公开(公告)号：CN101606197A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200880004342.3

申请日：2008-01-16

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 坂口龙二 ,  黑川刚平 ,  佐佐木有三 ,  小松田辰 ,  A·K·辛格

IPC: G11B5/738 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/8404 ,  G11B5/7325

Abstract: 在至少具有非磁性基底上的软磁背层、底层、中间层以及垂直磁记录层的垂直磁记录介质中，所述中间层中的至少一个层包含作为主成分元素的Re并包含作为第二主成分元素的具有hcp结构的元素或具有bcc结构的元素。作为所述中间层的主成分元素的Re的浓度在从55到99.5原子百分比的范围内。所述第二主成分元素为Co或Cr。

公开(公告)号：CN101627429A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200880007478.X

申请日：2008-02-19

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 坂口龙二 ,  黑川刚平 ,  佐佐木有三 ,  小松田辰 ,  A·K·辛格

IPC: G11B5/738 ,  G11B5/65 ,  G11B5/667 ,  G11B5/673

CPC classification number: G11B5/7325 ,  Y10T428/11

Abstract: 本发明提供通过兼备垂直磁记录层的粒径微细化和垂直取向性而可进行高密度信息记录再现的磁记录介质、其制造方法以及磁记录再现装置。这样的垂直磁记录介质，是在非磁性基板上至少依次含有衬里层、基底层、中间层和垂直磁记录层的垂直磁记录介质，其中，所述基底层为fcc结构的(111)结晶取向层，所述中间层依次包含bcc结构的(110)结晶取向层和hcp结构的(002)结晶取向层。另外，所述bcc结构的(110)结晶取向层含有60原子％以上的Cr。

公开(公告)号：CN101689375A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880021665.3

申请日：2008-04-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 坂口龙二 ,  黑川刚平 ,  佐佐木有三 ,  小松田辰 ,  A·K·辛格

IPC: G11B5/65 ,  G11B5/851 ,  G11B5/66

CPC classification number: G11B5/65 ,  G11B5/66

Abstract: 本发明涉及磁记录介质、其制造方法及磁记录再生装置。作为在非磁性基板上具有衬底层、基底层、中间层和至少1层垂直磁记录层的垂直磁记录介质，所述垂直磁记录层包含Co及Cr，其至少1层为由强磁性的晶粒和非磁性的氧化物的晶界构成的颗粒结构，构成该晶界的氧化物包含W氧化物。作为其他方式，使所述垂直磁记录层具有多层颗粒结构，所述多层颗粒结构具有以W氧化物为晶界的磁记录层、和形成于其上的以Cr氧化物、Si氧化物、Ta氧化物或Ti氧化物为晶界的磁记录层。该磁记录介质垂直磁性层的垂直取向性优，且具有强磁性晶粒的平均粒径极其微细的特性，高记录密度特性优。