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公开(公告)号：CN112670279B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201910977071.X
申请日：2019-10-15
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种静电放电保护装置，包含第一掺杂区、硅控整流器、以及旁路单元。第一掺杂区耦接于第一节点，且用于作为硅控整流器与旁路单元的共同阳极。若第一节点的电流小于触发电流值，电流经由旁路单元放电，而若电流大于触发电流值，电流经由旁路单元与硅控整流器放电。
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公开(公告)号：CN105679812B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201410674599.7
申请日：2014-11-21
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L27/06
Abstract: 本发明公开了一种半导体结构。此种半导体结构包括：一基板；一第一掺杂区、一第一阱及一第二掺杂区，形成于基板中；多个第一重掺杂区，形成于第一掺杂区中；多个导电体及多个介电质，形成于基板上并介于第一重掺杂区之间；一第二重掺杂区，形成于第一阱中；一第三重掺杂区及一第四重掺杂区，形成于第二掺杂区中；以及一第一栅电极及一第一栅介电质。第一掺杂区、第一阱、第二重掺杂区及第四重掺杂区具有一第一掺杂类型。第二掺杂区、第一重掺杂区及第三重掺杂区具有一第二掺杂类型。
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公开(公告)号：CN105097796B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201410196907.X
申请日：2014-05-12
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本发明公开了一种高压半导体元件及其制造方法，该高压半导体元件包括一高压半导体晶体管(HVMOS)和一常开型低压半导体晶体管(normally‑on LVMOS)电性连接高压半导体晶体管。HVMOS具有一第一集极及一第一发射极。常开型LVMOS具有一第二集极及一第二发射极，其中常开型LVMOS的第二集极被电性连接至HVMOS的第一发射极，因而形成一静电防护双极晶体管，如一NPN型静电防护双极晶体管。
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公开(公告)号：CN106298765A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510275936.X
申请日：2015-05-27
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L29/0603 , H01L29/42364
Abstract: 本发明提供了一种半导体元件。该半导体元件包括：栅极结构、具有第一导电型的第一掺杂区、具有第二导电型的多个第二掺杂区、具有第一导电型的第三掺杂区以及具有第二导电型的多个第四掺杂区。栅极结构位于基底上。第一掺杂区位于栅极结构的第一侧的基底中。第二掺杂区位于第一掺杂区中。各第二掺杂区彼此分离。第三掺杂区位于栅极结构的第二侧的基底中。第四掺杂区位于第三掺杂区中。各第四掺杂区彼此分离。第二掺杂区与第四掺杂区交错设置。
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公开(公告)号：CN103928463B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310126266.6
申请日：2013-04-12
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: H01L27/085 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/0705 , H01L27/0617 , H01L27/085 , H01L29/063 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/1066 , H01L29/7816 , H01L29/808
Abstract: 本发明公开了一种高压ED NMOS元件嵌入高压横向NJFET及其制造方法，该高压ED NMOS元件嵌入高压横向NJFET包含一高压(HV)n型金属氧化物半导体(NMOS)嵌入HV结栅极场效应晶体管(JFET)的半导体装置被提供。根据第一示例实施例，具有嵌入HV JFET的HV NMOS可包含衬底、被设置为邻近该衬底的N型阱区、被设置为邻近该N型阱区的P型阱区、以及被设置为邻近该N型阱区且在该P型阱区相对侧的第一及第二N+掺杂区。该P型阱区可包含P+掺杂区、第三N+掺杂区以与栅极结构，该第三N+掺杂区介于该P+掺杂区以及该栅极结构之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103872112B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201210533339.9
申请日：2012-12-12
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种半导体结构及其操作方法。半导体结构包括第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区与第一栅结构；第一掺杂区具有第一导电型；第二掺杂区围住第一掺杂区并具有相反于第一导电型的第二导电型；第三掺杂区具有第一导电型；第四掺杂区具有第二导电型；第一栅结构位于第二掺杂区上；第三掺杂区与第四掺杂区分别位于第一栅结构的相反侧上的第二掺杂区与第一掺杂区中。
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公开(公告)号：CN105789267A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410801940.0
申请日：2014-12-22
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体元件，包括形成于基板中的高压及低压金属氧化物半导体。高压金属氧化物半导体包括第一导电型与第一掺杂程度的第一半导体区、第一导电型与第二掺杂程度的第二半导体区、第二导电型的第三半导体区、及第一导电型的第四半导体区。第二掺杂程度低于第一掺杂程度。第一、第二、第三、与第四半导体区是依序沿第一方向排列，且分别是高压金属氧化物半导体的漏极区、漂移区、通道区、与源极区。低压金属氧化物半导体包括第四半导体区、第二导电型的第五半导体区、与第一导电型的第六半导体区。第四、第五、与第六半导体区是依序沿第二方向排列，且分别是低压金属氧化物半导体的漏极区、通道区、与源极区。第二方向不同于第一方向。
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公开(公告)号：CN103681876B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201210334110.2
申请日：2012-09-11
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: H01L29/808 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种高压结场效晶体管(High Voltage Junction Field Effect Transistor，HV JFET)。该高压结场效晶体管包括一衬底、一漏极、一源极及一P型顶层；漏极设置于衬底之上；源极设置于衬底之上；源极及漏极之间形成一通道；P型顶层设置于通道之上。
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公开(公告)号：CN103489904B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201210189730.1
申请日：2012-06-11
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: H01L29/73 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种半导体元件、其制造方法及其操作方法。半导体元件包括一衬底、一第一阱、一第二阱、一第三阱、一第四阱、一底层、一第一重掺杂区、一第二重掺杂区、一第三重掺杂区及一场效电板。第一阱、第二阱、第三阱及第四阱设置于衬底上。第一阱、底层及第二阱包围第三阱，以使第三阱与衬底浮接。第一、第二、第三重掺杂区分别设置于第一阱、第二阱、第三阱内。场效电板设置于第一阱及第四阱的邻接处之上。
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公开(公告)号：CN105374883A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410429439.6
申请日：2014-08-28
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/764 , H01L23/467 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种高压元件及其制造方法。高压元件至少包括一基板、形成于基板上的一绝缘物、形成于绝缘物上的一深阱、和形成于绝缘物内且邻近于深阱的底面的一空气层(air layer)。其中，深阱的一底面是与基板相隔开来，空气层是位于深阱和基板之间，且空气层与基板相隔开来。一实施例中，空气层可与高压元件外部的气压连通，以利于散热。
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