公开(公告)号：CN110965120A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201911299779.0

申请日：2019-12-17

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 金青林 ,  王顺金 ,  王栋栋 ,  刘恩典

IPC: C30B28/08 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明公开了一种过共晶铝硅合金中初生硅的分离方法，其采用感应加热区域熔炼工艺，对铝硅合金进行熔化和凝固，实现初生硅在试样底部的富集，达到高效分离的目的；具体为采用工业硅和工业铝为原料，制备铝硅合金铸锭，采用区域熔炼工艺对铸锭进行感应加热区域熔炼。区熔结束后取出试样，截取试样底部的初生硅富集部分进行酸洗便可回收高纯硅。本方法解决了合金凝固精炼过程中初生硅从熔体中分离难、分离效率不高的问题，能实现铝硅合金中初生硅的高效分离，试样的直径和长度可随实际情况扩大或延长，适用于规模化生产。

公开(公告)号：CN111333073A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN202010182714.4

申请日：2020-03-16

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 金青林 ,  王顺金 ,  刘恩典

IPC: C01B33/021 ,  C30B28/08 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明公开了一种从高硅铝合金中获得块体硅的方法，属于太阳能级多晶硅技术领域。在采用感应加热区域熔炼实现初生硅分离的基础上，去除铝富集部分后再次区熔，经过多次区域熔炼，硅在试样底部的富集程度逐渐提高，最终便能获得块体硅；具体为采用工业硅和工业铝为原料，制备铝硅合金铸锭，采用区域熔炼工艺对铸锭进行感应加热区域熔炼。区熔结束后取出试样，截取试样底部的初生硅富集部分再次区熔以获得更加致密的初生硅，最终获得块体硅。本发明通过区域熔炼从铝硅合金中获得块体硅，解决了合金凝固精炼分离硅时夹杂较多铝的问题，实现了初生硅高效分离的同时直接获得块体硅。