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公开(公告)号：CN115483346A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202110918232.5
申请日：2021-08-11
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
Abstract: 本发明提供一种存储单元，形成在第一电极与第二电极之间的柱体结构中，包含叠层封装结构。在一示例中，该柱体包含电性串联于第一电极与第二电极之间的双向阈值开关材料的一主体、多个碳系中间层、多个金属层、和相变化存储器材料的一主体。叠层封装结构环绕该柱体。叠层介电封装结构包括至少三个共形层，包含一第一层材料、不同于第一层材料的一第二层材料的一第二共形层、和不同于第二层材料的一第三层材料的一第三共形层。
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公开(公告)号：CN113160865A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202010299254.3
申请日：2020-04-16
Applicant: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
Inventor： 简维志 , 龚南博 , 龙翔澜 , 马修·乔瑟夫·布莱特史凯 , 克里斯多福·米勒
Abstract: 一种存储器系统及其操作方法，具体为一种多层单元的一选择器一控制器三维交叉点存储器系统，包括至少一个多层单元的一选择器一电阻器结构，此结构包括相变存储器单元以及阈值开关选择器的叠层配置。导电位线与双向阈值开关选择器电性连通，而导电字线则与相变存储器单元信号连通。控制器与位线以及字线电性连通。控制器是设置以从不同电压脉冲的族群中选择至少一个电压脉冲，此族群包括读取脉冲、部分设定脉冲、设定脉冲、部分复位脉冲以及复位脉冲，且控制器还设置以将已选择的至少一电压脉冲传送到至少一个多层单元的一选择器一电阻器结构。
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公开(公告)号：CN104051616B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310319350.X
申请日：2013-07-25
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种集成电路的构件的制造方法及利用此方法制作的元件，该集成电路的构件的制造方法包括以下步骤：形成一第一有源元件于一衬底上，第一有源元件包括一金属，金属具有一金属表面；沉积一感光材料于金属表面；曝露感光材料于辐射光线中，诱导在金属表面的金属氧化，以形成一金属氧化层；形成一第二有源元件于金属氧化层上。
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公开(公告)号：CN101752002B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200910150904.1
申请日：2009-06-25
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
CPC classification number: G11C17/16 , H01L27/101 , H01L27/1021
Abstract: 本发明公开了一种氧化铝铜为主的存储器元件及其制造方法。存储器元件包括第一电极及第二电极。存储器元件更包括二极管及包括氧化铝及氧化铜的反熔丝金属氧化物存储器构件。二极管与金属氧化物存储器构件电串联排列在第一电极与第二电极之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101752002A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910150904.1
申请日：2009-06-25
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
CPC classification number: G11C17/16 , H01L27/101 , H01L27/1021
Abstract: 本发明公开了一种氧化铝铜为主的存储器元件及其制造方法。存储器元件包括第一电极及第二电极。存储器元件更包括二极管及包括氧化铝及氧化铜的反熔丝金属氧化物存储器构件。二极管与金属氧化物存储器构件电串联排列在第一电极与第二电极之间。
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公开(公告)号：CN101621034A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910009694.4
申请日：2009-02-04
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: H01L21/8247 , H01L21/263 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11206 , H01L27/101 , H01L27/112
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的数据元件及其制造方法。该方法包括下列步骤：首先，提供第一导体及第二导体。接着，提供导电层；然后，通过等离子体氧化工艺将部分的导电层形成为数据储存层；数据储存层是位于第一导体及第二导体之间。
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公开(公告)号：CN101577309A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910137997.4
申请日：2009-05-05
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
CPC classification number: C07D417/04 , C07D413/04 , C07D413/14 , C07D417/14 , G11C7/20 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1633 , H01L45/1641
Abstract: 本发明公开了一种应用于电阻式随机存取存储器的电脉冲电压操作方法。本发明所揭露的存储装置制造方法包括形成金属－氧化物存储元件，以及施加活化能至该金属－氧化物存储元件。于本发明的实施例中，活化能的施加可通过施加电能及/或热能至金属－氧化物存储元件来达成。
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公开(公告)号：CN101409327A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810128163.2
申请日：2008-07-21
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
CPC classification number: H01L45/04 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148 , H01L45/1625 , H01L45/1633 , Y10S438/90
Abstract: 本发明公开了一种存储器装置，包括第一电极与第二电极以及介于第一与第二电极间并与其电性耦接的存储元件与缓冲层。存储元件包括一种以上的金属氧化合物。缓冲层至少包括一氧化物或一氮化物。于另一实施例中，存储装置包括第一电极与第二电极以及介于第一与第二电极间并与其电性耦接的存储元件与缓冲层。缓冲层具有一小于50埃的厚度。存储装置包括一或多种金属的氧化合物。制造存储装置方法的实施例包括形成第一电极与第二电极，形成介于第一与第二电极间并与其电性耦接的存储器，该存储器包括一或多种金属的氧化合物，缓冲层包括至少一氧化物或一氮化物。
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公开(公告)号：CN113257997A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202010347877.3
申请日：2020-04-28
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种存储器装置与集成电路，存储器装置包括位于第一和第二电极之间的相变存储器材料体上的碳沉积物，例如碳缓冲层。碳沉积物可提高相变存储器单元的耐久性五个或更多数量级。实施例包括“蘑菇”型存储器元件，以及包括3D阵列的交叉点元件的其他类型。
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