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公开(公告)号：CN117894970A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410303016.3
申请日：2024-03-18
Applicant: 暨南大学
IPC: H01M4/36 , H01M10/054 , H01M4/04 , H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M4/02
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯包覆含硫空位的二硫化钒复合材料及其制备方法和应用，属于钾离子电池技术领域。石墨烯包覆含硫空位的二硫化钒复合材料的制备方法，包括以下步骤：采用溶剂热反应制备得到VS2前驱体；将VS2前驱体和GO的溶液混合，超声分散，然后搅拌、冷冻干燥，得到VS2和GO的复合物；将VS2和GO的复合物在还原气氛下煅烧，得到石墨烯包覆含硫空位的二硫化钒复合材料。本发明复合材料中的硫空位可以提供额外的离子通道，作为钾离子电池的材料使用时，不仅可以促进钾离子在材料中的迁移和扩散，提高二硫化钒材料的离子导电性能，还可以提供额外的钾离子储存位点，有效提高材料比容量。
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公开(公告)号：CN117894970B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410303016.3
申请日：2024-03-18
Applicant: 暨南大学
IPC: H01M4/36 , H01M10/054 , H01M4/04 , H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M4/02
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯包覆含硫空位的二硫化钒复合材料及其制备方法和应用，属于钾离子电池技术领域。石墨烯包覆含硫空位的二硫化钒复合材料的制备方法，包括以下步骤：采用溶剂热反应制备得到VS2前驱体；将VS2前驱体和GO的溶液混合，超声分散，然后搅拌、冷冻干燥，得到VS2和GO的复合物；将VS2和GO的复合物在还原气氛下煅烧，得到石墨烯包覆含硫空位的二硫化钒复合材料。本发明复合材料中的硫空位可以提供额外的离子通道，作为钾离子电池的材料使用时，不仅可以促进钾离子在材料中的迁移和扩散，提高二硫化钒材料的离子导电性能，还可以提供额外的钾离子储存位点，有效提高材料比容量。
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公开(公告)号：CN117996058A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410405107.8
申请日：2024-04-07
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了无定形非晶纳米锑钒氧化物/还原氧化石墨烯复合材料、制备方法及其应用，属于钾离子电池技术领域，本发明首次将Sb2VO5应用于储能领域以解决上述现有技术存在的问题。采用溶剂热和低温煅烧两步法调节合成还原氧化石墨烯包覆的无定形非晶纳米锑钒氧化物复合负极材料（即无定形非晶纳米锑钒氧化物/还原氧化石墨烯复合材料），改善了复合材料的电导率，提高了活性物质的电子/离子传输速率和电化学反应动力学，增加了离子储存位点和通道，成功制备了具有高容量和长循环稳定性的钾离子电池负极材料。
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公开(公告)号：CN117996058B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410405107.8
申请日：2024-04-07
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了无定形非晶纳米锑钒氧化物/还原氧化石墨烯复合材料、制备方法及其应用，属于钾离子电池技术领域，本发明首次将Sb2VO5应用于储能领域以解决上述现有技术存在的问题。采用溶剂热和低温煅烧两步法调节合成还原氧化石墨烯包覆的无定形非晶纳米锑钒氧化物复合负极材料（即无定形非晶纳米锑钒氧化物/还原氧化石墨烯复合材料），改善了复合材料的电导率，提高了活性物质的电子/离子传输速率和电化学反应动力学，增加了离子储存位点和通道，成功制备了具有高容量和长循环稳定性的钾离子电池负极材料。
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