高压元件至少包括一基板、形成于基板上的一绝缘物、形成于绝缘物上的一深阱、和形成于绝缘物内且邻近于深阱的底面的一空气层(air layer)。其中,深阱的一底面是与基板相隔开来,空气层是位于深阱和基板之间,且空气层与基板相隔开来。一实施例中,空气层可与高压元件外部的气压连通,以利于散热。
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