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公开(公告)号：CN113939497A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202080038234.9
申请日：2020-12-23
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C231/24 , C07C233/05 , C07C233/03 , C07C233/65 , C07D207/267 , C08F26/02
Abstract: 提供能够有效率地将N‑乙烯基羧酸酰胺精制，制造高聚合性的N‑乙烯基羧酸酰胺单体的方法。本发明的高聚合性N‑乙烯基羧酸酰胺单体的制造方法，其特征在于，包含下述工序：工序(A)：使包含N‑乙烯基羧酸酰胺单体50～88质量％的粗N‑乙烯基羧酸酰胺单体通过升温而熔解，然后通过冷却而析出(冷却晶析)，将析出了的N‑乙烯基羧酸酰胺单体结晶进行固液分离的工序；以及工序(B)：使在工序(A)中被分离出的N‑乙烯基羧酸酰胺单体结晶进一步溶解于乙腈与碳原子数6～7的脂肪族烃的混合溶剂后，进行晶析(溶剂晶析)，进行固液分离，回收N‑乙烯基羧酸酰胺单体精制物的工序，工序(B)中的乙腈/N‑乙烯基羧酸酰胺单体结晶的质量比为0.01以上且0.5以下，工序(B)中的碳原子数6～7的脂肪族烃/N‑乙烯基羧酸酰胺单体结晶的质量比为0.5以上且3.0以下。
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公开(公告)号：CN113874347A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080038148.8
申请日：2020-12-23
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C231/24 , C07C233/05
Abstract: 提供能够有效率地将N‑乙烯基羧酸酰胺精制，制造高聚合性的N‑乙烯基羧酸酰胺单体的方法。本发明的高聚合性N‑乙烯基羧酸酰胺单体的制造方法，其特征在于，包含下述工序：工序(A)：使包含N‑乙烯基羧酸酰胺单体50～88质量％的粗N‑乙烯基羧酸酰胺单体通过升温而熔解，然后通过冷却而析出(冷却晶析)，将析出了的N‑乙烯基羧酸酰胺单体结晶进行固液分离的工序；以及工序(B)：使在工序(A)中被分离出的N‑乙烯基羧酸酰胺单体结晶进一步溶解于乙酸乙酯与碳原子数6～7的脂肪族烃的混合溶剂后，进行晶析(溶剂晶析)，进行固液分离，回收N‑乙烯基羧酸酰胺单体精制物的工序，工序(B)中的乙酸乙酯/N‑乙烯基羧酸酰胺单体结晶的质量比为0.01以上且0.5以下，工序(B)中的碳原子数6～7的脂肪族烃/N‑乙烯基羧酸酰胺单体结晶的质量比为0.5以上且3.0以下。
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公开(公告)号：CN109563026A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780046201.7
申请日：2017-07-25
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C227/18 , C07C229/08 , C07C319/20 , C07C323/58 , C07B61/00
Abstract: 本发明涉及α-氨基酸的制造方法，是使特定的α-氨基酸酰胺与水在锆化合物的存在下进行反应，来制造特定的α-氨基酸的方法，该锆化合物含有选自锂、镍、铜、锌、铯、钡、铪、钽、铈和镝中的至少1种金属元素、和锆。
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公开(公告)号：CN101910457A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880122880.2
申请日：2008-12-16
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C23C16/42 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/42 , C07F17/02 , H01L21/28061 , H01L21/28518 , H01L21/2855
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种用于含镍的膜的形成材料，其熔点低，可以以液体形式使用，且具有较高的蒸气压，进而工业上容易合成，较稳定，在使用CVD法来形成含镍的膜、优选硅化镍膜时容易形成良好的膜。本发明的含镍的膜的形成材料，其特征在于，含有下述式(1)的结构式所示的化合物。其中，R1和R2各自独立地是氢原子、或下述式(2)的结构式所示的基团，此外，a和b分别为0～4的整数，除了R1和R2均表示氢的情况以外，a和b满足0＜a+b≤4。其中，R3、R4和R5各自独立地是碳原子数为1～2的烷基。
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公开(公告)号：CN101578390A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200880001981.4
申请日：2008-03-07
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C23C16/42 , H01L21/285 , H01L21/28
