公开(公告)号：CN109950321A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201910225445.2

申请日：2019-03-25

Applicant: 暨南大学

Inventor： 谢伟广 ,  余冰 ,  罗志 ,  卢月恒 ,  赖浩杰 ,  陈科球

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及一种基于氧化钨的P型场效应晶体管及其制备方法，采用固态电解质作衬底，在固态电解质衬底上放置掩膜板，预留一器件沟道；然后沉积一层绝缘薄膜；然后取下掩膜板，沉积三氧化钨薄膜；然后重新放置掩膜板，蒸镀源、漏电极；最后在固态电解质背面蒸镀沉积栅电极，形成场效应器件。本发明将三氧化钨作为有源层应用于晶体管，Au作源、漏电极，器件采用真空热蒸镀方法制备，工艺简单，同时将固态电解质作为栅介质，由于电解质极强的长程离子-电子耦合特性，当栅电极远离沟道区域时，仍能够对沟道的导电性产生极强的调控作用，降低了器件制作过程中的对准要求，得到呈现为P型场效应调制作用的晶体管。

公开(公告)号：CN109809490A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201910225427.4

申请日：2019-03-25

Applicant: 暨南大学

Inventor： 谢伟广 ,  余冰 ,  罗志 ,  王思媛 ,  陈科球 ,  时婷婷 ,  刘彭义

IPC: C01G41/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种紫色氧化钨纳米线及其制备方法，该方法包括，将三氧化钨粉末均匀压紧平铺在衬底上，平铺厚度为0.5～3mm；在真空条件下，对所述三氧化钨粉末进行高温加热40～90min，然后自然冷却至室温，即可获得紫色氧化钨纳米线。本发明采用一步法即可获得W18O49纳米线，其工序简单，该方法获得的W18O49纳米线比表面积大，适用于光电器件及电化学器件等，多余的WO3粉末可重复煅烧使用，节约成本。

公开(公告)号：CN109950321B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201910225445.2

申请日：2019-03-25

Applicant: 暨南大学

Inventor： 谢伟广 ,  余冰 ,  罗志 ,  卢月恒 ,  赖浩杰 ,  陈科球

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及一种基于氧化钨的P型场效应晶体管及其制备方法，采用固态电解质作衬底，在固态电解质衬底上放置掩膜板，预留一器件沟道；然后沉积一层绝缘薄膜；然后取下掩膜板，沉积三氧化钨薄膜；然后重新放置掩膜板，蒸镀源、漏电极；最后在固态电解质背面蒸镀沉积栅电极，形成场效应器件。本发明将三氧化钨作为有源层应用于晶体管，Au作源、漏电极，器件采用真空热蒸镀方法制备，工艺简单，同时将固态电解质作为栅介质，由于电解质极强的长程离子‑电子耦合特性，当栅电极远离沟道区域时，仍能够对沟道的导电性产生极强的调控作用，降低了器件制作过程中的对准要求，得到呈现为P型场效应调制作用的晶体管。