公开(公告)号：CN109690415A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201680089183.6

申请日：2016-09-28

Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司

Inventor： 蒋奇 ,  任华 ,  姜鑫 ,  金應圭

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/425 ,  C11D7/5009 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/426

Abstract: 适用于从显示器/半导体衬底或电子加工设备中尤其去除光刻胶和聚(酰胺酸)/聚酰亚胺的溶剂基本上由以下组成：(A)由二甲亚砜(DMSO)和N-甲酰基吗啉中的至少一种组成的第一组分，以及(B)由以下中的至少一种组成的第二组分：N，N-二甲基丙酰胺、3-甲氧基-N，N-二甲基丙酰胺、N，N-二甲基乙酰乙酰胺和N-甲基-ε-己内酰胺。

公开(公告)号：CN109143800A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811298249.X

申请日：2018-11-02

Applicant: 江阴江化微电子材料股份有限公司

Inventor： 李森虎 ,  朱龙 ,  承明忠 ,  邵勇 ,  陈林 ,  顾玲燕 ,  殷福华 ,  赵文虎 ,  姚玮

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/426

Abstract: 本发明公开了一种通用型光刻胶剥离液，主要组成为季铵类氢氧化物、醇醚类化合物、水溶性链烷醇胺、水溶性有机极性溶剂、金属缓蚀剂，通用型光刻胶剥离液中还含有C3～C6的氨基酯。小分子的氨基酯加速光刻胶的溶胀，剥离后水洗溶液中小分子的氨基酯发生水解产生于氢氧根中和的酸，改善水洗过程中的铜铝布线腐蚀现象。本发明还公开了通用型光刻胶剥离液在基板光刻胶剥离工艺中的应用。

公开(公告)号：CN106574215B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201580037657.8

申请日：2015-05-08

Applicant: 科慕埃弗西有限公司

Inventor： M.L.罗宾 ,  菊地秀明

IPC: C11D7/50 ,  C11D7/30

CPC classification number: C11D7/5063 ,  C11D3/245 ,  C11D3/43 ,  C23G5/02806 ,  G03F7/426

Abstract: 本文公开了包含90至99重量％的反‑1，2‑二氯乙烯、0.1至8重量％的甲基全氟庚烯醚和0.1至2.0重量％的1，1，1，2，2，3，4，5，5，5‑十氟戊烷的组合物，其中所述组合物不可燃。本公开还提供从制品表面除去残留物的方法，包括：(a)使所述制品与包含MPHE、HFC‑4310mee和反‑1，2‑二氯乙烯的组合物的组合物接触；以及(b)从所述组合物中回收所述表面。

公开(公告)号：CN108026492A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680052243.7

申请日：2016-08-04

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： R·L-K·常 ,  G·E·帕里斯 ,  陈秀美 ,  李翊嘉 ,  刘文达 ,  陈天牛 ,  L·M·马兹 ,  R·L·C·洛 ,  孟令人

IPC: C11D11/00 ,  C11D3/39 ,  C11D3/34 ,  C11D3/00

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/0073 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5009 ,  C11D7/5013 ,  C11D7/5022 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31133 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05614 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05672 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/01047

Abstract: 本文公开了用于剥离膜厚度为3‑150μm的光刻胶图案的光刻胶清洁组合物，其包含(a)季铵氢氧化物、(b)水溶性有机溶剂的混合物、(c)至少一种腐蚀抑制剂和(d)水，及用该光刻胶清洁组合物处理衬底的方法。

公开(公告)号：CN107121901A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710487777.9

申请日：2017-06-23

Applicant: 昆山欣谷微电子材料有限公司

Inventor： 刘江华

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/426

Abstract: 本发明涉及一种富水基清洗液组合物，包括去离子水、有机季胺化合物、有机醇胺、有机剥离溶剂、缓蚀剂、螯合助剂，并同时提供了所述一种富水基清洗液组合物的使用方法，本发明主要用于去除微电子制造过程中光刻胶残留物，操作温度较低，能耗较少，在对晶圆清洗后无需IPA或NMP等中间溶剂浸泡就可以用水直接漂洗，而且由于不会对金属尤其是铝造成腐蚀，安全环保，有效的降低的清洗成本。同时由于采用了多种具有协同效应的缓蚀剂成分，能非常有效的保护金属基底不受腐蚀，另外，本发明的清洗液配方本身就是一个缓冲体系，保证了清洗液在长时间清洗过程中的稳定，具有较强的使用寿命。

