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公开(公告)号：CN102569549A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110374851.9
申请日：2011-11-18
Applicant: 星和电机株式会社
Inventor： 须田修平
CPC classification number: B23K26/0853 , B23K26/032 , B23K26/042 , B23K26/351 , B26D3/06 , Y10T83/141 , Y10T83/145
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件测量装置，其能够改变半导体发光元件的特性。可动载物台(31)载置LED芯片(10、11)，并且利用位置调整部(38)的控制沿水平方向(例如x轴方向、y轴方向)移动。探针(32)与在LED芯片(10、11)的表面形成的焊接电极接触而对LED芯片(10、11)施加所需的电压。光检测部(34)检测来自LED芯片(10、11)的光。光学特性测量部(36)基于光检测部(34)的检测结果，测量LED芯片(10、11)的光学特性。激光源(33)利用激光将LED芯片(10、11)的一部分表面切除。
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公开(公告)号：CN110225895A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201780083902.8
申请日：2017-12-21
Applicant: 星和电机株式会社
Abstract: 提供能够超过基于静电排斥力的降低物质附着的效果地降低物质向基体表面的附着的基体保护膜。在基体1表面上形成包含带电物质并具有静电排斥力的第一层(电荷保持层3)，在该第一层的表面上形成对表面自由能进行控制的第二层(由官能团长度小于1nm并且50mJ/m2以下的低表面自由能的官能团形成的官能团层4)。由于通过这样形成基体保护膜2，能够一边保持基体1表面上的静电排斥力，一边降低基于分子间力的物质附着，因此能够超过仅基于静电排斥力的降低物质附着的效果地、降低物质向基体1表面的附着。
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公开(公告)号：CN110225895B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201780083902.8
申请日：2017-12-21
Applicant: 星和电机株式会社
Abstract: 提供能够超过基于静电排斥力的降低物质附着的效果地降低物质向基体表面的附着的基体保护膜。在基体1表面上形成包含带电物质并具有静电排斥力的第一层(电荷保持层3)，在该第一层的表面上形成对表面自由能进行控制的第二层(由官能团长度小于1nm并且50mJ/m2以下的低表面自由能的官能团形成的官能团层4)。由于通过这样形成基体保护膜2，能够一边保持基体1表面上的静电排斥力，一边降低基于分子间力的物质附着，因此能够超过仅基于静电排斥力的降低物质附着的效果地、降低物质向基体1表面的附着。
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公开(公告)号：CN102263120A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110137133.X
申请日：2011-05-24
Applicant: 星和电机株式会社
Inventor： 须田修平
CPC classification number: H01L27/153 , H01L33/38 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件、发光装置、照明装置、显示装置、信号灯器和道路信息装置，所述半导体发光元件不用在外部设置保护元件就能够在静电和过电压下得到保护。发光元件(100)在矩形形状的基板(1)的一个对角线上的角部附近，以分开的方式分别形成LED结构，所述LED结构由对n型半导体层(LED结构)(20)、活性层(未图示)以及p型半导体层(3)进行层压的半导体层所构成。另外，在基板(1)的另一个对角线上的角部附近，分别形成俯视为圆形的焊接电极(71、71)。此外，在基板(1)的相对置的边缘附近，形成由n型半导体层(22)、(21)所构成的电阻元件。
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