公开(公告)号：CN1291065A

公开(公告)日：2001-04-11

申请号：CN00129299.4

申请日：2000-10-08

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  星电株式会社

Inventor： 大川重明 ,  大古田敏幸 ,  大林义昭 ,  安田护 ,  佐伯真一 ,  大泽周治

IPC: H04R19/04 ,  H01L27/20

CPC classification number: H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: 本发明的课题在于防止在半导体驻极体电容话筒中使用的半导体衬底上形成的电子电路的误操作。在半导体衬底11上形成固定电极层12,通过衬垫14设置了振动膜16。将振动膜16的尺寸形成得比固定电极层12的尺寸大,由于将振动膜16作为一种结构要产生寄生电容,故在其间配置屏蔽金属33。

公开(公告)号：CN1306219A

公开(公告)日：2001-08-01

申请号：CN00134268.1

申请日：2000-11-29

Applicant: 星电株式会社

Inventor： 大林义昭 ,  中川浩志

IPC: G02B6/36

CPC classification number: G02B6/3849 ,  G02B6/4292 ,  G02B2006/4297

Abstract: 本发明的光连接器即使在插拔对方光连接器时受到撬动,此撬动力也不会传递到有关盖上。且只需变更盖的设计就能变更光连接器的外观。此光连接器的主体部10中具有供对方光连接器插拔的嵌合孔部17,主体部10上还安装有能开闭的盖30。主体部10中具备的筒形壁15的内部空间形成了此嵌合孔部17。盖30具有可相对主体部10的外侧嵌脱的覆罩壁部31。

公开(公告)号：CN1291066A

公开(公告)日：2001-04-11

申请号：CN00129300.1

申请日：2000-10-08

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  星电株式会社

Inventor： 大川重明 ,  大古田敏幸 ,  大林义昭 ,  安田护 ,  佐伯真一 ,  大泽周治

IPC: H04R19/04 ,  H01L27/20

CPC classification number: H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: 本发明的课题在于,在使电容话筒一体化用的半导体装置中,防止因不需要的光的入射引起的电路的误操作。在半导体衬底11上形成固定电极层12,利用形成各电路元件的电极布线32在其周边的电路元件区50上构成集成电路网。用屏蔽金属17覆盖电路元件的上方。在钝化膜35上的多个部位上配置衬垫20。在电路元件区50与固定电极层区52之间的区域上形成虚设岛18。对虚设岛18施加电源电位VCC,对P+分离区23施加接地电位GND。

公开(公告)号：CN1289220A

公开(公告)日：2001-03-28

申请号：CN00128754.0

申请日：2000-09-15

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  星电株式会社

Inventor： 大川重明 ,  大古田敏幸 ,  大林义昭 ,  安田护 ,  佐伯真一 ,  大泽周治

IPC: H04R19/04 ,  H04R31/00

CPC classification number: H04R7/16 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: 本发明的课题在于增大半导体驻极体电容话筒的电容值、使振动膜容易振动,同时防止制造成本的上升。在半导体衬底11上形成固定电极层12,在衬垫14上设置了振动膜16。该振动膜16被配置成从半导体衬底11的端部伸出,电极焊区20～23被配置成从振动膜16露出。

公开(公告)号：CN100393175C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN00129300.1

申请日：2000-10-08

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  星电株式会社

Inventor： 大川重明 ,  大古田敏幸 ,  大林义昭 ,  安田护 ,  佐伯真一 ,  大泽周治

IPC: H04R19/04 ,  H01L27/20

CPC classification number: H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: 本发明的课题在于，在使电容话筒一体化用的半导体装置中，防止因不需要的光的入射引起的电路的误操作。在半导体衬底11上形成固定电极层12，利用形成各电路元件的电极布线32在其周边的电路元件区50上构成集成电路网。用屏蔽金属17覆盖电路元件的上方。在钝化膜35上的多个部位上配置衬垫20。在电路元件区50与固定电极层区52之间的区域上形成虚设岛18。对虚设岛18施加电源电位VCC，对P+分离区23施加接地电位GND。

