公开(公告)号：CN102576666B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201080037687.6

申请日：2010-08-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 百瀬賢治 ,  田岛裕 ,  坂口泰之 ,  小田原道哉 ,  宫坂佳彦

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36

CPC classification number: H01L29/0684 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供一种在晶片的整个面没有台阶束的无台阶束的SiC外延晶片及其制造方法。本发明的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：将以5°以下的偏轴角倾斜的4H-SiC单晶基板研磨到其表面的晶格无序层变为3nm以下的工序；在氢气氛下，使研磨后的基板为1400～1600℃，将其表面清洁化的工序；向清洁化后的基板的表面，以浓度比C/Si为0.7～1.2同时地供给碳化硅的外延生长所需要的量的SiH4气体和C3H8气体，使碳化硅外延生长的工序；和同时地停止SiH4气体和C3H8气体的供给，保持基板温度直到排出SiH4气体和C3H8气体，其后进行降温的工序。

公开(公告)号：CN103649385B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201280035315.9

申请日：2012-07-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 影岛庆明 ,  武藤大祐 ,  百濑贤治 ,  宫坂佳彦

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/681 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/52 ,  C30B25/02 ,  C30B25/12 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/34

Abstract: 本发明的SiC外延晶片的制造方法，包括：使用SiC外延晶片的制造装置，一边向腔室内供给原料气体，一边制造在SiC单晶晶片的面上具有SiC外延层的SiC外延晶片的工序；和对于之前制造出的SiC外延晶片的SiC外延层，测定了以腔室内的构件的材料片为起点的三角缺陷的面密度后，制造下一个SiC外延晶片的工序。

公开(公告)号：CN103649385A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280035315.9

申请日：2012-07-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 影岛庆明 ,  武藤大祐 ,  百濑贤治 ,  宫坂佳彦

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/681 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/52 ,  C30B25/02 ,  C30B25/12 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/34

Abstract: 本发明的SiC外延晶片的制造方法，包括：使用SiC外延晶片的制造装置，一边向腔室内供给原料气体，一边制造在SiC单晶晶片的面上具有SiC外延层的SiC外延晶片的工序；和对于之前制造出的SiC外延晶片的SiC外延层，测定了以腔室内的构件的材料片为起点的三角缺陷的面密度后，制造下一个SiC外延晶片的工序。

公开(公告)号：CN102576666A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080037687.6

申请日：2010-08-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 百瀬賢治 ,  田岛裕 ,  坂口泰之 ,  小田原道哉 ,  宫坂佳彦

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36

CPC classification number: H01L29/0684 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供一种在晶片的整个面没有台阶束的无台阶束的SiC外延晶片及其制造方法。本发明的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：将以5°以下的偏轴角倾斜的4H-SiC单晶基板研磨到其表面的晶格无序层变为3nm以下的工序；在氢气氛下，使研磨后的基板为1400～1600℃，将其表面清洁化的工序；向清洁化后的基板的表面，以浓度比C/Si为0.7～1.2同时地供给碳化硅的外延生长所需要的量的SiH4气体和C3H8气体，使碳化硅外延生长的工序；和同时地停止SiH4气体和C3H8气体的供给，保持基板温度直到排出SiH4气体和C3H8气体，其后进行降温的工序。

公开(公告)号：CN1301290A

公开(公告)日：2001-06-27

申请号：CN98810971.9

申请日：1998-11-10

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 中村佳澄 ,  井上长三 ,  宫坂佳彦 ,  门田隆二

IPC: C09K3/18 ,  B32B7/00 ,  B05D5/00

Abstract: 本发明涉及具备含有平均一次粒径为1nm～200nm的难溶于水或不溶于水的微粒材料,较好是含有表面实质上为经过氟化处理的微粒状金属氧化物微粒的表面层的物品;形成前述斥水性表面层时所用的前述含有微粒材料的斥水性涂料;以及将前述涂料涂布在物品上,或涂布被覆用树脂后散布前述微粒,再使树脂固化来赋予物品以斥水性的方法。