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公开(公告)号：CN107068168A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611161241.X
申请日：2016-12-15
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种磁记录介质，其非磁性基板上至少设置了软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层及保护层，垂直磁性层从基板侧开始依次包括第1至第4磁性层，第1至第4磁性层为粒状结构磁性层，构成第1至第4磁性层的磁性颗粒为连续柱状晶，第1磁性层和第2磁性层之间及第2磁性层和第3磁性层之间分别具有交换结合控制层，第3磁性层与第4磁性层接触，第1至第4磁性层为强磁结合，在第1至第4磁性层的磁各向异性常数为Kui、饱和磁化强度为Msi及膜厚为ti时，满足Kui＞Kui+1(i＝1，2)、Msi·ti＞Msi+1·ti+1(i＝1，2)、Kui＜Kui+1(i＝3)及Msi·ti＜Msi+1·ti+1(i＝3)的关系。
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公开(公告)号：CN103730135A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310467368.4
申请日：2013-10-09
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: G11B5/738 , G11B5/7325 , G11B5/84
Abstract: 一种磁记录介质（50），是在非磁性基板（1）之上至少层叠有控制正上层的取向性的取向控制层（9）、和易磁化轴相对于所述非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性层（4）的磁记录介质（50），取向控制层（9）具备：包含Ru或Ru合金的含Ru层（3）；和设置于含Ru层（3）的垂直磁性层（4）侧，包含熔点为1500℃以上4215℃以下的、共价键合或离子键合的材料，防止含Ru层（3）的Ru原子的热扩散的防止扩散层（8），垂直磁性层（4）包含通过防止扩散层（8）继承含Ru层（3）的晶粒的晶体结构、并与晶粒一同在厚度方向连续的柱状晶体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104347088B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201410379802.8
申请日：2014-08-04
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/851 , C23C14/08 , G11B5/65 , G11B5/66 , G11B5/8404
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置。磁记录介质的制造方法至少具有：在非磁性基板上形成对正上层的配向性进行控制的配向控制层的步骤；及形成易磁化轴相对于所述非磁性基板主要进行了垂直配向的垂直磁性层的步骤。形成所述配向控制层的步骤具有：采用溅射法形成包含Ru或以Ru为主成分的材料、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。形成所述垂直磁性层的步骤具有：采用溅射法形成包含磁性颗粒、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。所述磁性颗粒以包含构成所述配向控制层的结晶颗粒并形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式结晶成长。
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公开(公告)号：CN107068168B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201611161241.X
申请日：2016-12-15
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种磁记录介质，其非磁性基板上至少设置了软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层及保护层，垂直磁性层从基板侧开始依次包括第1至第4磁性层，第1至第4磁性层为粒状结构磁性层，构成第1至第4磁性层的磁性颗粒为连续柱状晶，第1磁性层和第2磁性层之间及第2磁性层和第3磁性层之间分别具有交换结合控制层，第3磁性层与第4磁性层接触，第1至第4磁性层为强磁结合，在第1至第4磁性层的磁各向异性常数为Kui、饱和磁化强度为Msi及膜厚为ti时，满足Kui＞Kui+1(i＝1，2)、Msi·ti＞Msi+1·ti+1(i＝1，2)、Kui＜Kui+1(i＝3)及Msi·ti＜Msi+1·ti+1(i＝3)的关系。
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公开(公告)号：CN103730135B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310467368.4
申请日：2013-10-09
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 一种磁记录介质（50），是在非磁性基板（1）之上至少层叠有控制正上层的取向性的取向控制层（9）、和易磁化轴相对于所述非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性层（4）的磁记录介质（50），取向控制层（9）具备：包含Ru或Ru合金的含Ru层（3）；和设置于含Ru层（3）的垂直磁性层（4）侧，包含熔点为1500℃以上4215℃以下的、共价键合或离子键合的材料，防止含Ru层（3）的Ru原子的热扩散的防止扩散层（8），垂直磁性层（4）包含通过防止扩散层（8）继承含Ru层（3）的晶粒的晶体结构、并与晶粒一同在厚度方向连续的柱状晶体。
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公开(公告)号：CN104347088A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410379802.8
申请日：2014-08-04
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/851 , C23C14/08 , G11B5/65 , G11B5/66 , G11B5/8404
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置。磁记录介质的制造方法至少具有：在非磁性基板上形成对正上层的配向性进行控制的配向控制层的步骤；及形成易磁化轴相对于所述非磁性基板主要进行了垂直配向的垂直磁性层的步骤。形成所述配向控制层的步骤具有：采用溅射法形成包含Ru或以Ru为主成分的材料、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。形成所述垂直磁性层的步骤具有：采用溅射法形成包含磁性颗粒、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。所述磁性颗粒以包含构成所述配向控制层的结晶颗粒并形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式结晶成长。
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公开(公告)号：CN103943116A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410028681.2
申请日：2014-01-21
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/851 , C23C14/0688 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/165 , C23C14/54 , G11B5/7325 , G11B5/738 , G11B5/8404
Abstract: 本发明提供磁记录介质的制造方法、磁记录介质以及磁记录再现装置，该制造方法至少具备如下工序：形成取向控制层（3）的工序，在非磁性基板（1）上形成控制正上方的层的取向性的取向控制层（3）；和形成垂直磁性层（4）的工序，形成易磁化轴相对于非磁性基板（1）主要垂直地取向的垂直磁性层（4），其中，形成取向控制层（3）的工序包括利用溅射法形成具有粒状结构的粒状层的子工序，所述粒状层包含Ru或以Ru为主要成分的材料和熔点为450℃以上且1000℃以下的氧化物，形成垂直磁性层（4）的工序是以与构成取向控制层（3）的晶体颗粒一同形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式使晶体颗粒进行晶体生长的工序。
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