公开(公告)号：CN1603841A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410092151.0

申请日：2004-09-29

Applicant: 星电株式会社

Inventor： 大林义昭 ,  安田护 ,  杉森康雄

IPC: G01P15/09 ,  G01H11/08 ,  G01M7/02 ,  G01C22/00

CPC classification number: G01H11/08

Abstract: 一种压电型振动传感器。其由在两个表面上分别形成有电极膜的压电薄膜和在两个表面上分别形成有金属膜的软质板的层叠体形成振动膜，在该振动膜的一个面上安装压重。设置一对用于从两侧支承振动膜的周围边缘部分的框架，通过将这些振动膜和框架放置在一端开放的壳体内，并由基板封闭壳体的开放端，由上述的一对框架支承振动膜的周围边缘部分。

公开(公告)号：CN1163773C

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN00134268.1

申请日：2000-11-29

Applicant: 星电株式会社

Inventor： 大林义昭 ,  中川浩志

IPC: G02B6/36

CPC classification number: G02B6/3849 ,  G02B6/4292 ,  G02B2006/4297

Abstract: 本发明的光连接器即使在插拔对方光连接器时受到撬动，此撬动力也不会传递到有关盖上。且只需变更盖的设计就能变更光连接器的外观。此光连接器的主体部10中具有供对方光连接器插拔的嵌合孔部17，主体部10上还安装有能开闭的盖30。主体部10中具备的筒形壁15的内部空间形成了此嵌合孔部17。盖30具有可相对主体部10的外侧嵌脱的覆罩壁部31。

公开(公告)号：CN1795700A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200480014768.9

申请日：2004-05-25

Applicant: 星电株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大林义昭 ,  安田护 ,  佐伯真一 ,  驹井正嗣 ,  加川健一

IPC: H04R19/01

CPC classification number: H04R19/005

Abstract: 本发明提供一种以必要的厚度形成振动膜的同时使振动膜的变形得到抑制的声音检测机构。该声音检测机构是在基板(A)上具有形成电容器的一对电极，该一对电极之中的一个电极是形成有相当于声孔的通孔(Ca)的背面电极(C)，另一个电极是振动膜(B)的声音检测机构，以基板(A)上所形成的作为振动膜(B)的膜体为基准，在基板(A)的基材一侧具有硅氮化膜(303)。

公开(公告)号：CN1175710C

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN00129299.4

申请日：2000-10-08

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  星电株式会社

Inventor： 大川重明 ,  大古田敏幸 ,  大林义昭 ,  安田护 ,  佐伯真一 ,  大泽周治

IPC: H04R19/04 ,  H01L27/20

CPC classification number: H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: 本发明的课题在于防止在半导体驻极体电容话筒中使用的半导体衬底上形成的电子电路的误操作。在半导体衬底11上形成固定电极层12，通过衬垫14设置了振动膜16。将振动膜16的尺寸形成得比固定电极层12的尺寸大，由于将振动膜16作为一种结构要产生寄生电容，故在其间配置屏蔽金属33。

公开(公告)号：CN1159606C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN01142402.8

申请日：2001-11-01

Applicant: 星电株式会社

Inventor： 大林义昭 ,  峰启治 ,  中川浩志

IPC: G02B6/36

CPC classification number: G02B6/4201 ,  G02B6/3897 ,  G02B6/4256 ,  G02B6/428 ,  G02B6/4292 ,  H05K3/341

Abstract: 本发明公开一种超小型光学插座，其中，金属盖(21)安装在插座基体(11)的后端，盖住插座基体的顶面、两个侧面和后端面，金属盖(21)有一对焊接到电路板上的焊接部分(25)，使插座基体(11)压到、并固定到电路板上。本发明的超小型光学插头显著地提高了光学插座的安装强度(焊接强度)并减小了光学插座的深度，因而能够使插座小型化，从而克服了现有技术中焊接强度随着光学插头的小型化而减小的问题。