-
公开(公告)号：CN114464339B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202210159435.5
申请日：2022-02-22
Applicant: 昆明贵研新材料科技有限公司 , 广东爱晟电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及信息功能新材料的电子浆料技术领域，提供了一种导电金浆及其制备方法和在NTC热敏芯片中的应用。本发明提供的导电金浆包括金粉70～90％、无铅玻璃粉0.5～5％、无机添加剂0～1％和有机载体8～25％。本发明提供的导电金浆以金粉为导电相，可靠性和稳定性更好，能够满足各种严苛应用场景的使用要求，且导电金浆的配方中不含铅、镉、汞等有毒有害物质，满足环保要求；另外，本发明的导电金浆与陶瓷基板材料的烧结匹配性良好，在陶瓷基体上的附着强度优异，电气性能和老化性能优良。
-
公开(公告)号：CN114464339A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210159435.5
申请日：2022-02-22
Applicant: 昆明贵研新材料科技有限公司 , 广东爱晟电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及信息功能新材料的电子浆料技术领域，提供了一种导电金浆及其制备方法和在NTC热敏芯片中的应用。本发明提供的导电金浆包括金粉70～90％、无铅玻璃粉0.5～5％、无机添加剂0～1％和有机载体8～25％。本发明提供的导电金浆以金粉为导电相，可靠性和稳定性更好，能够满足各种严苛应用场景的使用要求，且导电金浆的配方中不含铅、镉、汞等有毒有害物质，满足环保要求；另外，本发明的导电金浆与陶瓷基板材料的烧结匹配性良好，在陶瓷基体上的附着强度优异，电气性能和老化性能优良。
-
公开(公告)号：CN115636664A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211388841.5
申请日：2022-11-08
Applicant: 昆明贵研新材料科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种收缩率可调控的玻璃‑陶瓷体系陶瓷基板材料及其制备方法，属于电子信息功能材料领域。本发明采用两种成分不同、软化温度不同、析晶特性不同的CBS系微晶玻璃，可调控基板烧结过程中的收缩行为，改善基板与LTCC系列浆料共烧出现的烧结翘曲现象；微晶玻璃中MgO和La2O3复合使用能够起到协同作用，在烧结过程中会促进析晶，降低烧结后体系中玻璃相的含量，可有效降低介电损耗；采用CBS微晶玻璃与CaSiO3复合体系，通过陶瓷在基体中的“骨架”效应，可增加基板材料与LTCC浆料共烧的平整性与匹配性；CaSiO3的介电常数较低，可有效调控基板的介电常数。
-
公开(公告)号：CN114349493B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210154548.6
申请日：2022-02-21
Applicant: 昆明贵研新材料科技有限公司
IPC: C04B35/22 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及电子陶瓷材料技术领域，提供了一种铜离子掺杂硅酸钙微波介质陶瓷及其制备方法。本发明在硅酸钙微波介质陶瓷中掺杂铜离子，通过控制合适的铜离子掺杂量，能够抑制煅烧粉中杂相的产生，获得纯相的α‑CaSiO3粉体(三斜晶系，空间群为C1)，进而通过烧结得到单相的β‑CaSiO3陶瓷(单斜晶系，空间群为P21/a)，所得铜离子掺杂硅酸钙微波介质陶瓷的致密度高、微波介电性能优异，具有较高的品质常数和较低的介电常数。另外，本发明通过掺杂铜离子，拓宽了陶瓷的烧结温度范围，传统的固相合成法烧结温度为1300℃以上，而本发明提供的制备方法烧结温度仅为1050℃以上，能够实现低温共烧，有利于实际生产。
-
公开(公告)号：CN114349493A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210154548.6
申请日：2022-02-21
Applicant: 昆明贵研新材料科技有限公司
IPC: C04B35/22 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及电子陶瓷材料技术领域，提供了一种铜离子掺杂硅酸钙微波介质陶瓷及其制备方法。本发明在硅酸钙微波介质陶瓷中掺杂铜离子，通过控制合适的铜离子掺杂量，能够抑制煅烧粉中杂相的产生，获得纯相的α‑CaSiO3粉体(三斜晶系，空间群为C1)，进而通过烧结得到单相的β‑CaSiO3陶瓷(单斜晶系，空间群为P21/a)，所得铜离子掺杂硅酸钙微波介质陶瓷的致密度高、微波介电性能优异，具有较高的品质常数和较低的介电常数。另外，本发明通过掺杂铜离子，拓宽了陶瓷的烧结温度范围，传统的固相合成法烧结温度为1300℃以上，而本发明提供的制备方法烧结温度仅为1050℃以上，能够实现低温共烧，有利于实际生产。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115636664B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211388841.5
