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公开(公告)号：CN114864757A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210591669.7
申请日：2022-05-27
Applicant: 晶呈科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种垂直式发光二极管及其制造方法，包括：提供形成有磊晶层的生长基板；于磊晶层上接合依序堆栈的第一、第二、第一金属层的金属组合基板，其一第一金属层接合于磊晶层，另一第一金属层远离磊晶层；剥离生长基板以获得磊晶结构；于磊晶结构上形成接触金属层；最后，蚀刻并去除第二金属层与远离磊晶层的第一金属层，由此保留接合磊晶层的第一金属层。通过上述制造方法制得的垂直式发光二极管具有较为轻薄的厚度、较强的机械强度、显著的光强度以及较佳的散热效果。
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公开(公告)号：CN114628305A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110042369.9
申请日：2021-01-13
Applicant: 晶呈科技股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开了一种磁性发光二极管晶粒转移的对准模块及其对准方法，所述对准模块包括具有至少一凹陷部的驱动背板、磁性发光二极管晶粒及磁力吸引装置，磁力吸引装置位于凹陷部下方，并相对应于凹陷部设置。磁性发光二极管晶粒包含磁性金属基板与形成于磁性金属基板上的周边电极，周边电极环绕设置于磁性金属基板上，且邻近设置于其内侧边缘。凹陷部的深度的设计与磁性金属基板的厚度相等，以利用凹陷部及磁力吸引装置吸引磁性发光二极管晶粒容设并对准转移至驱动背板中。通过本发明的晶粒对准技术，可实现准确的对位效果，同时符合产业进行快速的巨量转移技术。
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公开(公告)号：CN118630107A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310311571.6
申请日：2023-03-28
Applicant: 晶呈科技股份有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L33/62 , H01L33/50 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种晶圆级发光二极管晶粒的无载板封装方法，属于发光二极管晶粒封装领域，将设有多个发光二极管晶粒的晶圆结构贴附于临时基板上，依次通过雷射切割与雷射击穿制程，使发光二极管晶粒形成导体。随后，在发光二极管晶粒的上表面溅镀透明导电薄膜，并通过设有黑色矩阵与量子点彩色滤光片的色转换制程，使其具有不同的发光色阶。之后，将发光二极管晶粒切割为多个封装体结构，并通过解水胶制程使所述的晶圆结构与临时基板分离，以将晶圆结构转移至目标基板上。本发明公开的封装方法，无须使用到现有的载板，可使垂直型发光二极管晶粒封装体的封装良率获得优化。
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公开(公告)号：CN114744005A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110148459.6
申请日：2021-02-03
Applicant: 晶呈科技股份有限公司
IPC: H01L27/15 , H01L21/78 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种具有顺磁性发光元件的芯片结构及其制造方法，该制造方法包括在一第一基板上形成磊晶层、执行一第一蚀刻制程，并在设置一绝缘层、复数个焊垫及暂时基板后移除所述第一基板，之后，在该磊晶层顶部表面上接合一磁性金属结构，并去除所述的暂时基板，接续执行一第二蚀刻制程与切割制程，以形成具有顺磁性发光元件的一芯片结构。通过本发明所公开的芯片结构及其制造方法，改良原有基材的软磁性，具有较佳的初始磁导率，并具有晶粒自动翻转及对位的功效，不仅可有效改良公知覆晶接合的流程，还可符合产业进行快速的巨量移转技术。
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公开(公告)号：CN118117441A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202310171417.3
申请日：2023-02-27
Applicant: 晶呈科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种激光二极管，其包含一原生基板、一外延结构以及一复合多层金属板。原生基板具有一基板热膨胀系数，外延结构形成于原生基板上。复合多层金属板设置于原生基板下方且至少包含一第一金属层及一第二金属层，第一金属层与第二金属层相互叠设且材质相异，复合多层金属板具有一调变热膨胀系数。其中，原生基板供外延结构生长时具有一初始厚度，将原生基板薄化至一结合厚度后再结合复合多层金属板，且复合多层金属板的调变热膨胀系数与基板热膨胀系数相近。借此，可提升激光二极管的散热能力及出光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117374057A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202210906009.3
