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公开(公告)号：CN109950321B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201910225445.2
申请日：2019-03-25
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及一种基于氧化钨的P型场效应晶体管及其制备方法，采用固态电解质作衬底，在固态电解质衬底上放置掩膜板，预留一器件沟道；然后沉积一层绝缘薄膜；然后取下掩膜板，沉积三氧化钨薄膜；然后重新放置掩膜板，蒸镀源、漏电极；最后在固态电解质背面蒸镀沉积栅电极，形成场效应器件。本发明将三氧化钨作为有源层应用于晶体管，Au作源、漏电极，器件采用真空热蒸镀方法制备，工艺简单，同时将固态电解质作为栅介质，由于电解质极强的长程离子‑电子耦合特性，当栅电极远离沟道区域时，仍能够对沟道的导电性产生极强的调控作用，降低了器件制作过程中的对准要求，得到呈现为P型场效应调制作用的晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111593411B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010430669.X
申请日：2020-05-20
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积有序的PS微球单层胶体晶体及其制备方法，本发明通过利用有机溶剂分子对自组装的单层胶体进行原位退火，并结合流量控制沉积技术，将纳米级的胶体微球在任意衬底上排列成六方密堆的单层结构胶体晶体的方法，该方法在降低生产成本的同时保证单层胶体晶体的质量和制备效率，制备过程简单，时间较短，制备成本低，从而实现工业化生产。该方法制备的大面积有序的PS微球单层胶体晶体，PS微球以六方密堆的形式有序排列成胶体球单层结构，PS微球之间间隔均匀，具有较高的质量。
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公开(公告)号：CN109950321A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910225445.2
申请日：2019-03-25
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及一种基于氧化钨的P型场效应晶体管及其制备方法，采用固态电解质作衬底，在固态电解质衬底上放置掩膜板，预留一器件沟道；然后沉积一层绝缘薄膜；然后取下掩膜板，沉积三氧化钨薄膜；然后重新放置掩膜板，蒸镀源、漏电极；最后在固态电解质背面蒸镀沉积栅电极，形成场效应器件。本发明将三氧化钨作为有源层应用于晶体管，Au作源、漏电极，器件采用真空热蒸镀方法制备，工艺简单，同时将固态电解质作为栅介质，由于电解质极强的长程离子-电子耦合特性，当栅电极远离沟道区域时，仍能够对沟道的导电性产生极强的调控作用，降低了器件制作过程中的对准要求，得到呈现为P型场效应调制作用的晶体管。
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公开(公告)号：CN111593411A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010430669.X
申请日：2020-05-20
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积有序的PS微球单层胶体晶体及其制备方法，本发明通过利用有机溶剂分子对自组装的单层胶体进行原位退火，并结合流量控制沉积技术，将纳米级的胶体微球在任意衬底上排列成六方密堆的单层结构胶体晶体的方法，该方法在降低生产成本的同时保证单层胶体晶体的质量和制备效率，制备过程简单，时间较短，制备成本低，从而实现工业化生产。该方法制备的大面积有序的PS微球单层胶体晶体，PS微球以六方密堆的形式有序排列成胶体球单层结构，PS微球之间间隔均匀，具有较高的质量。
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公开(公告)号：CN109809486A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910230106.3
申请日：2019-03-26
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种向KNbO3钙钛矿中掺杂Ba和Ni离子的方法，包括以下步骤：按质量比为1.0945：0.2654：0.0581：1.6517的比例称取水合碳酸钾、碳酸钡、氧化镍和五氧化二铌四种粉末；然后依次进行研磨-煅烧-研磨-煅烧-研磨的工艺过程，即可制得掺杂Ba和Ni离子的KBNNO(x＝0.1)钙钛矿。本申请所述方法有效简化了钙钛矿的制备流程和步骤，大大缩短钙钛矿的制备时间，并且在制备过程中无需特殊处理，无需使用贵重设备，可适用于大规模生产；制得的KBNNO(x＝0.1)钙钛矿在可见光催化降解有机污染物、制备太阳能电池领域具有一定的市场潜力。
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公开(公告)号：CN109809490A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910225427.4
申请日：2019-03-25
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及一种紫色氧化钨纳米线及其制备方法，该方法包括，将三氧化钨粉末均匀压紧平铺在衬底上，平铺厚度为0.5～3mm；在真空条件下，对所述三氧化钨粉末进行高温加热40～90min，然后自然冷却至室温，即可获得紫色氧化钨纳米线。本发明采用一步法即可获得W18O49纳米线，其工序简单，该方法获得的W18O49纳米线比表面积大，适用于光电器件及电化学器件等，多余的WO3粉末可重复煅烧使用，节约成本。
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