申请日：2022-11-08
Applicant: 昆明贵研新材料科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种收缩率可调控的玻璃‑陶瓷体系陶瓷基板材料及其制备方法，属于电子信息功能材料领域。本发明采用两种成分不同、软化温度不同、析晶特性不同的CBS系微晶玻璃，可调控基板烧结过程中的收缩行为，改善基板与LTCC系列浆料共烧出现的烧结翘曲现象；微晶玻璃中MgO和La2O3复合使用能够起到协同作用，在烧结过程中会促进析晶，降低烧结后体系中玻璃相的含量，可有效降低介电损耗；采用CBS微晶玻璃与CaSiO3复合体系，通过陶瓷在基体中的“骨架”效应，可增加基板材料与LTCC浆料共烧的平整性与匹配性；CaSiO3的介电常数较低，可有效调控基板的介电常数。
-
公开(公告)号：CN115466109B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211271913.8
申请日：2022-10-18
Applicant: 昆明贵研新材料科技有限公司
IPC: C04B35/22 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域，提供了一种钙硼硅系LTCC陶瓷材料。本发明通过设计低硼的CBS陶瓷，减少了氧化硼的熔融挥发和硼酸钙的析出，降低了介电损耗；通过引入稀土氧化物Nb2O5和/或Ta2O5能够加强玻璃网络结构，增大玻璃粘度，降低陶瓷材料的介电损耗，同时稀土氧化物Nb2O5和/或Ta2O5的引入还能够抑制析出高温相α‑CaSiO3，促进析出低温相β‑CaSiO3，从而可以在低烧结温度下制得具有低介电常数和低介电损耗的钙硼硅系LTCC陶瓷材料。实施例的结果显示，本发明提供的钙硼硅系LTCC陶瓷材料的介电常数εr为6.18，介电损耗tanδ为1.19×10‑3(1MHz)。
-
公开(公告)号：CN115572073A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211391910.8
申请日：2022-11-08
Applicant: 昆明贵研新材料科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种可控强析晶高频低损耗LTCC基板材料及其制备方法，属于电子信息功能材料领域。本发明以CaO‑B2O3‑SiO2系微晶玻璃作为原料，在烧结过程中可以析出CaSiO3晶体相和CaB2O4晶相；CaO‑B2O3‑SiO2系微晶玻璃中的ZrO2、TiO2的加入会促进析晶，且Zr4+、Ti4+均属于高化合价，组合式加入CBS中可有效促进析晶，明显降低烧结后体系中玻璃相的含量，可有效降低介电损耗；ZrO2和TiO2的加入会使基板介电常数升高，而CaSiO3的加入能够降低介电常数，通过调控两者的用量可有效调控基板的介电常数与介电损耗。
-
公开(公告)号：CN115572073B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202211391910.8
申请日：2022-11-08
Applicant: 昆明贵研新材料科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种可控强析晶高频低损耗LTCC基板材料及其制备方法，属于电子信息功能材料领域。本发明以CaO‑B2O3‑SiO2系微晶玻璃作为原料，在烧结过程中可以析出CaSiO3晶体相和CaB2O4晶相；CaO‑B2O3‑SiO2系微晶玻璃中的ZrO2、TiO2的加入会促进析晶，且Zr4+、Ti4+均属于高化合价，组合式加入CBS中可有效促进析晶，明显降低烧结后体系中玻璃相的含量，可有效降低介电损耗；ZrO2和TiO2的加入会使基板介电常数升高，而CaSiO3的加入能够降低介电常数，通过调控两者的用量可有效调控基板的介电常数与介电损耗。
-
公开(公告)号：CN115466109A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211271913.8
申请日：2022-10-18
Applicant: 昆明贵研新材料科技有限公司
IPC: C04B35/22 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域，提供了一种钙硼硅系LTCC陶瓷材料。本发明通过设计低硼的CBS陶瓷，减少了氧化硼的熔融挥发和硼酸钙的析出，降低了介电损耗；通过引入稀土氧化物Nb2O5和/或Ta2O5能够加强玻璃网络结构，增大玻璃粘度，降低陶瓷材料的介电损耗，同时稀土氧化物Nb2O5和/或Ta2O5的引入还能够抑制析出高温相α‑CaSiO3，促进析出低温相β‑CaSiO3，从而可以在低烧结温度下制得具有低介电常数和低介电损耗的钙硼硅系LTCC陶瓷材料。实施例的结果显示，本发明提供的钙硼硅系LTCC陶瓷材料的介电常数εr为6.18，介电损耗tanδ为1.19×10‑3(1MHz)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.065 seconds)
