-
公开(公告)号：CN112750471A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011164742.X
申请日：2020-10-27
Applicant: 昭和电工株式会社 , 田中贵金属工业株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: G11B7/24047 , G11B7/253 , G11B7/254
Abstract: 本发明提供一种辅助磁性记录介质以及磁性存储装置。磁性记录介质(100)具有在基板(1)上依序设置的第1底层(3)、第2底层(4)以及磁性层(5)，磁性层(5)包含具有L10型结晶结构的合金。磁性记录介质(1)还具有与磁性层(5)相接的钉扎层(6)。钉扎层(6)具有包含磁性粒子及粒界部的粒状结构。磁性粒子是包含Co的粒子。粒界部包含Y2O3及/或镧系元素的氧化物。
-
公开(公告)号：CN109036474A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810521202.9
申请日：2018-05-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 一种磁记录介质，其依次具有基板、阻挡层、结晶粒径控制层、及包含具有L10型结晶结构且平面取向为(001)的合金的磁性层，其中，所述阻挡层包含氧化物、氮化物或碳化物，所述结晶粒径控制层是含有Ag的结晶质的层，平均厚度位于0.1nm～1nm的范围内，所述阻挡层与所述结晶粒径控制层相接。
-
公开(公告)号：CN101836255A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200880113188.3
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，其是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，所述取向控制层由从所述基板侧起包含种子层、第1中间层和第2中间层的3层以上构成，构成所述第1中间层的晶粒分别外延生长于构成所述种子层的晶粒上，构成所述第2中间层的晶粒分别外延生长于构成所述第1中间层的晶粒上，并且，构成所述第2中间层的晶粒与构成所述第1中间层的晶粒相比已微细化。
-
公开(公告)号：CN112750471B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202011164742.X
申请日：2020-10-27
Applicant: 昭和电工株式会社 , 田中贵金属工业株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: G11B7/24047 , G11B7/253 , G11B7/254
Abstract: 本发明提供一种辅助磁性记录介质以及磁性存储装置。磁性记录介质(100)具有在基板(1)上依序设置的第1底层(3)、第2底层(4)以及磁性层(5)，磁性层(5)包含具有L10型结晶结构的合金。磁性记录介质(1)还具有与磁性层(5)相接的钉扎层(6)。钉扎层(6)具有包含磁性粒子及粒界部的粒状结构。磁性粒子是包含Co的粒子。粒界部包含Y2O3及/或镧系元素的氧化物。
-
公开(公告)号：CN110648693B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201910552861.3
申请日：2019-06-25
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录介质和磁存储装置，热辅助磁记录介质依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，其中，所述底层包括第一底层，所述第一底层包含氧化镁和从由氧化钒、氧化锌、氧化锡、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物，所述化合物的总含量位于45mol％～70mol％的范围内。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101836255B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200880113188.3
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，其是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，所述取向控制层由从所述基板侧起包含种子层、第1中间层和第2中间层的3层以上构成，构成所述第1中间层的晶粒分别外延生长于构成所述种子层的晶粒上，构成所述第2中间层的晶粒分别外延生长于构成所述第1中间层的晶粒上，并且，构成所述第2中间层的晶粒与构成所述第1中间层的晶粒相比已微细化。
-
公开(公告)号：CN115206349A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210330080.1
申请日：2022-03-31
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明的课题在于提供能够具有结晶取向性高，缺陷少的磁性层的磁记录介质的制造方法。本发明涉及的磁记录介质的制造方法包括下述工序：对于基板的表面，使用包含氧化镁的靶标，通过溅射法，形成氧化镁基底层的工序；以及在上述氧化镁基底层的表面侧形成磁性层的工序，在上述形成氧化镁基底层时，将上述包含氧化镁的靶标加热至600℃以上。
-
公开(公告)号：CN110648693A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910552861.3
申请日：2019-06-25
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录介质和磁存储装置，热辅助磁记录介质依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，其中，所述底层包括第一底层，所述第一底层包含氧化镁和从由氧化钒、氧化锌、氧化锡、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物，所述化合物的总含量位于45mol％～70mol％的范围内。
-
公开(公告)号：CN109036474B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201810521202.9
申请日：2018-05-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 一种磁记录介质，其依次具有基板、阻挡层、结晶粒径控制层、及包含具有L10型结晶结构且平面取向为(001)的合金的磁性层，其中，所述阻挡层包含氧化物、氮化物或碳化物，所述结晶粒径控制层是含有Ag的结晶质的层，平均厚度位于0.1nm～1nm的范围内，所述阻挡层与所述结晶粒径控制层相接。
-
公开(公告)号：CN101438345B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200780016454.6
申请日：2007-05-07
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 株式会社东芝 , 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供通过兼备垂直磁记录层的粒径微细化和垂直取向性而可进行高密度信息记录再生的磁记录介质、其制造方法以及磁记录再生装置。所述磁记录介质是在非磁性基板上至少具有衬里层、基底膜、中间层和垂直磁记录膜的垂直磁记录介质，其中，所述中间层的至少一层，由具有fcc结构的元素与具有bcc结构或hcp结构的元素的合金材料构成，并且，为兼具(111)取向的结晶结构和由fcc结构与bcc结构或hcp结构的混合所引起的层状不规整晶格(层积缺陷)的结构。另外，中间层的至少一层，由以选自Pt、Ir、Pd、Au、Ni和Co之中的至少一种为主成分的具有fcc结构的合金和具有bcc结构或hcp结构的元素的合金材料构成。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.046 seconds)
