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公开(公告)号:CN112663059A
公开(公告)日:2021-04-16
申请号:CN202011039453.7
申请日:2020-09-28
Applicant: 普因特工程有限公司
Inventor: 安范模
Abstract: 本发明涉及一种用于处理室的内部金属部件以及用于处理室的内部金属部件的薄膜层形成方法,特别是涉及一种如下的用于处理室的内部金属部件以及用于处理室的内部金属部件的薄膜层形成方法:设置在用于显示器或半导体制造处理的处理室中或构成处理室的一部分,可容易地确保用于处理室的内部金属部件的薄膜层的厚的厚度且通过防止用于处理室的内部金属部件的裂纹而实现寿命延长,同时防止由孔隙引起的逸气现象。
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