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公开(公告)号：CN109036474A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810521202.9
申请日：2018-05-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 一种磁记录介质，其依次具有基板、阻挡层、结晶粒径控制层、及包含具有L10型结晶结构且平面取向为(001)的合金的磁性层，其中，所述阻挡层包含氧化物、氮化物或碳化物，所述结晶粒径控制层是含有Ag的结晶质的层，平均厚度位于0.1nm～1nm的范围内，所述阻挡层与所述结晶粒径控制层相接。
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公开(公告)号：CN115206349A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210330080.1
申请日：2022-03-31
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明的课题在于提供能够具有结晶取向性高，缺陷少的磁性层的磁记录介质的制造方法。本发明涉及的磁记录介质的制造方法包括下述工序：对于基板的表面，使用包含氧化镁的靶标，通过溅射法，形成氧化镁基底层的工序；以及在上述氧化镁基底层的表面侧形成磁性层的工序，在上述形成氧化镁基底层时，将上述包含氧化镁的靶标加热至600℃以上。
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公开(公告)号：CN110648693A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910552861.3
申请日：2019-06-25
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录介质和磁存储装置，热辅助磁记录介质依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，其中，所述底层包括第一底层，所述第一底层包含氧化镁和从由氧化钒、氧化锌、氧化锡、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物，所述化合物的总含量位于45mol％～70mol％的范围内。
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公开(公告)号：CN109036474B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201810521202.9
申请日：2018-05-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 一种磁记录介质，其依次具有基板、阻挡层、结晶粒径控制层、及包含具有L10型结晶结构且平面取向为(001)的合金的磁性层，其中，所述阻挡层包含氧化物、氮化物或碳化物，所述结晶粒径控制层是含有Ag的结晶质的层，平均厚度位于0.1nm～1nm的范围内，所述阻挡层与所述结晶粒径控制层相接。
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公开(公告)号：CN110648693B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201910552861.3
申请日：2019-06-25
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录介质和磁存储装置，热辅助磁记录介质依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，其中，所述底层包括第一底层，所述第一底层包含氧化镁和从由氧化钒、氧化锌、氧化锡、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物，所述化合物的总含量位于45mol％～70mol％的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113053422A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011388537.1
申请日：2020-12-02
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质，其在形成磁记录层时，即使将基板加热至高温，也能够提高SNR以及OW特性，磁记录介质(100)在基板(1)之上依次具有软磁性基底层(2)、非晶阻挡层(3)以及磁记录层(5)，软磁性基底层包括Fe、B、Si以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，B的含量在12mol％～16mol％的范围内，Si的含量在5mol％～15mol％的范围内，非晶阻挡层包括Si、W以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，Si的含量在10mol％～30mol％的范围内，W的含量在20mol％～60mol％的范围内，磁记录层包括具有L10结构的合金。
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公开(公告)号：CN109979492B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201811365060.8
申请日：2018-11-16
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种SNR较高的磁记录介质。磁记录介质100，依次具有衬底1、基底层2、以及具有(001)取向并具有L10结构的磁性层3。磁性层3具有粒状结构，并且在磁性颗粒的晶界部存在具有亚甲基骨架或次甲基骨架的有机化合物。
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公开(公告)号：CN110517709A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910397007.4
申请日：2019-05-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明涉及磁记录介质和磁存储装置。提供一种SNR较高的磁记录介质，其依次具有基板、底层、及进行了(001)取向并具有L10结构的磁性层。该磁性层具有粒状结构，并包含碳的氢化物、硼的氢化物、或氮化硼的氢化物。
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公开(公告)号：CN108461094A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810145330.8
申请日：2018-02-12
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种能够在维持信噪比(SNR)的同时降低从磁头照射的激光功率(LDI)的磁记录介质。磁记录介质在衬底上依次具有第一散热层、第一阻挡层、第二散热层、及以具有L10结构的合金作为主成分的磁性层。第一阻挡层以氧化物、氮化物或碳化物作为主成分。
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