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公开(公告)号：CN1683923B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200510070123.3
申请日：2001-03-30
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 在一种制造卤素化合物或全氟化碳化合物的设备中，为了将卤素气体和/或氟代烃气体浓度控制在设定在范围内，提供卤素气体和/或氟代烃气体的管理上需要的迅速、容易且精度高的测定方法，加之结构小型化、另外零件交换迅速、容易的测定装置和使用它的制造卤素化合物或全氟化碳化合物的方法。
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公开(公告)号：CN1683923A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200510070123.3
申请日：2001-03-30
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 在一种制造卤素化合物或全氟化碳化合物的设备中，为了将卤素气体和/或氟代烃气体浓度控制在设定在范围内，提供卤素气体和/或氟代烃气体的管理上需要的迅速、容易且精度高的测定方法，加之结构小型化、另外零件交换迅速、容易的测定装置和使用它的制造卤素化合物或全氟化碳化合物的方法。
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公开(公告)号：CN1330267A
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：CN01121898.3
申请日：2001-03-30
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 在一种制造卤素化合物或全氟化碳化合物的设备中,为了将卤素气体和/或氟代烃气体浓度控制在设定在范围内,提供卤素气体和/或氟代烃气体的管理上需要的迅速、容易且精度高的测定方法,加之结构小型化、另外零件交换迅速、容易的测定装置和使用它的制造卤素化合物或全氟化碳化合物的方法。
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