公开(公告)号：CN102737653B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201210086440.4

申请日：2012-03-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 入泽寿和 ,  桥本笃志

IPC: G11B5/84 ,  C23C14/00 ,  C23C14/06

CPC classification number: G11B5/7325 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0042 ,  C23C14/165 ,  C30B23/002 ,  C30B23/025 ,  C30B29/52 ,  G11B5/656 ,  G11B5/66 ,  G11B5/851

Abstract: 本发明提供一种维持垂直磁性层的高的垂直取向性，能够进行进一步的高记录密度化的磁记录介质的制造方法。所述磁记录介质的制造方法是在非磁性基板之上至少层叠软磁性基底层、控制紧上方的层的取向性的取向控制层(11)、易磁化轴相对于非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性层而成的磁记录介质的制造方法，其中，在以由2层以上的磁性层构成上述垂直磁性层，且构成各磁性层的结晶粒子与构成取向控制层(11)的结晶粒子一同形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式使各层结晶生长时，由CoCr合金形成取向控制层(11)，通过采用在溅射气体中混合了氮气的反应溅射形成该取向控制层(11)而使CoCr合金中掺杂3～15原子％的范围的氮。

公开(公告)号：CN102737653A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210086440.4

申请日：2012-03-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 入泽寿和 ,  桥本笃志

IPC: G11B5/84 ,  C23C14/00 ,  C23C14/06

CPC classification number: G11B5/7325 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0042 ,  C23C14/165 ,  C30B23/002 ,  C30B23/025 ,  C30B29/52 ,  G11B5/656 ,  G11B5/66 ,  G11B5/851

Abstract: 本发明提供一种维持垂直磁性层的高的垂直取向性，能够进行进一步的高记录密度化的磁记录介质的制造方法。所述磁记录介质的制造方法是在非磁性基板之上至少层叠软磁性基底层、控制紧上方的层的取向性的取向控制层(11)、易磁化轴相对于非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性层而成的磁记录介质的制造方法，其中，在以由2层以上的磁性层构成上述垂直磁性层，且构成各磁性层的结晶粒子与构成取向控制层(11)的结晶粒子一同形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式使各层结晶生长时，由CoCr合金形成取向控制层(11)，通过采用在溅射气体中混合了氮气的反应溅射形成该取向控制层(11)而使CoCr合金中掺杂3～15原子％的范围的氮。