一种基于去芯侧边抛磨光纤的折射率监测装置及方法

    公开(公告)号:CN107064063A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201610508388.5

    申请日:2016-06-28

    Applicant: 暨南大学

    CPC classification number: G01N21/45 G01N2021/458

    Abstract: 本发明公开一种基于去芯侧边抛磨光纤的折射率监测装置及方法,该装置包括通过单模通信光纤依次连接的宽谱光源、去芯侧边抛磨光纤和光频谱分析仪,所述去芯侧边抛磨光纤的抛磨区由单模通信光纤经侧边抛磨而成,依次包括第一纤芯完整区、第一抛磨过渡区、抛磨平坦区、第二抛磨过渡区和第二纤芯完整区,所述抛磨过渡区是将单模通信光纤的光纤纤芯部分抛磨掉形成的,所述抛磨平坦区是将单模通信光纤的光纤纤芯全部抛磨掉形成的,将去芯侧边抛磨光纤作为传感头浸入待测介质中,宽谱光源发出的信号光经过单模通信光纤后入射去芯侧边抛磨光纤中,发生多模干涉。

    一种具有起偏功能的光纤集成光电探测器

    公开(公告)号:CN113865702B

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202111026230.1

    申请日:2021-09-02

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有起偏功能的光纤集成光电探测器,包括从上到下依次设置的叉指电极、石墨烯薄膜、二硫化钼薄膜、PMMA薄膜、侧边抛磨光纤和玻璃衬底;侧边抛磨光纤包括纤芯和包层,所述光纤固定于玻璃衬底上,所述纤芯被包裹于包层内,且部分显露于包层外;且显露的部分朝上,且为一平面;PMMA薄膜覆盖于纤芯显露的平面上;且所述二硫化钼薄膜、石墨烯薄膜和叉指电极依次贴合覆盖在PMMA薄膜上方。本发明可同时实现光信号的起偏、探测和传输,可在近红外波段实现宽带探测和起偏,且器件的起偏特性可调:侧边抛磨光纤集成打破了二维材料由于原子层厚度导致的弱光吸收的限制,并且石墨烯/二硫化钼异质结有效增强了光吸收,大幅增强了光电探测器灵敏度。

    一种具有起偏功能的光纤集成光电探测器

    公开(公告)号:CN113865702A

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202111026230.1

    申请日:2021-09-02

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有起偏功能的光纤集成光电探测器,包括从上到下依次设置的叉指电极、石墨烯薄膜、二硫化钼薄膜、PMMA薄膜、侧边抛磨光纤和玻璃衬底;侧边抛磨光纤包括纤芯和包层,所述光纤固定于玻璃衬底上,所述纤芯被包裹于包层内,且部分显露于包层外;且显露的部分朝上,且为一平面;PMMA薄膜覆盖于纤芯显露的平面上;且所述二硫化钼薄膜、石墨烯薄膜和叉指电极依次贴合覆盖在PMMA薄膜上方。本发明可同时实现光信号的起偏、探测和传输,可在近红外波段实现宽带探测和起偏,且器件的起偏特性可调:侧边抛磨光纤集成打破了二维材料由于原子层厚度导致的弱光吸收的限制,并且石墨烯/二硫化钼异质结有效增强了光吸收,大幅增强了光电探测器灵敏度。

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