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公开(公告)号：CN108803262A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810715966.1
申请日：2018-07-03
Applicant: 昆山欣谷微电子材料有限公司
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/426
Abstract: 一种酸性光刻胶剥离液，包括有机酸、极性有机溶剂、腐蚀抑制剂，本发明中的光刻胶剥离液，可以在30℃至100℃下完全去除晶圆表面上的光刻胶残留物，完全去除LED芯片和晶圆表面光刻胶残余物的同时，不腐蚀LED芯片和晶圆基底材料以及外延结构。
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公开(公告)号：CN108803263A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810717379.6
申请日：2018-07-03
Applicant: 昆山欣谷微电子材料有限公司
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/425
Abstract: 一种碱性光刻胶剥离液，包括有机醇胺、极性有机溶剂、腐蚀抑制剂、表面活性剂，本发明中的光刻胶剥离液，可以在30℃至100℃下完全去除晶圆表面上的光刻胶残留物，完全去除晶圆表面光刻胶残余物的同时，不腐蚀晶圆基底材料，特别是不腐蚀晶圆背部金属化层Ti/Ni/Ag层，在高温退火之后，能有效防止晶圆背面Ti/Ni/Ag白斑以及色差现象的产生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107121901A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710487777.9
申请日：2017-06-23
Applicant: 昆山欣谷微电子材料有限公司
Inventor： 刘江华
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/426
Abstract: 本发明涉及一种富水基清洗液组合物，包括去离子水、有机季胺化合物、有机醇胺、有机剥离溶剂、缓蚀剂、螯合助剂，并同时提供了所述一种富水基清洗液组合物的使用方法，本发明主要用于去除微电子制造过程中光刻胶残留物，操作温度较低，能耗较少，在对晶圆清洗后无需IPA或NMP等中间溶剂浸泡就可以用水直接漂洗，而且由于不会对金属尤其是铝造成腐蚀，安全环保，有效的降低的清洗成本。同时由于采用了多种具有协同效应的缓蚀剂成分，能非常有效的保护金属基底不受腐蚀，另外，本发明的清洗液配方本身就是一个缓冲体系，保证了清洗液在长时间清洗过程中的稳定，具有较强的使用寿命。
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公开(公告)号：CN107085357A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710488370.8
申请日：2017-06-23
Applicant: 昆山欣谷微电子材料有限公司
Inventor： 刘江华
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/426
Abstract: 本发明涉及一种光刻胶剥离液，包括特征性有机胺、辅助性有机胺、极性有机溶剂、腐蚀抑制剂，主要针对当前的光刻胶剥离液操作窗口小，对晶圆基底腐蚀性较强，特别是对深度硬化交联的光刻胶残余物以及负型厚膜光刻胶去除能力较弱等问题，提供一种去胶能力强，操作窗口大，不腐蚀晶圆基底的光刻胶剥离液。本发明的光刻胶剥离液能够非常有效的去LED芯片和半导体晶圆上的光刻胶和光刻胶残余物，尤其对于去除深度硬化交联的光刻胶残余物和厚膜负性光刻胶具有较强的去除能力。同时不腐蚀晶圆基底材料，操作窗口较大，使用寿命较长。
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公开(公告)号：CN111763573A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201910261609.7
申请日：2019-04-02
Applicant: 昆山欣谷微电子材料有限公司
Abstract: 一种碱性玻璃基板清洗液组合物，组合物为：1.强碱性物质，2.螯合剂，3.分散剂，4.腐蚀抑制剂，5.高纯水，包括以下百分比质量的组分：强碱性物质1-45%，优选3-30%，螯合剂0.1-50%，优选0.5-20%，分散剂0.1-25，优选0.2-20%，腐蚀抑制剂0.1-15%，优选0.2-10%，去离子水30-99.9%，优选40-98%；本发明的碱性玻璃基板清洗液组合物无毒无腐蚀性，无低沸点有机挥发物，对环境无污染，在有效去除表面基板表面残渣的同时不腐蚀玻璃基底。
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公开(公告)号：CN107338126A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710488371.2
申请日：2017-06-23
Applicant: 昆山欣谷微电子材料有限公司
Inventor： 刘江华
IPC: C11D1/835 , C11D3/04 , C11D3/20 , C11D3/22 , C11D3/33 , C11D3/36 , C11D3/60 , H01L21/02 , G03F7/42
CPC classification number: C11D1/835 , C11D1/62 , C11D1/66 , C11D3/042 , C11D3/2065 , C11D3/221 , C11D3/33 , C11D3/364 , G03F7/425 , H01L21/02071
Abstract: 本发明涉及一种水基微电子剥离和清洗液组合物，包括水、有机季胺化合物、过氧化氢、稳定剂、腐蚀抑制剂、螯合剂，同时还提供本组合物的具体使用方法，本发明所述组合物不含有羟胺、氟化物、还原剂、有机溶剂、研磨颗粒，能有效去除干法蚀刻后（post-etch）和灰化后（post-ash）金属线（metal line），通孔（via）和结合垫（pad）等晶圆上光刻胶残余物和蚀刻后残余物。同时不会对基底产生攻击或造成腐蚀。而且本发明所述水基微电子剥离和清洗液组合物操作温度较低，能耗较少，可以用水直接漂洗，而且由于不会对金属尤其是铝造成腐蚀，安全环保，有效的降低了清洗成本。
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公开(公告)号：CN107085358A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710488372.7
申请日：2017-06-23
Applicant: 昆山欣谷微电子材料有限公司
Inventor： 刘江华
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/426
Abstract: 本发明涉及用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液，包括有机醇胺、极性有机溶剂、腐蚀抑制剂、有机强还原剂、表面活性剂，本发明所述用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液不含有水、氟化物、氧化剂、研磨颗粒。同时，本发明中所含有的有机强还原剂可与氧气或金属氧化物发生氧化还原反应，阻止氧气对金属的腐蚀，该强还原剂还可以与金属腐蚀缓蚀剂产生协同效应，增强金属基底的保护。本发明的光刻胶剥离液能够非常有效的去LED芯片和半导体晶圆上的光刻胶和光刻胶残余物，同时不腐蚀晶圆基底材料，特别是不腐蚀晶圆背部金属化层（Ti/Ni/Ag层或Ti/Ni/Au层），操作窗口较大，使用寿命较长。
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