配线结构体及其制造方法、以及半导体封装件

    公开(公告)号:CN115700019A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202180036614.3

    申请日:2021-06-23

    Abstract: 本发明公开一种具备在绝缘树脂层上形成配线的工序的制造配线结构体的方法。形成配线的工序包括:通过伴随表面改性的处理方法处理绝缘树脂层表面,在绝缘树脂层的表层形成包含空孔的改性区域;在绝缘树脂层的表面上通过溅射形成种子层;及在种子层上通过电解铜镀敷形成配线。公开的方法可以依次包括:利用用于提高密合性的表面处理剂处理配线的表面,形成覆盖配线的表面的表面处理剂层的工序;通过伴随表面改性的处理方法处理第1层的绝缘树脂层的表面,在第1层的绝缘树脂层的表层形成包含空孔的改性区域的工序。

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