Abstract: 本发明的目的在于提供一种形成含钴膜的材料，其熔点低、可以作为液体进行处理、具有高蒸气压、进而在工业上合成容易且稳定、容易通过CVD(化学气相沉积)法形成良好的含钴膜尤其是良好的硅化钴膜。本发明的形成含钴膜的材料的特征在于，用下述式1的结构表示。Co(R1aC5H(5－a))(R2bC5H(5－b))…(1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113166041A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980078289.X
申请日：2019-11-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C231/12 , C07C231/24 , C07C233/05
Abstract: 本发明提供可以抑制热分解反应器的由凝结体引起的堵塞问题，长期稳定地连续运转的N‑乙烯基羧酸酰胺的制造方法。一种N‑乙烯基羧酸酰胺的制造方法，其包含：供给工序S1，将N‑(1‑烷氧基乙基)羧酸酰胺作为原料而供给到蒸发器；蒸发工序S2，在蒸发器中使原料蒸发而制成气化原料；以及热分解工序S4，将气化原料供给到热分解反应器，进行热分解，在蒸发工序S2与热分解工序S4之间进一步包含下述回收工序S3：将供给到蒸发器的原料之中的未气化的液体原料和气化原料的一部分液化而成的液体原料回收，回收工序S3为通过在蒸发器与热分解反应器之间具备的原料回收装置而回收液体原料的工序。
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公开(公告)号：CN109415299A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780038018.2
申请日：2017-07-11
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C227/26 , C07C229/08 , C07B61/00
Abstract: 本发明提供下述甘氨酸的制造方法：在由氨基乙腈合成甘氨酸时，与以往相比能够以高收率获得甘氨酸。一种甘氨酸的制造方法，其特征在于，使氨基乙腈与水在铈化合物的存在下，此外，进一步添加氨而使其反应，从而获得甘氨酸。
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公开(公告)号：CN102666519B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201080058515.7
申请日：2010-12-17
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07D301/12 , C07D303/28
CPC classification number: C07D301/12 , C07D303/28
Abstract: 本发明提供使过氧化氢和乙腈与具有碳－碳双键的有机化合物的碳－碳双键进行反应的高效率的环氧化合物的制造方法。所述环氧化合物的制造方法是在乙腈的存在下，使用过氧化氢作为氧化剂，将具有碳－碳双键的有机化合物的该碳－碳双键进行环氧化的环氧化合物的制造方法，其特征在于，使用含有醇的溶剂将反应体系内的乙腈的浓度控制在0.6～5摩尔/L的范围内，同时使反应进行。
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公开(公告)号：CN102666519A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080058515.7
申请日：2010-12-17
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07D301/12 , C07D303/28
CPC classification number: C07D301/12 , C07D303/28
Abstract: 本发明提供使过氧化氢和乙腈与具有碳－碳双键的有机化合物的碳－碳双键进行反应的高效率的环氧化合物的制造方法。所述环氧化合物的制造方法是在乙腈的存在下，使用过氧化氢作为氧化剂，将具有碳－碳双键的有机化合物的该碳－碳双键进行环氧化的环氧化合物的制造方法，其特征在于，使用含有醇的溶剂将反应体系内的乙腈的浓度控制在0.6～5摩尔/L的范围内，同时使反应进行。
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公开(公告)号：CN113939496A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202080038138.4
申请日：2020-12-23
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C231/24 , C07C233/05
Abstract: 提供能够有效率地将N‑乙烯基羧酸酰胺精制，制造高聚合性的N‑乙烯基羧酸酰胺单体的方法。本发明的高聚合性N‑乙烯基羧酸酰胺单体的制造方法，其特征在于，包含下述工序：工序(A)：使包含N‑乙烯基羧酸酰胺单体50～88质量％的粗N‑乙烯基羧酸酰胺单体通过升温而熔解，然后通过冷却而析出(冷却晶析)，将析出了的N‑乙烯基羧酸酰胺单体结晶进行固液分离的工序；以及工序(B)：使在工序(A)中被分离出的N‑乙烯基羧酸酰胺单体结晶进一步溶解于甲苯与碳原子数6～7的脂肪族烃的混合溶剂后，进行晶析(溶剂晶析)，进行固液分离，回收N‑乙烯基羧酸酰胺单体精制物的工序，工序(B)中的甲苯/N‑乙烯基羧酸酰胺单体结晶的质量比为0.01以上且0.5以下，工序(B)中的碳原子数6～7的脂肪族烃/N‑乙烯基羧酸酰胺单体结晶的质量比为0.5以上且3.0以下。
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