公开(公告)号：CN107085357A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710488370.8

申请日：2017-06-23

Applicant: 昆山欣谷微电子材料有限公司

Inventor： 刘江华

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/426

Abstract: 本发明涉及一种光刻胶剥离液，包括特征性有机胺、辅助性有机胺、极性有机溶剂、腐蚀抑制剂，主要针对当前的光刻胶剥离液操作窗口小，对晶圆基底腐蚀性较强，特别是对深度硬化交联的光刻胶残余物以及负型厚膜光刻胶去除能力较弱等问题，提供一种去胶能力强，操作窗口大，不腐蚀晶圆基底的光刻胶剥离液。本发明的光刻胶剥离液能够非常有效的去LED芯片和半导体晶圆上的光刻胶和光刻胶残余物，尤其对于去除深度硬化交联的光刻胶残余物和厚膜负性光刻胶具有较强的去除能力。同时不腐蚀晶圆基底材料，操作窗口较大，使用寿命较长。

公开(公告)号：CN106959590A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201710230595.3

申请日：2017-04-11

Applicant: 安徽高芯众科半导体有限公司

Inventor： 范银波

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/426

Abstract: 本发明涉及光电技术领域，特别涉及一种黄光制程光刻机零部件负光阻再生方法。本发明所述的一种黄光制程光刻机零部件正光阻再生方法，采用常规的毒性小近乎无毒的酮有机溶剂和酰胺溶剂复配对黄光制程光刻机零部件负光阻进行清洗去除以便再生使用，酮有机溶剂和酰胺溶剂按照科学合理的比例进行复配，大大提高了复配溶剂的溶解力和蒸发速率，清洗效果好，清洗液成本低，对环境友好，同时酰胺和酮有机溶剂均具有还原性，可以很好的抑制零部件表面的腐蚀和老化，很好的保护零部件不会造成其腐蚀和老化，确保零部件的再生使用效果，不会对零部件的使用产生影响；使用本发明的浸泡清洗液和再生方法再生黄光制程光刻机零部件负光阻再生次数可达100次。

公开(公告)号：CN106154772A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610618064.7

申请日：2016-08-01

Applicant: 江阴润玛电子材料股份有限公司

Inventor： 戈烨铭

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/426

Abstract: 本发明涉及一种半导体凸块制程用正胶去胶液，包括如下质量百分比的成分水溶性有机溶剂35～60%，有机胺类10～50%，金属保护剂0.05～0.1%，表面活性剂0.05～0.1%，表面活性助剂0.01～0.04%，余量为纯水。本发明的正胶去胶液体系稳定性提高，使用寿命长，表面张力低，对微小缝隙处的光刻胶去除效果好；在有效清除胶的同时亦不会对半导体凸块基板金属层造成腐蚀。

公开(公告)号：CN105612599A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480055151.5

申请日：2014-10-09

Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司 ,  EKC技术公司

Inventor： H·崔

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311

CPC classification number: C11D11/0047 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/3942 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/04 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3281 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/28 ,  C23F1/34 ,  C23F1/38 ,  C23F1/40 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814

Abstract: 本公开涉及移除组合物，所述移除组合物用于从半导体基板相对于低介电常数介电材料选择性移除基本上由TiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、Ti以及Ti和W的合金组成的硬遮罩。所述半导体基板包含低介电常数介电材料，所述低介电常数介电材料在其上具有TiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、Ti或者Ti或W的合金的硬遮罩。所述移除组合物包含0.1重量％至90重量％的氧化剂；0.0001重量％至50重量％的羧酸盐；以及补足100重量％的所述移除组合物的所述剩余部分，包括去离子水。

公开(公告)号：CN105068388A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510555647.5

申请日：2010-08-04

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： M·I·埃格贝

IPC: G03F7/42

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/0073 ,  C11D7/261 ,  C11D7/266 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/5004 ,  C11D7/5022 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426

Abstract: 本发明涉及用于金属基底的半水性剥离和清洁制剂及其使用方法，以除去整体光致抗蚀剂、蚀刻后和灰化后的残留物以及污染物。该制剂包括：链烷醇胺、水可混溶的有机共溶剂、季铵化合物、非游离酸官能团缓蚀剂，以及剩余物水。pH大于9。