申请日：2022-07-29
Applicant: 晶呈科技股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/62 , H01L21/66 , H01L33/00 , G09F9/33
Abstract: 一种LED电路基板结构，包含第一色LED、第二色LED、第三色LED、载板、第一测试线、第一连接线、第二测试线以及第二连接线。各第一测试线位于载板且电性并联位于同一像素正面图案区的二第一色LED。第一连接线电性连接相邻的二像素正面图案区的二第一测试线。各第二测试线位于载板且电性并联位于同一像素正面图案区的二第二色LED。第二连接线电性连接相邻的二像素正面图案区的二第二测试线。借此，可以在切割封装前即测试LED，并能找出失效的LED。本发明还涉及一种LED测试封装方法及一种LED像素封装体。
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公开(公告)号：CN115440859A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211260668.0
申请日：2022-10-14
Applicant: 晶呈科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种晶粒封装体的接合与转移方法，其提供设置有定位胶的晶粒封装体，同时提供具有对应该定位胶的空槽的一振动底座，通过定位胶与空槽的对位，使晶粒封装体能够定位并容设于振动底座中，另提供一目标基板，藉由金属材料使该目标基板与具有该晶粒封装体的振动底座接合，之后，以雷射制程将该金属材料熔解，以完成焊接。最后，移除振动底座并通过除胶制程去除定位胶，从而完成将该晶粒封装体接合并转移至目标基板上。通过采用此种制程方法，本发明可符合产业进行快速的巨量转移技术，同时，使垂直型发光二极管晶粒封装体的封装良率获得优化。
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公开(公告)号：CN114975390A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110275612.1
申请日：2021-03-15
Applicant: 晶呈科技股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/62
Abstract: 本发明公开一种发光二极管封装结构及其制作方法，首先，提供一半导体晶圆，半导体晶圆具有复数个半导体基板。接着，贯穿每一半导体基板，以形成第一通孔与第二通孔。先形成一绝缘层于每一半导体基板的表面及第一通孔与第二通孔的内壁，再形成图案化电极层于半导体基板的表面。形成覆盖绝缘层的导电结构于第一通孔与第二通孔中，并电性连接导电结构与图案化电极层。形成发光二极管于每一半导体基板的第二通孔中，并分别电性连接所有发光二极管与第二通孔中的导电结构。最后，分离所有半导体基板，以提升合格率与简化结构。
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公开(公告)号：CN118782689A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202311695014.5
申请日：2023-12-11
Applicant: 晶呈科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种发光二极管封装结构的制备方法，其包含下列步骤。提供基板。进行配置步骤，是将发光二极管与虚设插塞设置于基板。进行涂布步骤，是将可图案化材料涂布于基板，并包覆发光二极管与虚设插塞。进行图案化步骤，是对可图案化材料进行图案化。进行沉积步骤，使导电层形成于可图案化材料的一侧，且接触并电性连接发光二极管与虚设插塞。进行保护层形成步骤，使保护层形成于导电层的一侧。进行剥离步骤，以形成发光二极管封装结构。导电层的材质包含氧化铟锡材料或透明导电材料。借此，可提升工艺效率、良率并降低成本。
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公开(公告)号：CN117352500A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202210911843.1
申请日：2022-07-29
Applicant: 晶呈科技股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/62 , H01L21/66 , H01L33/00 , G09F9/33
Abstract: 一种LED电路基板结构，包含第一色LED、第二色LED、第三色LED、集成电路芯片、载板、第一P型接垫、第一色接垫、第一测试线以及第一连接线。一像素正面图案区设置有一第一P型接垫以供一第一P型电极焊接。一像素正面图案区设置有一第一色接垫以供一集成电路芯片的一第一接脚焊接，且第一色接垫电性连接第一P型接垫。一像素正面图案区设置有一第一测试线自一第一P型接垫或一第一色接垫延伸。第一连接线电性并联相邻的二像素正面图案区的二第一测试线。借此，可以在切割封装前即测试LED，并能找出失效的LED。本发明还涉及一种LED测试封装方法及一种LED像素封装体。
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