基于ODT辅助合成制备HgTe量子点的方法

    公开(公告)号:CN119612456A

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202411620018.1

    申请日:2024-11-13

    Abstract: 本发明涉及一种胶体量子点制造技术领域,具体为一种基于ODT辅助合成制备HgTe量子点的方法,取油胺加入单口瓶中,再向瓶中依次加入HgCl2以及ODT,然后加入TOP‑Te溶液,最后再溶液中注入四氯乙烯、三巯基丙酸和异丙醇,离心得到沉淀物并分散在正辛烷中,得到HgTe量子点溶液。本方法采用ODT辅助合成,HgTe CQDs单分散性、激子吸收特性优异;通过合成的HgTe量子点制备的HgTe量子点薄膜平整均匀、粗糙度低。

    一种高质量HgTe胶体量子点油墨及薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN119592125A

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN202411622041.4

    申请日:2024-11-14

    Abstract: 本发明属于量子点技术领域,具体公开一种高质量HgTe胶体量子点油墨及薄膜的制备方法,包括以下步骤:取HgTe胶体溶液;配体溶液制备:每5 mL的DMF溶液里中加入5 mg的DDAB、30 mg HgBr2、30 mg HgI2、200μLβ‑ME,混合得到配体溶液;将HgTe胶体溶液和配体溶液进行混溶震荡,将上清液去除,用正辛烷清洗,再用甲苯作为反沉淀剂,离心去除上清液后,将沉淀干燥,得到最终的HgTe CQDs粉末;将HgTe CQDs粉末重新溶入DMF(40µL)和DMSO(10µL)混合溶液里,形成油墨状墨水,将墨水在旋涂机上旋涂得到薄膜,本发明通过使用了β‑ME、HgBr2、HgI2、DDAB等配体进行表面环境修饰,调配量子点墨水溶剂配方改变量子点的表面化学环境,成功制备了致密均匀、表面粗糙度小(RMS=7.3 nm)的HgTe CQD薄膜。

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